高频小功率调幅发射机设计
故可选CE=0.01μF。
C5为隔直耦合电容，可按下式选取
C5≥（10~20）/（2πfoscRL）
设RL=1KΩ，则可选C5=0.01μF。
3)回路原件选择。因为fosc=6MHz,故选用6MHz晶体。C3取20PF即可。
C1、C2是回路电容，应取大些以减小回路参数及分布参数的影响。由于反馈系数为 Fu≈-C1/C2
所以C1、C2的比例影响振幅条件及输出大小。C2/C1太小时易饱和，波形变差；太大时可能不起振。通常取C2/C1≈1~10。现取c1=c2=200PF,实验中视需要可作调整。
4）选管。因为管子甲类工作，为保证管子安全工作，应选择
PCM＞ICQUCEQ=3mA×(12v-8.1v)=11.7mW
ICM＞2ICQ=6Ma
U(BR)CEQ＞2VCC=24V
应选择特征频率fT≥（3~10）fosc =(3~10)MHz。根据前面所诉的9013参数可知可选用9013。
综上所诉，可得集体振荡器电路及其电路参数如图k1.6所示。
F uo
晶体振荡电路
5. 缓冲电路的设计
缓冲放大器需将振荡器输出电压放大为0.5~3V的电压，以提高电平调幅电路所需的载波输入信号，所以要有合适且可调的增益。由于信号频率高，故不采用普通运放实现放大，应采用集成宽带放大器或采用三极管分立元件电路。