组成时，模组容量就是512MB。
SDRAM Organization—颗粒结构。是颗粒深度（SDRAM depth）与颗粒位宽的乘积。例如，当SDRAM Organization是64Meg×8时，颗粒密度就是64M×8b=512Mb。在内存业界也把颗粒深度称为颗粒长度，以跟BANK深度相区别； Number of SDRAM—颗粒数；
Number of Physical Rank—物理RANK数，即P-BANK数。在本文中简称RANK数； Number of Bank in SDRAM—一个颗粒的逻辑BANK数； SDRAM Packge Type—颗粒的封装类型。
18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？
答：根据模组组成原理可以知道：如果模组的深度等于颗粒的深度，就是一个RANK；如果模组的深度等于两倍颗粒深度，就是两个RANK。例如，编号为M378B5673DZ1的三星模组的模组深度是256M。又因为这种模组采用的是K4T1G084QD颗粒。这种颗粒的密度是1024Mb；位宽是8b，因此，颗粒深度是1024Mb÷8b=128M。即模组深度是颗粒深度的两倍，因此，是两个RANK。
此外，从模组编号或颗粒编号给出的颗粒位宽和实际颗理粒数也可以计算出RANK数。例如，当颗粒位宽是8b时，模组用了8个颗粒，8×8b=64b，就是一个RANK；如果用了16颗颗粒，16×8b=128b，就是两个RANK。
19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？
答：模组的面（side）数跟RANK数是两个不同的概念。而且在内存的编号中也都没有反映面数。但是，模组的面，不是一个，就是两个；而目前的RANK数也是这样。因此，用符号表示它们时，很容易混淆。但是，可以很明确地说：内存标签中的“R”是表示RANK,不是表示面数，内存“面”的英文字是Side，如果表示两个面的话面，应该是“2S”才是呀！ 20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗？
答：不是的。“R”表示RANK，这在上面已经解释过了。“×8”就是颗粒位宽是8bit的意思。因为1个RANK是64bit，两个RANK就是128bit，因此，符号“2R×8”就表示这个模组有2个RANK,颗粒的位宽是8b。因此，这个模组用的颗粒是128b÷8b/颗=16颗，而不是8颗。同理，当内存条上的标签标明是“1R×16”时，就表明这个模组是1个RANK；颗粒位宽是16bit。其颗粒数是64b÷16b/颗=4颗。绝不是16颗。 21.内存标签上的Warranty Void是什么意思？
答：Warranty Void if label Removed的含义是：如果此标签破坏了，将不予保修保换的意思。 22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思？
答：UNB是Unbuffered DIMM的意思，就是没有缓冲、没有ECC的普通桌式内存；SOD是SO-DIMM的意思，就是普通的笔记本电脑内存。在JEDEC的标志中，UNB用“U”表示；SOD用“S”表示。见第16问。
23.在内存标签上写的RoHS是什么意思？
答：RoHS是欧盟《电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令》（the Restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment）的英文缩写。其发布的标准称为RoHS认证，RoHS认证是目前最严格的环境认证之一。欧盟已经在2006年7月1日实施RoHS，届时使用或含有重金属以及多溴二苯醚PBDE、多溴联苯PBB等阻燃剂的电气电子产品将不允许进入欧盟市场。 24. 有害物质是指哪些？
答：RoHS一共列出六种有害物质，包括：铅Pb，镉Cd，汞Hg，六价铬Cr6+，多溴二苯醚PBDE，多溴联苯PBB。
25.内存标签上的“0820”是什么意思？
答：说明该产品是2008年第20周生产的。 26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思？ 答：P/N是产品编号的意思，主要是说明产品的技术特性。本文就是探讨这个编号的含义的；S/N是该产品系列号的意思,主要是说明该产品的生产时间和序列号。 27.我的内存是2GB的，为什么颗粒编号说是1GB的?
答：你说你的内存颗粒编号是：HYB18T1G802AF-3S，这是英飞凌DDR2-667的颗粒，它的颗粒密度的确是1Gb(不是1GB)，如果有8个颗粒的话，模组的容量是1GB的，如果是16个颗粒就是2GB的了。
在一般情况下，在颗粒的编号中标注的是颗粒的密度，单位为Mb或Gb。在模组编号中只标注模组的深度（是M数或G数）和模组的数据宽度（64b）。模组的容量通过计算才能求出来。计算方法上见第9和第12问。 三．各种常用内存的编号方法 28.三星内存颗粒是如何编号的？
答：三星内存的颗粒（单个芯片）编号是直接嵌刻在颗粒上的，其编号规则和符号的意义见下图（是我根据厂家官方网站的说明整理的）：
在上表中只给出了DDR2的速度（Speed）表示方法。 DDR速度的表示方法是：
CC:DDR400(200MHz@CL=3,tRCD=3,tRP=3) B3:DDR333(166MHz@CL=2.5,tRCD=3,tRP=3) A2:DDR266(133MHz@CL=2,tRCD=3,tRP=3) B0:DDR266(133MHz@CL=2.5,tRCD=3,tRP=3) DDR3的速度（Speed）表示方法是：
F7:DDR3-800(400MHz@CL=6,tRCD=6,tRP=6) F8:DDR3-1066(533MHz@CL=7,tRCD=7,tRP=7) H9:DDR3-1333(667MHz@CL=9,tRCD=9,tRP=9)
K0:DDR3-1600(800MHz@CL=11,tRCD=11,tRP=11)。
此外，颗粒密度（Density）还有非8的整数倍的表示方法。有33、65、29、57、52、和1K的标记。其意义如下：
33:32M(for128Mb/512Mb)；65:64M(for128Mb/512Mb)； 29:128M(for128Mb/512Mb)；57:256M(for512Mb/2Gb)； 52:512M(for512Mb/2Gb)；1K:1G(for2Gb) ⑴三星DDR内存颗粒编号举例
三星内存颗粒的编号是K4H560838H-UCB3时，“K4H”说明这是一个DDR内存;“56”说明其颗粒密度是256Mb；“08”说明颗粒位宽是8bit;后面的“3”说明是4个BANK;“3”后的“8”说明是SSTL接口,2.5V；“H”说明版本较新。编号最后的“B3”说明这是一个DDR333内存颗粒。 ⑵三星DDR2内存颗粒编号举例
三星内存颗粒的编号是K4T1G084QD-ZCF7时，“K4T”说明这是一个DDR2内存;“1G”说明其颗粒密度是1Gb；“08”说明颗粒位宽是8bit;后面的“4”说明是8个BANK;“4”后的“Q”说明是SSTL接口,1.8V；“D”说明版本是第5版。编号最后的“F7”说明这是一个DDR2-800内存颗粒，CL=6,质量不如“E7”的。 ⑶三星DDR3内存颗粒编号举例
三星内存颗粒的编号是K4B2G1646B-ZCH9时，“K4B”说明这是一个DDR3内存;“2G”说明其颗粒密度是2Gb；“16”说明颗粒位宽是16bit;后面的“4”说明是8个BANK;“4”后的“6”说明是SSTL接口,1.5V；“B”说明版是第3阪。编号最后的“H9”说明这是一个DDR3-1333内存颗粒。
29.三星内存的模组是怎样编号的？
答：三星（Samsung）内存的模组（内存条）编号规则和符号见下图，该图是我根据厂家官方网站的说明归纳的：
⑴三星DDR内存模组编号举例：
M368L6423HUN-CB3中的“M368L”表示这是三星DDR普通桌用电脑内存,其中的“68”表示模组数据位宽是64bit、184针的UDIMM内存；之后的“64”表示模组的数据深度是64Meg；再往后的“2”表示颗粒有4个BANK；后面的“3”表示颗粒位宽是8位；“HUN”分别表示版次和封装等；最后的“B3”表示这是一个DDR333内存。这种内存的总容量需要通过计算才能知道，容量为64M×64b÷8b/B=512MB。因为UDIMM内存的数据宽度是64b，因此，直接把数据深度乘以8b/B就可以得到总容量。即有64b×8b/B=512MB。下同。 ⑵三星DDR2内存模组编号举例：
M378T5663DZ3-CF7中的“M378T”表示这是三星DDR2普通桌用电脑内存，其中的“78”表示
传输的数据位是64bit的UDIMM内存；之后的“56”表示模组的数据深度是256Meg；再往后的“6”表示颗粒有8个BANK；“3”表示颗粒位宽是8bit；“DZ3”分别表示版次和封装等；最后的“F7”说明这是一个DDR2-800内存。因此，容量是256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB。 ⑶DDR3内存模组举例：
M378B5673DZ1-CH9中的“M378B”表示这是三星DDR3普通桌用电脑内存，其中的“78”表示传输的数据位是64bit、240针的UDIMM内存；之后的“56”表示模组的数据深度是256Meg；再往后的“7”表示颗粒有8个BANK3；“3”表示颗粒位宽是8bit；“DZ1”分别表示版次和封装等；最后的“H9”说明这是一个DDR3-1333内存。因此，模组的总容量是256M×64÷8b/B=2GB。 30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？
答：韩国Hynix（海力士）原来是现代（Hyundai）公司所属的一个内存生产厂，当时生产的内存颗粒编号都是以“HY”为前缀的。后来Hynix成了一个独立的内存生产厂，其颗粒编号也改为以“H”为前缀了。因此，一般把以“HY”为前缀的内存颗粒称为“现代”内存；而把以“H”为前缀的颗粒成为“海力士”内存。其实都是Hynix的产品。
以“HY5”为前缀的内存颗粒都是比较早期的内存，在计算机用的内存中，DDR2和DDR3内存没有再使用“HY”为前缀为编号。但是，在Consumer Memory(用于电视机机顶盒或摄像机等用的内存)中，仍然继续使用了一段时间。2007年决定所有海力士内存的前缀都用“H”代换“HY”。现在举例说明以“HY5”为前缀的内存的命名方法，见下表所示（根据厂家网站资料，按我的理解归类的）。
以“HY5”为前缀的海力士内存颗粒的编号规律
含义 类型 电压 密度 位宽 BANK 接口 版本 功耗 封装 - 速度 56 8 56 8 12 4 2 2 2 0 0 2 2 F A D B L TP - 10s TC - 75 TP - D43 T - M 65 16 2 温度 SDRAM HY57 V SDRAM HY57 V DDR1 HY5D U DDR1 HY5D U 注；其中的速度，对SDRAM来说：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)； K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)； 15: 15ns(66MHz)。
对DDR来说：有过变动，“D4”代表DDR400，时序为3-4-4；“D43”代表DDR400，时序为3-3-3；“J”代表DDR333；“M”、“K”和“H”都代表DDR266，只是时序不同；“L”代表DDR200；“4”代表250MHz；“5”代表200MHz。 其他项的解释：
类型：“HY”现代的意思；“5”和“57”都代表SDRAM内存；“5D”代表DDR1内存； 电压：是指处理工艺和供电电压（PROCESS & POWER SUPPLY）：对SDRAM和DDR1： 空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V；“U”代表CMOS,2.5V； 密度：是指颗粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：
对SDRAM来说，“64”和“65”都是64Mb;“26”和“28”都是128Mb；“56”和“52”都是256Mb。 对DDR1来说，“28”是128Mb；“56”是256Mb;“12”是512Mb 。
根据密度和模组颗粒数就可以知道模组的容量。例如，密度标以“12”时，如果有8个颗粒，模组容量就是512MB；如果有16个颗粒，容量就是1GB。 位宽：是指颗粒的位宽（datawidth）：
“4”代表“×4”；“8”代表“×8”;“16”代表“×16”；“32”代表“×32”。 BANK：是指每个颗粒的逻辑BANK数。“1”代表2BANK；“2”代表4BANK；“3”代表8BANK。 接口：是指颗粒的电气接口（Interface）。“0”代表LVTTL;“1”代表SSTL;“2”代表SSTL_2； 版本：是指颗粒出厂的版本。空白代表第1版；二版后依次用A、B、C、D等表示；
功耗：是指功率消耗（Power consumption）。空白表示正常耗电；“L”表示低功耗； 封装：芯片发封装方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP； 速度；速度（speed）是指颗粒的频率，说明见表注。 温度：温度（Temperature），“I”是工业温度；“E”是扩展温度。但是，在编号中经常没有这一项。
31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？
答：以“H5”为前缀的内存颗粒命名方法是Hynix（海力士）完全从现代（Hyundai）独离出来以后的命名方法，比较规范。因为编号的位数相同，就不致引起误解,下表是2008年的编号举例：
在表中各个符号的含义:前缀中的“H”代表Hynix；“5”代表SDRAM；但是，应该注意的是“位宽”中的“6”是代表16位的。密度中的“64”是64M / 4K REF / 64ms；“12”是 128M / 4K REF / 64ms；“25”是 256M / 8K REF / 64ms；“51”是 512M / 8K REF / 64ms 。
电压和处理工艺中的“Q”代表VDD=1.5V&VDDQ=1.5V。封装类型中的“F”代表FBGA。封材中的“P”代表铅；“R”代表卤素类。能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8xmm））．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）．速度：（D4＝DDR4--；D4=DDR4-4-4；J＝DDR；M＝DDR--；K＝DDR66A；H＝DDR66B；L＝DDR）4．工作温度：（I=工业常温（-4-85度）；E=扩展温度。其他可参看前表。
32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的？
答：此类模组类型很多，现将普通用户常用的两种DIMM168针内存介绍如下： ⑴以HYM7为前缀的内存 前缀 数据宽度 深度 刷新 BANK - 速度 说明