XXXXXX有限公司环境风险评估报告
表3.6-4 大气污染物产生、排放情况一览表
序号 产生情况 名称 编号 废气量 污染物 速率kg/h 产生量t/a 晶圆生产线光刻工艺有机废气 晶圆生产线光刻胶2 湿法去除工艺有机废气 SiH4 3 光层氧化硅生长工艺尾气 G3 GeH4 H2 1.7×10-4 1.3×10-3 1.3×10-5 1.0×10-4 1.9×10-4 1.6×10-3 氟化物 颗粒物 SO2 0.174 0.007 0.055 >85 >50 >70 G13 治理措施 污染物 浓度mg/m3 排放情况 排放 速率kg/h 排放量t/a 去除率（%） 方式 排放去向 1 G5 6000Nm3/h NMHC 1.4×10-3 1.08×10-2 有机废气处理装置1套（活性炭吸NMHC 6.5 0.039 0.031 90 连续 1个18m排气筒排入大气 NMHC 0.038 0.301 附） 0.007 2.75×10-4 2.2×10-3 9.5×10-4 2.2×10-4 1.6×10-5 0.007 0.13 0.07 3.8×10-5 3×10-4 4 多晶硅层生长工艺尾气 SiH4 G4 40000Nm3/h 硅刻蚀（干法）工艺尾气 二氧化硅刻蚀（干法）工艺尾气 H2 1.7×10-4 1.3×10-3 工艺尾气处理装1.9×10-4 1.0×10-3 置1套处理后送酸性废气喷淋吸P2O5 8.7×10-6 6.9×10-5 >80 1个25m排气筒排入大气 Cl2 HCl 硫酸雾 NH3 6.3×10-7 5×10-6 >80 >90 >90 >70 连续 5 G6 SO2 1.6×10-4 1.26×10-3 0.005 2.8×10-3 0.041 0.022 氟化物 1.31×10-3 1.04×10-2 氟化物 3.2×10-4 2.5×10-3 收塔处理 2.7×10-4 2.2×10-3 6 G7 P2O5 H2 2.9×10-5 2.3×10-4 6×10-5 8×10-5 5×10-4 6.5×10-4 7 光刻胶去除（干法）G8 CO 32
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工艺尾气 SiH4 8 上保护层二氧化硅生长工艺尾气 G10 PH3 H2 9 溅射金属工艺尾气 G11 介电氧化硅/保护层10 氧化硅生长工艺尾气 金属刻蚀（干法）工艺尾气 等离子增强化学气12 相沉积设备清洗工艺尾气 硫酸雾 5.17×10-2 13 晶圆生产线表面清洗工艺废气 G1 氟化物 3.4×10-4 2.7×10-3 NH3 晶圆生产线二氧化14 硅刻蚀（湿法）工艺废气 15 晶圆生产线硅刻蚀（湿法）工艺废气 G9 H2 少量 / G2 氟化物 2.75×10-3 2.2×10-2 9.4×10-3 7.4×10-2 酸性废气喷淋吸收塔1套处理 HCl 0.409 G16 氟化物 0.044 0.352 G14 Ar SiH4 N2O H2 Cl2 11 G15 BCl3 3×10-6 2.4×10-5 3.2×10-4 2.6×10-3 少量 / B2H6 1.7×10-4 1.3×10-3 1.4×10-6 1.1×10-5 3.4×10-4 2.6×10-3 1.64×10-2 0.11 3.8×10-4 3.2×10-3 6.3×10-6 5×10-5 2.3×10-4 1.8×10-3 颗粒物 7.4×10-5 5.9×10-4 2.66×10-3 2.1×10-2 33
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晶圆生产线金属刻蚀（湿法）工艺废气 16 G12 P2O5 2.6×10-5 2.1×10-4 氟化物 硫酸雾 生产车间空调换气，划定100m卫HCl NH3 P2O5 NMHc / / / / / / 3.3×10-4 2.7×10-3 5.7×10-3 4.5×10-2 2.9×10-4 2.4×10-3 1×10-3 8.2×10-3 3×10-6 2.3×10-5 4×10-6 3.2×10-5 / / / / / / 无组织 氟化物 3.3×10-4 2.7×10-3 硫酸雾 5.7×10-3 4.5×10-2 17 晶圆生产线无组织废气 G18 / NH3 P2O5 NMHc 1×10-3 3×10-6 4×10-6 8.2×10-3 2.3×10-5 3.2×10-5 HCl 2.9×10-4 2.4×10-3 生防护距离
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3.6.2水污染防治对策措施论证
（1）废水产生
项目废水包括一般废水、酸碱废水、含氨废水、有机废水和生活污水。 1、一般废水
项目一般废水为晶圆切割（划片）与清洗废水（W8）、纯水站反冲废水（W9）。 W8 晶圆切割（划片）与清洗废水
封装生产线晶圆切割过程中需要用纯水冲去切割产生的硅渣和释放静电，产生的冲洗水中主要含SS，另外对委外送回的晶圆片也需要用纯水进行冲洗去除表面残留的颗粒物与有机物残留，产生的冲洗水中主要含SS和少量COD。
晶圆切割（划片）与清洗废水产生量约12m3/d，废水水质为：CODcr≤100mg/L、BOD5≤50mg/L、SS≤500mg/L。
W9 纯水站反冲废水
项目纯水站采用以RO反渗透为主要工艺的纯水制备工艺，需定期对过滤器、反渗透装置进行反冲，产生的反冲废水主要污染物为SS。
纯水站反冲废水产生量平均约2m3/d，废水水质为：CODcr≤100mg/L、BOD5
≤50mg/L、SS≤1000mg/L。
表3.6-5 一般废水产生情况表
废水量编号 产生位置 废水 （t/d） 污染物 pH 晶圆切割（划片）W8 封装测试生产线 与清洗废水 12 BOD5 SS pH CODcr W9 公辅设施纯水处理站 纯水站反冲废水 2 BOD5 SS ≤50 ≤1000 ≤50 混合后去封装测≤500 试生产线污水处7～9 理系统 ≤100 连续 CODcr 浓度mg/L 7～9 ≤100 连续 污染物产生情况 产生方式 处理设施 35
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pH CODcr 合计 一般废水 混合后一般废水 14 BOD5 SS
7～9 100 连续 50 571.4 线污水处理系统 去封装测试生产2、含氨废水
项目运营期产生的含氨废水主要包括表面清洗工艺含氨废水（W2）、二氧化硅刻蚀（湿法）清洗废水（W3）、酸性废气喷淋吸收塔废水（W10）。
W2 表面清洗工艺含氨废水
项目表面清洗工艺氨水/双氧水槽浸泡后的晶圆片在取出清洗时会附着少量氨水，该部分清洗废水含氨，单独收集进行预处理。
根据项目资料，表面清洗含氨废水产生量约10m3/d，根据项目氨平衡计算，确定表面清洗含氨废水的废水水质为：CODcr≤100mg/L、BOD5≤50mg/L、氨氮≤44.7mg/L、SS≤100mg/L。
W3 二氧化硅刻蚀（湿法）清洗废水
由于项目二氧化硅刻蚀（湿法）工艺使用的刻蚀液缓冲氢氟酸中含36%的NH4F，刻蚀后的晶圆片在取出清洗时会附着少量NH4F，进入工艺清洗废水中，使清洗废水含氨。
根据项目资料，二氧化硅刻蚀（湿法）清洗废水产生量约12m3/d，根据项目氨平衡及氟平衡计算，确定表面清洗含氨废水的废水水质为：CODcr≤100mg/L、BOD5≤50mg/L、氨氮≤38.5mg/L、SS≤100mg/L，F-≤54.0mg/L。
W10 酸性废气喷淋吸收塔废水
表面清洗工艺挥发的氨气和二氧化硅刻蚀（湿法）工艺产生的酸性废气中的NH4F均经酸性废气喷淋吸收塔吸收，使酸性废气喷淋吸收塔吸收液含氨。酸性废气喷淋吸收塔吸收液添加氢氧化钠循环使用，定期排放。
根据项目资料，酸性废气喷淋吸收塔废水（定期排水）产生量约7m3/d，根据项目氨平衡等物料衡算，确定酸性废气喷淋吸收塔废水（定期排水）的废水水质为：CODcr≤100mg/L、BOD5≤50mg/L、氨氮≤29.2mg/L、SS≤200mg/L、F-≤
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