1992年末又与美日等先进国家同期开发出64M DRAM，并拥有了世界上第一块64M DRAM芯片，完成了在DRAM领域上的追赶，到1995年领先美日开发出了256M DRAM，从而实现了技术的飞速跨越。
不过，作为韩国尖端技术先导产业的半导体产业，除芯片加工制造及组装技术外，韩国这一产业的整体水平仍处于初级阶段。例如ASIC3技术在发达国家已处于成熟阶段，而韩国仍处于初级阶段。不过韩国在半导体产业仍占据很大优势，因为集成电路的加工制造及组装属于劳动密集型领域，韩国比起发达国家在劳动力成本等方面更有优势，具备了一定的国际竞争力。
从整体发展局势上看，1986年至1989年韩国经历了半导体产业高速发展的黄金时期。1989年之后受世界半导体行业不景气的影响，韩国半导体产业大受挫折。但从1993年起，韩国电子产业转入生产与个人电脑相关的产品，同时受日元升值及产业复苏的影响，到1995年韩国整个电子产业的发展达到巅峰，半导体总产值达到16215亿美元，占全球半导体产品产值的10.17％，产业的出口值创下历史新高。．
之后，1998年亚洲金融风暴爆发，各国都积极重整企业以振兴经济。三星集团也采取了“集中”策略，电子部门便是该策略中的重要一环。这种集中资源、积极推进的策略效果非常明显：三星在1999年之后一跃成为韩国第一大集团，其存储器产品、薄膜晶体液晶显示器(TFT-LCD)及无线通讯产品销售额大幅增长，韩国的DRAM市场占有率开始超过日本，并成为存储器市场的领导者。
截止目前，半导体产业已成为韩国的支柱产业之一，韩国也已成为继美国、 日本之后的世界半导体第三大强国。
三、韩国集成电路制造业的创新模式
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Application Specific Integmted Circuit，专用集成电路。其特点足面向特定用户，它与通用集成电路相比，具自．体积更小、功耗更低、可靠性更好、性能更高、成本史低等优点。
1、整体创新模式
集成电路产业是信息产业生态链中投入大、利润高的产业，也是战略性和市场性同时兼备的产业。韩国集成电路产业从一开始便选择了通用性强的动态随机存储器(DRAM)作为产业发展重点，其发展轨迹是按照行业“lK-4K-16K-64K-256K-lM-4M-16M-64M-256M-1G”的发展顺序实现步步赶超的。
韩国半导体产业是通过加强自主创新实现由技术追赶的典型例子。韩国发展尖端产业的战略一直采取“模仿学习型”的技术发展模式，但并不是单纯的技术模仿，而是将重点放在模仿后的学习，通过模仿积累经验，进而实现自主创新。在八十年代后，韩国芯片制造业的创新模式符合技术追赶理论中的第二种A '-B'-C'-D'-E'，比较严格地遵循了技术创新过程中的每一个路径，需要大量的资金与技术投入，单靠企业的投入是无法实现的，政府自始至终都在基础环节中扮演了极其重要的角色。
韩国半导体产业从代工生产(1965年)起步，以引进和购买相关技术为主实现技术积累后，20世纪80年代中期和90年代初期转向自主开发，政府开始制定了“超大规模集成电路共同开发计划”，以政府所属的国家电子研究所为主，三星、现代、LG等大企业参加组成半导体研究开发组合，集中人才、资金，进行从1M到64M的DRAM核心基础技术开发，各大企业则在该技术基础上继续大规模投资，开发生产技术和工艺技术。政府承担了大部分新技术开发风险，并在技术力量上成为开发的核心。作为补偿，企业在使用这些基础技术时，需按其销售额交纳技术适用费，其中一半归政府，一般归韩国电子研究所，而参与基础技术开发的企业则可少缴或不交技术使用费，其它企业则无此优待。借此，终于在1992年末与美日同期开发64M DRAM。在从1M到64M的DRAM核心基础技术开发过程中．韩国政府承担了大部分研发投资。1M到16M的DRAM开发共投资879亿韩元，政府投入500亿韩元：16M和64MD-Z-RAM研发投资900亿韩元。政府投入750亿韩元。1994年自主开发出256M存储器后，韩国半导体进入以自主技术创新为主的技术跨越,成为世界半导体存储技术的领先者。为持续保持并强化竞争优势，韩国政府通过了《新一代半导体基础技术开发项目》，并于1996年成功开发1G DRAM。2001年4月又最早开发出4G DRAM，成为在内存方面世界上技术最强的国家。数据显示：从1989--2003年．韩国在美国申请存储器领域专利年
平均增长105.8％，而韩国在美国的全体专利申请年平均增长率是52.5％，两者相差竞有53个百分点。正是这种持之以恒的自主创新努力，韩国才实现了由技术追赶到跨越。
2、代表企业
三星集团是韩国最大的企业，而三星电子又是三星集团的核心部分，同时也是韩国最大的电子企业。1974年，创始人李秉哲买下了归侨姜基东博士创立的韩国第一家半导体企业，这可以说是韩国民营企业参与半导体的奠基之举。最初三星只是小规模地生产晶体管和集成电路，并于1982年建立了半导体研发实验室，致力于MOS的研制。
但真正开始大规模集成电路生产则是从1983年开始的，这一年四大财阀都开始关注这一行业，因为这一年股市行情颇佳，它们获取了大量资金。同时，美国经济的不景气，让韩国企业可以更加容易地选择与美国小型半导体公司合作，这些小公司大多很不景气，十分愿意出售其集成电路技术，而这些技术正是韩国 人所需要的。
1983年2月，李秉哲发表了一项十分著名的声明，他表示要将三星打造成全球内存芯片的大企业。他将当时仍很弱小的三星的前途押在了半导体上。70年代，三星最初也试图采取技术引进，为此向美国德州仪器、摩托罗拉、日本电器、东芝、日立公司先后寻求购买64K DRAM的技术许可证，但都遭拒绝。三星不得不于1982年自己建立研发小组，以其8年的晶体管和集成电路生产经验为基础，谋求向超大规模集成电路迈进。这较之以前的操作需要技术上的重大飞跃，即从5 pm到2．5 u m，从3英寸到5英寸芯片，以及从1K/16K大规模集成电路向64K超大规模集成电路，这是典型的在初始发展阶段上的跨越追赶方式，在产品的发展初期收效往往最为明显。在研发过程中，三星时刻关注美国企业的并购情况，紧接着成功从美国Micron Technology公司购得64K DRAM芯片设计技术许可，从而大大缩短了学习和生产的时间。
三星在这一时期的技术吸收过程是由易到难，是典型的“步步为营\，从组装工艺到工艺开发，然后到芯片制造和检测。首先，三星从Micron Technology公司进口64K DRAM芯片，在韩国国内组装。因为已具备8年制造大规模集成电路的经验，三星在消化组装技术方面较为容易，并且基本达到了当时日本的水平。
在此基础上，三星进一步开始消化吸收设计和工艺水平。
三星开始建立了两个研发小组，让其合作进行64K DRAM的消化吸收及产品化。三星还从美国大学聘请了5名韩裔美国科学家，这些科学家都有从事半导体设计的经验。除此之外，还有其它500名美国工程师，这给三星在揭开超大规模集成电路技术提供了十分关键的帮助。三星还在韩国本土组织了一个特别工作小组，由2名已有64K DRAM技术开发经验的韩裔美国科学家等主持。三星给工作小组提出了在6个月内开发出可行64K DRAM生产系统的目标。最终，小组团队成功开发出8项核心技术之外的生产64K DRAM所需的309项工艺，并在1984年上半年把64K DRAM推向了市场。这仅比美国的首创产品晚了约40个月，比日本的第一代商业化产品也只晚了18个月。韩国成为了世界上第三个引入DRAM芯片的国家，这大大缩短了与美日的差距。这时虽未赶上，但已明显处于追赶中的加速过程，表现为已能够跟随主流产品及缩小产品水平差距。
1984年，大批量生产64K DRAM成功后，三星公司又成立了第二支研发团 队，一支在国内工作，一直赴硅谷进行256K DRAM的开发。为缩短与美日在 256K DRAM的商品化方面的差距，三星国内团队再一次决定从Micron Technology公司引进电路设计技术。对于更为艰难的256K DRAM的开发，团队遇到不少困难，尤其是几项关键技术，如2um电路工艺开发，1．1 um金属行距等，公司为此采取了危机管理模式，终于又在1984年10月成功开发出了可行的芯片模具。这一回，三星在256KDRAM的研发追赶时间从64K DRAM的4年缩短到了2年。三星的256K DRAM于1986年实现大批量生产。经过自主开发，三星在追赶美日的进程上又成功地缩短了2年。
随着256K DRAM的大批量生产系统成功的开发，三星研发团队从1985年9月开始，将重点集中到了1M DRAM的开发上。这一次值得注意的是，三星已可以从美国企业购买1M DRAM的设计技术，但三星还是决定自己开发，这一次三星又将任务分配给了国内和硅谷的两支研发团队。三星决定自己研发有其外部原因，256K DRAM能够从美日获得许多前期经验，但1M DRAM却很难获得有关技术规范方面的知识、样品等，因为美日公司已经抢先制定了防止模仿性分解研究的规定。但三星还是运用了其危机管理模式，克服了诸多困难，1986年6月制造出了可行的模具，把与日本领先公司的差距从研制256KDRAM的2年缩短到了1M DRAM
的1年时间，在硅谷的工作小组也在3个月后成功研发除了1MDRAM，这表明研发能力已转到了韩国国内。当在面对下一步4M DRAM的开发时，三星遇到了不少困难。1986年德州仪器向三星及八家日本芯片制造商提起了诉讼，指控其侵犯DRAM设计专利权，最终三星以对其过去和未来存储产品销售额赔付专利使用费告终。这表明，如果继续开发4MDRAM芯片，三星有可能会面临更大的竞争压力与挑战。为此，韩国政府参与了进来。1986年10月，韩国政府参与到半导体工业发展规划上来，指定4MDRAM研发为国家级项目，政府的研究与开发研究所、电子和通讯研究所与三星、现代、LG组成联营企业，目标是在1989年开发并大量生产4MDRAM，完全消除与日本的技术差距。在联营的3年期间(1986-1989)，共投入1．1亿美元用于研发，其中政府就占到57％，可见政府在其中所起到的关键作用之大。但政府的2家研究所内部发生分歧，导致2家研究所各自开发，三家企业也分别转入不同的领域研发。1988年，三星最早宣布完成了4MDRAM的设计，仅比日本晚6个月。最终，早生产能力与研发上，韩国财团主宰了4M和16M DRAM的世界市场。
政府又指定了16M DRAM和256M DRAM的开发为国家级项目。政府也相应地组织了一个类似的联营企业。但三家财团已经建立起了足够的技术研发力量，已能够分别独自进行研发，更重要的是，彼此不愿分享经验与成果，所以联营企业只是在分配政府拨款上起到协调作用。三星1992年先于竞争对手现代和LG开发出64M DRAM。更为重要的是，三星等财阀开始进一步投资用于改进64M DRAM的研发，这使得三星的同类产品技术开始优于美日产品。到1994年下半年，三星就已成为世界上最大的64M DRAM商业样机的供货商，向美国超大用户如惠普、IBM等提供产品。三星的成功追赶以在1992年的64M DRAM为标志，实现了在技术、市场方面的巨大成功。此后，256M DRAM及更高的DRAM研发上，三星一直处于超越阶段。
四、技术发展史年表
韩国集成电路的技术发展史，实际上完全是DRAM技术的创新史。DRAM存储器是韩国集成电路产业进入自主研发阶段最先选中的突破口，而且其研发历程一直延续至今。可以说，韩国正是通过DRAM强势进入集成电路产业的，并且通过DRAM技术的不断突破引领世界存储器集成电路产业的发展。在DRAM领域，自从