由表1可知宽禁带半导体具有许多优点：1)WBG具有很高的热导率(尤其是SiC与金刚石),使得它们能够迅速转移所产生的热量，广泛用于高温及高功率领域；2)由于WBG的禁带宽度很大，因此相应器件的漏电流极小，一般比Si半导体器件低10～14个数量级，有利于制作CCD器件及高速存储器；3)WBG具有比普通半导体更低的介电常数及更高的电子饱和速率，使之比Si，GaAs更适合于制作毫米波放大器及微波放大器。除此之外，WBG还具有负的电子亲和势及很高的异质结偏置电势，使得它们特别适合于阴极发射的平板显示器。
鉴于近几年SiC与金刚石材料的生长技术及氧化、掺杂、欧姆接触等工艺的成熟，使得SiC与金刚石器件得到了突飞猛进的发展，下面我们将主要评述SiC及金刚石的最新发展。
2 SiC功率器件
近年来SiC功率器件的研究引起了世界科学界的高度重视,尤其是美国、欧洲等发达国家为此投入了大量的资金；同时也涌现出一批新型的SiC功率器件，主要包括LED发光器件、pn结及肖特基整流器件、FET、双极晶体管及晶闸管。
2.1 SiC二极管整流器件
1987年Shiahara等人通过CVD技术研制出第一只6H-SiC二极管,当时的击穿电压在600伏左右。最近L.G.Matus等人又研制出耐压为
［6］1000V的高压pn结二极管,他通过CVD技术在6H-SiC衬底上淀积p型、
n型6H-SiC而制成这种高耐压的台势二极管。使用的工艺主要有：反应离子刻蚀(RIE)、氧化、欧姆接触。该器件的工作温度可达600℃以上，反向漏电流仅为0.4μA(室温），600℃时为5μA。目前SiC p-i-n二极管的反向恢复时间可达100ns以下，仅为Si p-i-n二极管的1/3左右。但由于SiC pn结的自建电势差较大，为了解决这一问题，人们采用肖特