HYM7V 64 HYM7V 65 HYM7V 63 HYM7V 65 8 8 16 4 0 0 0 0 1 1 1 0 10 64MB，PC66，168pin 64MB，PC100，168pin 128MB，PC133，168pin 32MB，PC100，168pin “HYM7V”是海力士早期的SDRAM内存模组；
“64”、“65”和“63”都表示数据位宽是64bit，但是，频率不同；
“深度”是指模组的深度，有“1”、“2”、“4”、“8”和“16”等，是Meg数； “刷新”是指刷新速度。“0”、“1”、“2”和“3”分别代表1K、2K、4K和8K； “BANK”代表每个颗粒的逻辑BANK数。“0”是2BANK；“1”是4BANK； 模组容量=数据位宽（b）×深度÷8b/B ⑵以“MYM71”为前缀的海力士模组 前缀 HYM71V HYM71V HYM71V HYM71V 数据宽度 型 64 65 63 65 M 深度 8 16 32 4 刷新 0 0 0 0 BANK - 说明 1 1 1 0 - 64MB，PC66，168pin - 128MB，PC100，SODIMM - 256MB，PC133，168pin - 32MB，PC100，168pin 注：因为当时有几个厂生产SDRAM内存，编号不很统一，不再一一列举。 33.海力士DDR内存模组是怎样编号的？
答：海力士（Hynix）DDR内存模组2001年有一个以“HYD”为前缀的编号法，2002年又修改为以“HYMD”为前缀的编号法。除了前缀有所不同外，二者的差别不大，而且后者也涵盖了前者。因此，我把它们列成了一个表。
34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的？
答：海力士（Hynix）DDR2内存模组2007年有一个以“HYMD”为前缀的编号法，2008年又修改为以“HMD”为前缀的编号法。除了前缀有所不同外，二者的差别不大，而且后者也涵盖了前者。因此，为了简化，我把它们列成了一个表,供一般电脑爱好者使用已足够用。
模组的容量可以用数宽×模深÷8或用颗粒数×颗粒密度的方法得到。例如对于第1行的编号为“HYMP532U64CP6-Y5”的模组来说，容量是64b×32M÷8b/B=256MB。或用512Mb/颗×4颗÷8b/B=256MB。后缀为“Y5”，说明这个模组是容量为256MB的DDR2-667内存。 35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的？
答：2007年发布了一个以“HYMT”为前缀的编号方法，2008年又改为以“HMT”为前缀的编号方法。二者的差别不大。为了简化，我把它们归结为一个表表示。见下表：
36.现代以“GM”搞和“GMM”为前缀的内存是怎样编号的？
答：以GM开头内存内存原是LGS公司（乐金）生产的内存，由于Hyundai（现代）公司收购了LG的内存制造部门，并继续以这个牌子生产了一段时间，所以，也可以认为以“GM”为前缀的内存也是现代内存。又因为现代公司的内存生产厂是Hynix（海力士），因此也可以说这种内存是海力士内存的早期产品。 一.以“GM”为前缀的颗粒编号方法见下表：
含义 类型 电压 密度 位宽 BANK 接口 版本 功率 封装 - 速度 16 8 2 1 1 C B T T - 10K - 75 28 16 2 SDRAM GM72 V SDRAM GM72 V 其中： 密度：颗粒密度和刷新速度，有16(16M,4K);17(16M,2K)；28（128M，4K）；64（64M，16K）；65(64M，18K)；66（64M，14K）； 位宽：4(×4)；8（×8）；16（×16）；32（×32）；
BANK：有1、2、4、8，分别代表1、2、4、8个BANK； 接口：有“1”，代表LVTTL；
版本：空白代表原始版；“A”、“B”和“C”依次为修订第1、第2和第3版； 功耗：空白则为普通的；“L”表示是低功耗； 封装：有“T”、“R”、“I”和“S”； 速度；有6（166MHz）；65（153MHz）；7（143MHz）；75（133MHz）；8（125MHz）；7K（PC100，2-2-2）；7J（PC100，3-3-3）；10K（PC66）;10J(PC66)；12（83MHz）；15（66MHz）。 二.以“GMM”为前缀的模组编号方法见下表： 公司 厂名 类型 位宽 深度 刷新 模式 结构 芯版 模版 封装 - 速度 GMM 7 64 16 1 6 3 N T - 6
其中：
公司（HYNIXC-Site）：符号“GMM”代表海力士公司；
厂名（MANUFACTURE）：是指该内存的具体生产工厂，有LGS工厂，符号是空白；SMART用“S”表示；Tanisys用“T”表示； 家族（FAMILY）：表示颗粒的类型，“7”或“2”表示SDRAM； 位宽（ORGANIZATION）：是表示模组的位宽（ORGANIZATION）:8:x8；9:x9；32:x32；33:x32(2CAS)；34:x32(2WE)；36:x36；64:x64；65:x64(2CAS)；66:x64(2WE)；67:x64(4CAS)；72:x72；73:x72,ECC；14:x144。 深度（DEPTH）：是模组的数据深度。有1:1M；2:2M；4:4M;8:8M；16:16M；32:32M;64:64M; 刷新（REFRESH）：有0:1KRefresh；1:2KRefresh；2:4KRefresh；3:8KRefresh； 模式（ACCESS/VOLTAGEMODE）：是存储/电压模式。有:5FastPageMode,5V；6:EDOMode,5V；7:FastPageMode,3.3V；8:EDOMode,3.3V
构件（COMPOSITIONCOMPONENT）：有0:168pinBufferedSIMM/DIMM；1:200pinBufferedDIMM；3:168pinUnbufferedDIMM；7:144pinUnbufferedSODIMM； 芯版（ICREVISIONNO.）：是指颗粒的版本。有:空白：原始版（Original）；A：第1版；B：第二版；C:第3版等；
模版（MDLREVISIONNO.）模组的版本。空白是原始版；N是第1版；M是第二版等； 封装（PACKAGE&TERMINAL）是封装和端子:S是:SOJSOLDER；SG是SOJGold;是T是TSOP,Solder；I是BLP,Solder;TG是TSOP,Gold； 速度（Speed）：5:50ns；6:60ns；7:70ns. 37.美光内存的颗粒是怎样编号的？
答：Micron(美光)是著名的美国的内存生产厂，在西安有生产厂。美光在我国被译成多种名称，如镁光、麦康、麦克龙等。
美光内存的编号方法不像三星和海力士那样复杂多变。各种UDIMM（也作UBDIMM）内存的颗粒编号规则见下表。遗憾的是美光颗粒的编号虽然简化明确，但是，它经常不是把这个编号嵌刻在颗粒上。
美光内存海有一个Crucial品牌，是很出名的，但是，也不是按规定编号的。例如前几年被炒得沸沸扬扬的美光D9颗粒，由于五位编号全以“D9”为起始，所以也被称为“D9”颗粒。 38.美光内存的模组是怎样编号的？
答：参照美光官方网站的说明，经过我归纳，举例及解释见下表：