《薄膜材料及其制备技术》试题
——材料科学与工程学院2012级研究生
1， 在T=291K时，水的表面张力系数（或表面能）s=0.073N m-1，
va=18.016醋10-6m3mol-1，如果水滴半径r=10-8m，请计算此时的蒸汽压p'（用
（10分） p表示）以及水滴内外压强差Dp。
2， 设T温度下的过饱和蒸气压为p'，该温度下的饱和蒸气蒸气为p。试证明：过饱和气体发生凝聚时，凝聚体单位体积自由能变化为DGV=-（vα为凝聚体单个原子或分子的体积）。（10分）
kBTln(p'/p) av3， 试从微观键能的观点证明：描述浸润问题的Young方程sLVcosq=sSV-sSL 可以近似写作uLLcos2quLL为单位面积的液相原子之间的键能；=uLS （其中，
2uLS为固-液界面上单位面积的固-液原子之间的键能）。（10分）
4， 请论述真空度对成膜质量的影响。（10分）
5， 衬底温度（即生长温度）是如何影响薄膜生长模式的？（10分）
6， 论述晶格失配（既失配应力）与薄膜生长模式的关系。（10分）
7， 论述衬底表面对形核难易程度：凹面>平面>凸面。即凹面处最容易形核，而凸面处最难形核。（10分）
8， 试解释层状生长（即二维成核）机理与Step-flow生长机理，并进一步论证高温时薄膜倾向于step-flow生长。（10分）
9， 自行查找文献，举例说明一至二种薄膜生长的原位观测或检测手段。（10分）
10， 自行查找文献，阐述一至二种薄膜生长技术及其特点，并举例讲述其具体制备薄膜的实例及成膜质量。（10分）