对原有题做了相关的答案解析
6. 双端口存储器所以能高速进行读写，是因为采用______。
A．高速芯片 B．两套相互独立的读写电路 C．流水技术 D．新型器件
7. 一个256KB的DRAM芯片，其地址线和数据线总和为
2^18*8 即为18+8
A．16 B．18 C．26 D．30
8. EPROM是指______。
A. 读写存储器 B. 只读存储器
C. 可编程的只读存储器 D. 光擦除可编程的只读存储器
9. 在主存和CPU之间增加cache存储器的目的是______。
A. 增加内存容量 B. 提高内存可靠性
C. 解决CPU和主存之间的速度匹配问题 D. 增加内存容量，同时加快存取速度
10. 某单片机的系统程序，不允许用户在执行时改变，则可以选用______作为存储芯片。
A. SRAM B. 闪速存储器 C. cache D.辅助存储器
11.下列各类存储器中，不采用随机存取方式的是（）。（不确定）
A. EPROM B. CD-ROM C. DRAM D. SRAM
12.主存储器速度的表示中，存取时间（Ta）和存取周期（Tc）的关系表述正确的是（）。
A. Ta > Tc B. Ta<Tc C. Ta = Tc
D. Ta > Tc或者Ta < Tc ，根据不同存取方式和存取对象而定
13.若某存储器存储周期为250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传输率是（）。 16位=2B 数据传输率=2B/250ns
A. 4*106B/s B. 4MB/s C. 8*106B/s D. 8MB/s
14.某一SRAM芯片，其容量为1024*8位，除电源和接地线外，该芯片的引脚的最小数目为（）。
2^10*8 10+8+片选线+读写信号=20
A. 21 B. 22 C. 23 D. 24
15.DRAM的刷新是以（ ）为单位的。
A. 存储单元 B.行 C.列 D.存储字
16.下列有关RAM和ROM的叙述中，正确的是（）。
Ⅰ.RAM是易失性存储器，ROM是非易失型存储器
Ⅱ.RAM和ROM都是采用随机存取的方式进行信息访问
Ⅲ.RAM和ROM都可用做Cache
Ⅳ.RAM和ROM都需要刷新
A. 仅Ⅰ和Ⅱ B. 仅Ⅱ和Ⅲ
C. 仅Ⅰ和Ⅱ和Ⅲ D.仅Ⅱ和Ⅲ和Ⅳ
17.在存储器芯片中，地址译码采用双译码方式是为了（）。
A. 扩大寻址范围 B. 减少存储单元数目
C. 增加存储单元数目 D. 减少存储单元选通线数目
18.下列关于闪存（Flash Memory）的叙述中，错误的是（ ）。不确定
A. 信息可读可写，并且读、写速度一样
B.存储元由MOS管组成，是一种半导体存储器
C.掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器
D.采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器
19.某计算机存储器按字节编址，主存地址空间大小为64MB，现用4M*8位的RAM芯片组成32MB的主存储器，则存储器地址寄存器MAR的位数至少是（）。