53、Soft Contact轻触(光化学、干膜、曝光及显影)
光阻膜于曝光时,须将底片紧密压贴在干膜或已硬化之湿膜表面,称为 Hard Contact。若改采平行光曝光设备时则可不必紧压,称为 Soft Contact。此“轻触” 有别于高度平行光自动连线之非接触(Off Contact)式驾空曝光。
54、Static Eliminator静电消除器(光化学、干膜、曝光及显影)
电路板系以有机树脂为基材。常在制程中的某些磨刷工作时会产生静电。故在清洗后,还须进行除静电的工作,才不致吸附灰尘及杂物。一般生产线上均应设置有各种除静电装置。
55、Step Tablet阶段式(光密度)曝光表(光化学、干膜、曝光及显影)
是一种窄长条型的软性底片,按光密度(即遮光性)的不同,由浅到深做成阶段式曝光试验用的底片,每一“段格”中可透过不同的光量,然后,将之压覆在干膜上,只需经一次曝光即可让板边狭长形各段格的干膜,得到不同程度的感光聚合反应,找出曝光与后续显像(Developing)的各种对应条件。是干膜制程的现场管理工具,又称为
Step Scale、 Step Wedge 等。常用者有 Riston 17、Stouffer 21、 Riston 25、等各种“阶段表”。
56、Tenting盖孔法(光化学、干膜、曝光及显影)
是指利用干膜在外层板上做为抗蚀铜阻剂,进行正片法流程,将可省去二次铜及镀锡铅的麻烦。此种连通孔也遮盖的干膜施工法,称为盖孔法。这种盖孔干膜如同大鼓之上下两片蒙皮一般,除可保护孔壁不致受药水攻击外,并也能护住上下两板面待形成的孔环(Annular
Ring)。本法是一种简化实用的正片法,但对无环(Landless)有孔壁的板子则力所不及也。原文选词起初并未想到鼓的“蒙皮”,而只想到“帐棚”,故知原文本已不够传神,而部份外行人竟按其发音译为“天顶法”实在匪夷所思不知所云。大陆业界之译名是“掩蔽法”及“孔掩蔽法”。
57、Transmittance透光率(光化学、干膜、曝光及显影)
当入射光(Incident Light)到达物体表面后,将出现反射与透射两种因应,其透光量与入射光量之比值称为“透光率”。
58、Wet Lamination湿压膜法(光化学、干膜、曝光及显影)
是在内层板进行干膜压合的操作中,也同时在铜面上施加一层薄薄的水膜,让
“感光膜”吸水后产生更好的“流动性”(Flow)。对铜面上的各种凹陷,发挥更深入的填平能力,使感光阻剂具有更好的吻合性(Conformity),提升对细线路蚀刻的品质。而所出现多余的水膜在热滚轮挤压的瞬间,也迅速被挤走。此种对无通孔全平铜面的新式加水压膜法,称为
Wet Lamination。PCM Photoresisted Chemical Machining; 光阻式化学加工(亦做Photoresist Chemical
Milling光阻式化学铣镂)是在金属薄片(如不锈钢)两面施加光阻,再进行局部性精密蚀透镂空之技术。
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