Working Resist。反之，能产生感光分解反应，板面的阻剂图案与底片完全相同者，则称为 Positive Acting Resis
。电路板因解像度(Resolution，大陆用语为“分辨率”)的要求不高，通常采用“负性作用”的阻剂即可，且也较便宜。至于半导体IC、混成电路(Hybrid)、液晶线路(LCD)等则采解像度较好的“正型”阻剂，相对的其价格也非常贵。
32、Mercury Vaper Lamp 汞气灯（光化学、干膜、曝光及显影）
是一种不连续光谱的光源，其主要的四五个强峰位置,是集中在波长 365～560nm
之间。其当光源强度之展现与能量的施加,在时间上会稍有落后。且光源熄灭后若需再开启时，还需要经过一段冷却的时间。因而这种光源一旦启动后就要连续使用，不宜开开关关。在不用时可采“光栅”的方式做为阻断控制，避免开关次数太多而损及光源的寿命。
33、Newton Ring 牛顿环（光化学、干膜、曝光及显影）
当光线通过不同密度的介质，而其间的间隔(Gap，例如空气)又极薄时，则入射光会与此极薄的空气间隙发生作用，而出现五彩状同心圆的环状现象，因为是牛顿所发现的故称为“牛顿环”。干膜之曝光因系在“不完全平行”或散射光源下进行的，为减少母片与子片间因光线斜射而造成失真或不忠实现象，故必须将二者之间的间距尽可能予以缩小，即在抽真空下密接(Close
Contact)，使完成药面接药面(Imulsion Side to Imulsion
Side)之紧贴，以达到最好的影像转移。凡当二者之间尚有残存空气时，即表示抽真空程度不足。此种未密接之影像，必定会发生曝光不良而引起的解像劣化，甚至无法解像的情形。而此残存空气所显示的牛顿环，若用手指去压挤时还会出现移动现象，成为一种真空程度是否良好的指标。为了更方便检查牛顿环是否仍能移动之情形，最好在曝光台面上方装设一支黄色的灯光，以便于随时检查是否仍有牛顿环的存在。上法可让传统非平行光型的曝光机，也能展现出最良好曝光的能力。
34、Oligomer 寡聚物（光化学、干膜、曝光及显影）
原来意思是指介于已完成聚合的高分子，与原单体之间的“半成品”，电路板所用的干膜中即充满了这种寡聚物。底片“明区”部份所“占领”的干膜，一经曝光后即展开聚合硬化，而耐得住碳酸钠溶液(1%)的显像冲刷，至于未感光的寡聚物则会被冲掉，而出现选择性“
阻剂 ”图案，以便能再继续进行蚀刻或电镀。
35、Optical Density 光密度 （光化学、干膜、曝光及显影）
在电路板制程中，是指棕色底片上“暗区”之阻光程度，或“明区”的透光 程度而言，一般以D示之。另外相对于此词的是透光度(Transmittance，T)。 此二种与“光”有关的性质，可用入射光(Incident Light，Ii)及透出光(Transmitted light I)
两参数表达如下，即：
T=I／Ii--------------------(1) D=－log T------------------(2) 将(1)式代入(2)中可得：
D=－log (I／Ii )-----------(3)
现将“光密度”(D)，与“透光度”(T)，及棕色底片“品质”三者之关系，列表整理于下：
(上表中 Dmim表示棕片明区的光密度；Dmax表示暗区的光密度) 生产线上所使用的棕色片
(Diazo)，需定时以“光密度检测仪”(见附图)去进行检查。一旦发现品质不良时，应即行更换棕片，以保证曝光应有的水准。此点对于防焊干膜的解像精度尤其重要。
光密度 D T%透光度 棕片品质 -------- ---------- --------- 0.00 100.0 棕色片明区 0.10 79.4 的光密度 Dmim 0.15 70.8 应低于 0.15 1.00 10.0 2.00 1.0 3.00 0.1 3.50 0.03
4.00 0.01 棕色片暗区
4.50 0.0065 的光密度 Dmax 5.00 0.001 应高于 3.50
36、Oxygen Inhibitor氧气抑制现象（光化学、干膜、曝光及显影）
曝光时干膜会吸取紫外线中能量，引起本身配方中敏化剂(Sensitizer)的分裂，而成为活性极高的“自由基”(Free
Radicals)。此等自由基将再促使与其他单体、不含饱和树脂、及已部份架桥的树脂等进行全面的“聚合反应”。此反应须而无氧在状态下才能进行，一旦接触氧气后其聚合反应将受到抑制或干扰而无法完成，这种氧气所扮演的角色，即称为“Oxygen Inhibitor”。这就是为什幺当板子在进行其干膜曝光，以及曝光后的停置时间(Holding
Time)内，都不能撕掉表面透明护膜(Mylar)的原因了。然而在实施干膜之“正片式盖孔法”(Tening)时，其镀通孔中当然也存在有氧气，为了减少上述Indibitor现象对该孔区干膜背面(与通孔中空气之接触面)的影响起见，可采用下述补救办法：1.在强曝光之光源强度下，使瞬间产生更多的自由基，以消耗吸收掉镀孔中有限的氧气。且形成一层阻碍，以防氧气自背面的继续渗入。2.增加盖孔干膜的厚度，使孔口“蒙皮”软膜的正面部份，仍
可在Mylar保护下继续执行无氧之聚合反应。即使背面较为软弱，在正面已充份聚合而达到厚度下，仍耐得住短时间的酸性喷蚀，而完成正片法的外层板(见附图)。不过盖孔法对“无孔环”(Landless)的高密度电路板，则只好“无法度”了。这种先进高品级(High Eng)电路板，似乎仅剩“塞孔法”一途可行了。
37、Photofugitive感光褪色（光化学、干膜、曝光及显影）
软膜阻剂的色料中，有一种特殊的添加物，会使已感光部份的颜色变浅，以便与未感光部份的原色有所区别，使在生产线上容易分辨是否已做过曝光，而不致弄错再多曝光一次。与此词对应的另有感光后颜色加深者，称者“Phototropic”。
38、Photoinitiator感光启始剂（光化学、干膜、曝光及显影）
又称为敏化剂Sensitizer，如昆类(Quinones)等染料，是干膜接受感光能量后首先展开行动者。当此剂接受到UV的刺激后，即迅速分解成为自由基(Radicals)，进而激发各式连锁聚合反应，是干膜配方中之重要成份。
39、Photoresist Chemical Machinning(Milling)光阻式化学(铣刻)加工（光化学、干膜、曝光及显影）
用感光成像的方式，在薄片金属上形成选择性的两面感光阻剂，再进行双面铣刻(镂空式的蚀刻)以完成所需精细复杂的花样，如积体电路之脚架、果菜机的主体滤心滤网等，皆可采PCM方式制作。
40、Photoresist光阻（光化学、干膜、曝光及显影）
是指在电路板铜面上所附着感光成像的阻剂图案，使能进一步执行选择性的蚀刻或电镀之工作。常用者有干膜光阻及液态光阻。除电路板外，其他如微电子工业或PCM等也都需用到光阻剂。
41、Point Source Light点状光源（光化学、干膜、曝光及显影）
当光源远比被照体要小，而且小到极小；或光源与被照体相距极远，则从光源到被照体表面上任何一点，其各光线之间几乎成为平行时，则该光源称为“点状光源“
42、Positive Acting Resist正性型光阻剂（光化学、干膜、曝光及显影）
有指有光阻的板面，在底片明区涵盖下的阻层，受到紫外光能的刺激而发生“分解反应”，并经显像液之冲刷而被“除去”，只在板上刻意留下“未感光”未分解之部份阻剂。
这种因感光而分解的阻剂称为“正性光阻剂”，亦称为Positive Working
Resist。通常这种“正性光阻”的原料要比负性光阻原料贵的很多，因其解像力很好，故一般多用于半导体方面的“晶圆”制造。最近由于电路板外层的细线路形成，逐渐有采取“正片法”的直接蚀刻(Print and
Etch)流程，以节省工序及减少锡铅的污染。因而干膜盖孔及油墨塞孔皆被试用过，前者对“无环”(Landless)或孔环太窄的板类，将受到限制而良品率降低，后者油墨不但手续麻烦，且失败率也很高。因而“正性的电着光阻”(Positive
ED)，就将应运而生。目前此法已在日本NEC公司上线量产，因可在孔壁上形成保护膜，故能直接进行线路蚀刻，是极为先进的做法。
43、Primary Image线路成像（光化学、干膜、曝光及显影）
此术语原用于网版印刷制程中，现亦用于干膜制程上，是指内外层板之线路图形，由底片上经由干膜而转移于板子铜面上，这种专做线路转移的工作，则称为“初级成像”或“主成像”，以示与防焊干膜的区别。
44、Radiometer辐射计，光度计（光化学、干膜、曝光及显影）
是一种可检测板面上所受照的UV光或射线(Radiation)能量强度的仪器，可测知每平方公分面积中所得到光能量的焦耳数。此仪并可在高温输送带上使用，对电路板之UV曝光机及UV硬化机都可加以检测，以保证作业之品质。
45、Refraction折射（光化学、干膜、曝光及显影）
光线在不同密度的介质
(Media)中，其行进速度会不一样，因而在不同介质的交界面处，其行进方向将会改变，也就是发生了“折射”。电路板之影像转移工程不管是采网印法、感光成像的干膜法，或槽液式ED法等，其各种透明载片、感光乳胶层、网布、版膜 (Stencil)等皆以不同的厚度配合成为转移工具，故所得成像与真正设计者多少会有些差异，原因之一就是来自光线的折射。
46、Refractive Index折射率（光化学、干膜、曝光及显影）
光在真空中进行速度，除以光在某一介质中的速度，其所得之比值即为该介质的“折射率”。不过此数值会因入射光的波长、环境温度而有所不同。最常用的光源是以 20℃时“钠灯”中之D线做为标准入射光，表示方法是 20/D。
47、Resist阻剂，阻膜（光化学、干膜、曝光及显影）
指欲进行板面湿制程之选择性局部蚀铜或电镀处理前，应在铜面上先做局部遮
盖之正片阻剂或负片阻剂，如网印油墨、干膜或电着光阻等，统称为阻剂。
48、Resolution解像，解像度，解析度（光化学、干膜、曝光及显影）
指各种感光膜或网版印刷术，在采用具有2 mil“线对”(Line-Pair)的特殊底片，及在有效光曝光与正确显像
(Developing) 后，于其1
mm的长度中所能清楚呈现最多的“线对”数，谓之“解像”或“解像力”。此处所谓“线对”是指“一条线宽配合一个间距”，简单的说 Resolution 就是指影像转移后，在新翻制的子片上，其每公厘间所能得到良好的“线对数” (line-pairs/mm)
。大陆业界对此之译语为“分辨率”，一般俗称的“解像”均很少涉及定义，只是一种比较性的说法而已。
49、Resolving Power解析力，解像力(分辨力) （光化学、干膜、曝光及显影）
指感光底片在其每mm之间，所能得到等宽等距(2 mil)解像良好的“线对”数目。通常卤化银的黑白底片，在良好平行光及精确的母片下，约有
300 line-pair/mm 的解析力，而分子级偶氮棕片的解像力，则数倍于此。
50、Reverse Image负片气像(阻剂) （光化学、干膜、曝光及显影）
指外层板面镀二次铜(线路铜前，于铜面上所施加的负片干膜阻剂图像，或(网印)负片油墨阻剂图像而言。使在阻剂以外，刻意空出的正片线路区域中，可进行镀铜及镀锡铅的操作。
51、Scum透明残膜（光化学、干膜、曝光及显影）
是指干膜在显像后，其未感光硬化之区域应该被彻底冲洗干净，而露出清洁的铜面以便进行蚀刻或电镀。若仍然残留有少许呈透明状的干膜残屑时，即称之为Scum。此种缺点对蚀刻制程会造成各式的残铜，对电镀也将造成局部针孔、凹陷或附着力不良等缺陷。检查法可用
5％ 的氯化铜液(加入少许盐酸)当成试剂，将干膜显像后的板子浸于其中，在一分钟之内即可检测出 Scum
的存在与否。因清洁的铜面会立即反应而变成暗灰色。但留有透明残膜处，则将仍然呈现鲜红的铜色。
52、Side Wall侧壁（光化学、干膜、曝光及显影）
在PCB工业中有两种含意，其一是指显像后的干膜侧面，从微观上所看到是否直立的情形；其二是指蚀刻后线路两侧面的直立状态，或所发生的侧蚀情形如何，皆可由电子显微镜或微切片上得以清楚观察。