图1 基本的SiC MESFET
由表3可知，由于近年来采用高阻衬底及亚微米栅技术，使得MESFET的工作频率迅速上升。对于具有同一尺寸的4H-MESFET采用导电衬底及高阻衬底可分别获得fmax=25GHz及fmax＝42GHz的高频功率器件。相应的参数为：LG=0.5μm；沟道掺杂为5×1017cm-3；n+掺杂大于1019cm-3。
2.3 其它SiC器件
除了以上所述的SiC器件以外还有一些其它的SiC器件，如晶闸管器件、双极晶体管器件。相对于MOSFET而言，SiC晶闸管更适合于高电流、高电压及高温条件下工作，而且不需要SiC栅氧化等一系列高难度工艺。理论表明，SiC晶闸管可以在超高压(5～10keV)、超高电流范围内应用。目前K.Xie等人研制出来一种高电流晶闸管，电流密度可达5200mA/cm2，关断时间小于100ns，工作温度可在300℃以上。
相对于其它SiC器件而言，SiC双极晶体管的研究比较少一些。SiC双极晶体管的增益比较低，一般为10左右。这主要是由于基区的载流子寿命较短以及扩散系数较低所致，采用异质结(HBT)可适当改善这一问题。目前的SiC HBT的截止频率可达31GHz以上，电流密度可达
230000A/cm,比AlGaAs/GaAs器件的电流能力大2倍以上；即使在450℃
时其功率增益仍可达常温时的50％，而AlGaAs/GaAs在此温度下早已失效。
3 金刚石功率器件
金刚石作为一种半导体材料，除了具有最高的硬度以外，它还具有大的禁带宽度、高的击穿电场、低的介电常数以及最高的热导率，其性能远远超过Si及其它宽禁带半导体材料，因此有人预言金刚石半导体器件将成为二十一世纪电子器件的主流。预计到2000年，金刚石的市场贸