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4 5 6 挑粒 检验（委外） 贴片1（委外） 去除受损芯片，将芯片装于Tray盘 检验图形尺寸及结构 PD与MOUNT相连 对委外后送回的芯片表面采用去离子7 表面清洁 水冲洗，去除芯片表面可能存在的颗粒物和有机物残留 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 2烘烤 检测 打线 固化胶 推力测试、精度检测 接收模块 导电胶 纯水 氮气 金线、磁嘴 废芯片 清洗废水 废弃下脚料 检测 金线拉力 贴片2（委外） LD与PLC连接 导电胶 检测 推力测试、精度检测 贴片3（委外） PLC、热沉连接 对委外后送回的芯片表面采用去离子导电胶 表面清洁 水冲洗，去除芯片表面可能存在的颗粒物和有机物残留 纯水 氮气 清洗废水 烘烤 固化胶 贴片4 PD/MOUNT+热沉连接 绝缘胶 检测 贴片5（封装外壳委外） 推力测试、精度检测 封装集成 对委外后送回的芯片表面采用去离子绝缘胶 表面清洁 水冲洗，去除芯片表面可能存在的颗粒物和有机物残留 纯水 氮气 清洗废水 烘烤 固化胶 打线 集成模块与外壳的互连 金线、磁嘴 废弃下脚料 检测 平行封焊 拉力测试 外壳密封 22
XXXXXX有限公司环境风险评估报告 4 25 可靠性测试 气密性检测；温湿度检测；机械性能检测 3.5.2生产设备
企业生产主要设备见下表。
表3.5-2 主要生产设备
序号 一 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 项目 进口设备 等离子体增强化学气相沉积装置 低压化学气相沉积装置 物理气相沉积系统 涂胶与显影系统 光罩对准曝光机 硅晶圆片等离子体干法刻蚀机 金属层等离子体干法刻蚀机 电感耦合等离子体二氧化硅干法刻蚀机 半导体晶圆片盒清洗机 半导体晶圆片表面光刻胶等离子体干法刻蚀机 晶圆湿法清洗机 半导体紫外固胶机 半导体尾气处理机 半导体设备专用气动泵 半导体设备专用气动泵 半导体设备专用气动泵 半导体设备专用气动泵 半导体晶圆片干燥机 半导体晶圆片倒片仪器 显微照相显微镜 细微图形检查用电子显微镜 23
设计规格型号 PECVD SPTS Delta i2L PECVD Thermco model 2604 MRC 943 system SVG 90S SUSS MA8 Gen3 STS ASE ICP etcher STS Metal ICP etcher ICP SPTS LPX APS ICP Semitool Storm III Fusion MCU 200 Semitool 3-Chamber Spray Acid Tool(SAT) Axcelis / Fusion M200 PCU CSK HEATS-10 EDWARDS IH-80 EDWARDS IH-600 EDWARDS IH-1000 ADIXEN ACP40G Semitool 2300S SRD Mactronix UKA-625 Wafer Transfer NIKON L200ND KLA 8100 单位 数量 备注 台/套 46 台 台 台 套 台 台 台 台 台 台 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 台 台 台 台 台 台 台 台 套 台 台 1 1 3 2 1 2 1 1 1 1 1 XXXXXX有限公司环境风险评估报告
22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 二 33 34 35 36 37 38 39 40 合计 半导体晶圆观察测量系统 晶圆颗粒测量计数器 薄膜应力光学测量仪 光刻胶厚度光学测量仪器 棱镜耦合仪 氦气检测仪 激光标印机 四点探针金属厚度测量仪 显微照相显微镜 贴片机 精密贴片机 封焊机 国产设备 多晶硅清洗机 湿法清洗机 石英管清洗机 晶圆划片机 高温干燥箱 高温烘箱 显微镜 打线机 Hitachi S4500 KLA- Tencor 6220 KLA- Tencor Flexus 2320 Stress Nanospec 6100 Metricon MODEL 2010/M Inficon DL1000Fab 大族 NAPSON NAP-CRESBOX Leica DM8000M DB400 FINETECH SIMSEAL Groupmega Wet bench Tube Clean 套 台 台 台 台 台 台 台 台 台 台 台 1 1 1 1 1 1 1 1 1 5 5 2 台/套 46 台 台 台 台 台 台 台 台 1 1 1 1 2 3 32 5 92 3.6污染物生产及排放情况
3.6.1大气环境污染防治对策措施论证
根据污染物成分的不同，项目营运期产生的废气污染物主要分为以下几类： （1）有机废气
项目涉及的有机废气主要是晶圆生产线光刻工艺有机废气（G5）、晶圆生产线光刻胶湿法去除工艺有机废气（G13）。
G5 晶圆生产线光刻工艺有机废气
封装生产线光刻工艺需要用到光刻胶、增粘剂（HMDS）、显影液和NMP各类有机物，在生产过程中，各类有机物中的易挥发组分自然挥发至空气中，表现为非甲烷
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总烃（NMHC），经设备内自带的抽风系统抽出至车间有机废气处理装置（活性炭吸附）处理后排放，有机废气处理装置对有机废气去除率为90%。
光刻工艺有机废气挥发量按有机物含量的5%计，根据项目光刻胶、增粘剂（HMDS）、显影液和NMP用量及组分，光刻工艺有机废气产生量为：非甲烷总烃 10.8kg/a（0.0014kg/h）。
G13 晶圆生产线光刻胶湿法去除工艺有机废气
光刻胶的湿法去除工艺需将硅片依次浸入光刻胶剥离液、异丙醇、丙酮溶液中，以达到彻底去除晶圆片表面光刻胶的目的，各类有机溶液液池挥发会产生有机废气排放，表现为非甲烷总烃（NMHC），经液池上方集气罩收集后抽出至车间有机废气处理装置（活性炭吸附）处理后排放，有机废气处理装置对有机废气去除率为90%。集气罩集气效率90%，未捕集部分表现为无组织排放。
各液池生产状态为加盖密封，仅在晶圆片进出以及添加、更换有机溶剂时开盖，产生的有机废气挥发量按总物料用量的5%计算，根据项目光刻胶剥离液、异丙醇、丙酮用量，计算得光刻胶湿法去除工艺有机废气的产生量为：非甲烷总烃 0.042kg/h，集气罩收集的部分为非甲烷总烃 0.038kg/h，无组织排放部分为0.004kg/h。
项目有机废气产生处理情况，见表3.6-1。
表3.6-1 项目有机废气产生处理情况表
污染物产生情况 编号 产生环节 废气 废气量 污染物 有机废气 6000Nm3/h G13 晶圆生产线光刻胶湿有机法去除工艺 废气 NMHC 0.038 产生量kg/h 0.0014 有机废气处理装置（活性炭吸附） NMHC 3.8×10-3 处理 设施 污染物 排放量kg/h 污染物排放情况 排放 方式 排放去向 G5 晶圆生产线光刻工艺 NMHC NMHC 1.4×10-4 连续 车间18m排气筒一个（共用） （2）工艺尾气
项目涉及的工艺尾气均来自晶圆生产线，主要包括光层氧化硅生长工艺尾气（G3）、多晶硅层生长工艺尾气（G4）、硅刻蚀（干法）工艺尾气（G6）、二氧化硅刻蚀（干法）工艺尾气（G7）、光刻胶去除（干法）工艺尾气（G8）、上保护层二氧化硅生长工艺尾气（G10）、溅射金属工艺尾气（G11）、介电氧化硅/保护层氧化硅生长工艺尾气（G14）、金属刻蚀（干法）工艺尾气（G15）、等离子增强化学气相沉积设
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备清洗工艺尾气（G16）。
G3 光层氧化硅生长工艺尾气
光层氧化硅生长工艺尾气主要成分为未参与反应的硅烷、锗烷和氧气，以及反应产生的氢气，根据光层氧化硅生长工艺硅烷与锗烷用量与利用效率，计算得光层氧化硅工艺尾气的主要成分为：硅烷 0.17g/h，锗烷0.013g/h，氢气0.19g/h。
G4 多晶硅层生长工艺尾气
多晶硅层生长工艺尾气主要成分为未参与反应的硅烷和反应产生的氢气，根据多晶硅层生长工艺硅烷用量与利用效率，计算得多晶硅层生长工艺尾气的主要成分为：硅烷 0.17g/h，氢气0.19g/h。
G6 硅刻蚀（干法）工艺尾气
硅刻蚀（干法）工艺尾气主要成分为未参与反应的六氟化硫（氟化物）和反应产生的四氟化硅（氟化物）、二氧化硫，根据硅刻蚀（干法）工艺六氟化硫用量与利用效率，计算得硅刻蚀（干法）工艺尾气的主要成分为： 氟化物（以F计） 0.32g/h，二氧化硫0.16g/h。
G7 二氧化硅刻蚀（干法）工艺尾气
二氧化硅刻蚀（干法）工艺尾气主要成分为未参与反应的四氟化碳（氟化物）、八氟环丁烷（氟化物）、氢气和反应产生的四氟化硅（氟化物）、二氧化碳，以及在刻蚀掺硼磷的SiO2层时释放出的P2O5，根据二氧化硅刻蚀（干法）工艺四氟化碳、八氟环丁烷用量与利用效率及项目磷平衡，计算得二氧化硅刻蚀（干法）工艺尾气的主要成分为：氟化物（以F计） 1.31g/h，P2O5 0.029g/h，H2 0.06g/h。
G8光刻胶去除（干法）工艺尾气
光刻胶去除（干法）工艺尾气主要成分为O2与光刻胶中的C、H反应生成CO2、 H2O、CO，根据项目光刻胶用量，估算得光刻胶去除（干法）工艺尾气的主要成分为：CO 0.08g/h。
G10上保护层二氧化硅生长工艺尾气
上保护层二氧化硅生长工艺尾气主要成分为未参与反应的硅烷、磷烷、乙硼烷、氢气和反应产生的氢气，根据上保护层二氧化硅生长工艺硅烷、磷烷、乙硼烷/氢气混合气用量与利用效率，计算得上保护层二氧化硅生长工艺尾气的主要成分为：硅烷 0.17g/h，磷烷 0.003g/h，乙硼烷 0.0014g/h，氢气0.32g/h。
G11溅射金属工艺尾气
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