五、 参数计算及结论：
11
=23.4Hz
2 Rs RiC12 RC1C111
=5.7Hz
2 Ro RLC22 Rc2C2
对于耦合电容C1：理论上fL=
对于耦合电容C2：理论上fL=
对于旁路电容Ce：理论上fL=
1
Rs//Rb rbe
2 Re// 1
Ce
1
=143Hz
2 RCeCe
=〉
（1） 实验值120Hz （2） 实验值为20Hz （3） 实验值为5.7Hz 结论：
（1） 当把三个电容都考虑时，实验得到的下限频率为135Hz，（1）和
（2）所得的结果和其差距都很大，而（3）和其差距不大。
（2） 由仿真结果可以看出，旁路电容Ce对电路的下限频率的影响最大，
增加其值时，电路下限频率会显著下降；耦合电容影响相对较小。在设计电路时，为改善低频特性，应将旁路电容Ce值增大。
（3） 在进行第（5）步仿真时，只改变旁路电容Ce大小既可得实验结
果。