图6-1-5 常用电容器的外形结构
2．电容器的标志方法
⑴文字符号直标法：标称容量单位为Pf、nF、μF、F。
⑵代码标志法：
对于体积较小的电容器常用三位数字来表示其标称容量值，前两位是标称容量的有效数字，第三位
是乘数，表示乘以10的几次方，容量 单位是pF。 例：“222”表示 2200pF； “103”表示 104pF。
⑶极性
电容器中许多类型的电容器是有极性的，诸如电解电容、油浸电容、钽电容等，一般极性符号（“+”或“-”）都直接标在相应端脚位 至置上，有时也用箭头来指明相应端脚。在使用电容器时，要注意不能将
极性接反，否则电容器的各种性能都会有所降低。
3．电容的检测
电容器的质量好坏主要表现在电容量和漏电阻。电容量可用电阻电容测量仪、交流阻抗电桥或万用电桥测量；漏电阻也可用绝缘电阻测定仪、兆欧表等专用仪器测定。现在主要介绍用万用表对电容器进行定
性质量检测的方法。
电容器的异常主要表现为失效、短路、断路、漏电等几种，下面具体介绍几种检测方法。
⑴漏电电阻的检测
①固定电容器（非电解电容器）漏电电阻的检测。根据电容器的充放电原理，可用万用表Ｒ×１Ｋ或Ｒ×１０Ｋ挡（视电容器的容量而 定）测量。测量时，将两表棒分别接触电容器（容量大于0．01微法）的两引线，如图6-１－６所示。此时，表针会迅速地顺时针方向跳动或 偏转，然后再按逆时针方向逐渐退回“∞”处。如果回不到“∞”，则表针稳定后所指的读数就是该电容器的漏电电阻值。一般，电容器的 漏
电电阻很大，约几百到几千兆欧。漏电电阻越大，则电容器的绝缘性能越好。若阻值比上述数据小得多，则说明电容器严重漏电，不能使 用；若表针稳定后靠近“O”处，说明电容器内部短路；若表针毫无反应，
始终停在“∞”处，说明电容器内部开路。
图6-1－6电容器漏电电阻的检测
②电解电容器漏电电阻的检测。 用万用表Ｒ×100或Ｒ×1Ｋ挡检测电解电容器的漏电电阻时，正常
情况下，其阻值应大于几百千欧。
当检测大容量的电解电容器（容量为几百至几千微法）时，由于万用表内电池通过欧姆挡内阻向电容器充电的时间较长，表针顺时针方 向偏转幅度很大，甚至会冲过“０”而不动，而且需要经过几十秒到几分钟，才能缓慢回到稳走的漏电电阻值处，所以为加快检测速度，尽 快读取漏电电阻值，可采用如下快速检测法：当表针顺时针偏转到最大值时，迅速将切换开关从Ｒ×１Ｋ挡拨到Ｒ×１０挡。由于Ｒ×１０ 挡的内阻值较小，因而向电容器充电的电流较大。当电容器充电结束后，表针便会很快回到“∞”处，然后再将切换开关拨回Ｒ×１Ｋ挡， 表针会顺时针方向偏转至一个稳定的指示值，该值即为电解电容器的漏电
电阻。
⑵电解电容器正、负极的判别
电解电容器可用下述方法判别其正、负极。
①外观判别。例如ＣＤ11型电解电容器，可根据其引线的长短来加以区别，长引线为正极，短引
线为负极。对于铝壳电解电容器（Ｃ ＤＸ型），中心引出端为正极，与铝壳连通处为负极。 ②用万用表判别。电解电容器具有正向漏电电阻大于反向漏电电阻的特点。利用此特点可以判别电解电容器正、负极。具体方法是： 将万用表拨至Ｒ×１Ｋ或Ｒ×１０Ｋ挡，交换黑、红表棒测量电解电容器2 次，观察其漏电电阻的大小，并以漏电电阻大的一次为准，黑表 棒所接的就是电解电容器正极，
红表棒所接的为负极。
测试时应注意，测试前应将电解电容器两引线先短接一下放电，以避免电容器贮存的电能对万用表放电，而毁坏仪表。测量容量较大 的电解电容时，在第2次测量时也应先短接两引线进行放电，以便释放上次测量中累积的充电电荷。如仍有轻微的指针打表现象，属于正常现 象，若2次测量得到的正、
反向漏电电阻相差无几，则说明电解电容器正向漏电严重，已不能使用。
6．2．1国产半导体分立器件型号命名方法（表6-2-1）
表6-2-1 国产半导体分立器件型号命名方法
6．2．2晶体二极管 晶体二极管又称半导体二极管。
1.晶体二极管的分类
按材料分为：硅管（正向导通压降约为0.7V）；锗管（正向导通压降约为0.2V）。
按结构分为：点接触型、面接触型。
按用途分为：检波管、整流管、稳压管、开关管、光电管、发光管。
2.晶体二极管的简易测试及管脚判别 (1)用指针式万用表的Ω档测量
万用表（R×1K档）的黑（一端或*端）表笔接二极管的一极，红（+端）表笔接另一极，然后将表笔对调再测一次。在测得阻值小的情 况下，可判断黑表笔（表内电池的正极）所接的是二极管的阳极，红表笔所接的是阴极，如图6-2-1所示。一般要求正向电阻越小越好，反 向电阻越大越好。若正、反向电阻都很小，说明二极管已失去单向导电作用；若正、反向电阻到很大，说明二极管以断路，无法再
用。
(a)二极管反向电阻测量 (b) 二极管反向电阻测量
图6-2-1 用指针示式万用表测量二极管
(2)用数字万用表的 档测
将万用表的红（V、Ω）表笔接二极管的一极，黑（COM）表笔接另一极。在测得正向压降值小的情况下，红表笔（表内电池的正极） 所接的是阳极，黑表笔所接是阴极。一般所显示的二极管正向压降；硅二极管为0.55~0.70V，锗二极管为0.15~0.30V。若显示“0000”。 说明管子已短路；若显示“过
载”，说明二极管内部开路或处于反向状态（可对调表笔再测）。
6．2．3发光二极管（LED）
图6-2-2 发光二极管的图形符号及外型图 （a）图形符号 （b）外型图
发光二极管的伏安特性与普通二极管类似，但它的正向压降和正向电阻要大一些，同时在正向电流达到一定值时能发出某种颜色的光。发光二极管发光颜色与在PN结中所掺加的材料有关，其发光亮度与所
通正向电流大小有关。
使用发光二极管时注意：若用直流电源电压驱动时，在电路中要串接限流电阻，以防通过LED的电流过大而烧毁管子；若用交流信号驱动时，可在两端反极性并联整流二极管，以防止LED被反向击穿；若用逻辑芯片输出的TTL电平驱动，则可直接连接。发光二极管在电路中的图形和外形结构如图6-2-2所示。
管脚及其好坏的判别与普通二极管相同。
6．2．4晶体三极管（半导体三极管） 1.三极管的外型结构见图6-2-3。
图6-2-3 三极管的外型结构 2.从外型结构判断三极管的管脚如图6-2-4所示。
3.简易测试方法及管脚判别 用指针式万用表的Ω档进行测量： （1）估测穿透电流ICEO
用万用表的R×100档。如果测PNP型管，按图6-2-5进行连接;如果测NPN型管，红、黑表笔对调。一般测得阻值在几十至几百千欧以上 较正常；若阻值较小，表明ICEO大，稳定性差；若阻值接
近零，表明晶体管已经击穿；若阻值无穷大，表明晶体管内部断路。
图6-2-4 从外型结构判断三极管的管脚
（2）估测电流放大系数β
图6-2-5 用指针式万用表测三极管参数 （a）测穿透电流ICE0 （b）β值测量
用万用表的R×1k（或者R×100）档。如果测PNP型管，按图6-2-5 所示的电路连接。如果测NPN型管，红、黑笔对调。对比开关S在 接通和断开时测得的电阻值，两个读数相差越大，表明晶体管的β值越高。图中的100kΩ的电阻和开关S，可以用潮湿的手指捏住电极和 基极代替。注意不要
让极电极和基极碰在一起，以免损坏晶体管。
（3）判别晶体管管脚
判断PNP型和MPN型晶体管：用万用表的R×1k(或者R×100)档。用黑表笔接晶体管的某一个管脚，用红表笔分别接其它两脚。如果表 针指示的两个阻值都很大，那么黑表笔接晶体管的某一个管脚，用红表笔接其它两脚。如果表针指示的两个阻值都很大，那么黑表笔所 接的那一个管脚是PNP型的基极，如果表针指示的两个阻值都很小，那么黑表笔所接的那个一个管脚是NPN型的基极；如果表针指示的阻 值一个很大，一个很小，那么黑表笔所接的那一个管脚不是基极。这就要另换一个管脚来
试。以上方法，不但可以判断基极，而且可以 判断是PNP型还是NPN型晶体管。
判断基极后就可以进一步判断集电极和发射极。先假定一个管脚是集电极，另一个管脚是发射极，按照附图6-2-5的方法估测β值。然 后反过来，把原先假定的管脚对调一下，再估测β值，其中，β
值大的那次的假定是对的。这样就把集电极个发射极也判断出来了。
（4）判断硅管和锗管
用万用表R×1K档，测量三极管两个PN结的正向和反向电阻，就可以判断是硅管或是锗管。硅管PN结的正向电阻大约为3~10KΩ，反向 电阻大于500KΩ；锗管PN结的正向电阻大约500~2000Ω，反向电阻大于100KΩ。使用的万用表不同，测得的数值也不同。可以测量一下 已知的硅管，用
来作为比较的标准。
6．3．1半导体集成电路型号命名法（国家标准GB3430-82）
半导体集成电路的型号由5部分组成，各部分的符号及意义如表6-3-1所示。
6．3．2集成电路芯片管脚识别
1.双列直插式芯片