PECVD考试试题
一、单选
1、当膜厚由薄逐渐变厚时，膜的颜色变化过程（ ） A、红色→深蓝→蓝色 B、深蓝→淡蓝→蓝色 C、淡蓝→蓝色→深蓝
2、当折射率较大时，工艺调整时需（ ） A、增大硅烷通量 B、减小氨气通量 C、减小硅烷通量
3、工艺运行过程中，当左侧膜厚偏小，右侧膜厚偏大时（ ） A、增大左侧微波源功率，减小右侧微波源功率 B、减小左侧微波源功率，增大右侧微波源功率
C、减小左侧微波源功率，同时减小右侧微波源功率 4、下列反应方程式，正确的是（ ） A、SiH4+NH3→SixNy+H2 B、SiH4+NH3→SiN+H2 C、SiH4+NH3→Si3N4+H2
5、哪种气体不是PECVD所需特气（ ） A、硅烷 B、氨气 C、甲烷 二、多选
1．PECVD沉积减反射膜的优点是：（ ） A．衬底温度低 B．淀积速率高 C．衬底温度高 D．淀积速率低 2．PECVD的能量源有（ ） A．高频电源 B．微波 C．直流电源 D．加热器 3.下列哪些参数可以调整膜厚（ ） A．工艺压力 B．沉积时间 C．加热温度 D．带速
4.常用的氮化硅沉积设备有哪些（ ） A．板式 B．管式 C．丝网印刷 D．清洗机
5.管式PECVD的设备组件有（ ） A．石墨舟 B．石英炉管 C．石墨框 D．真空泵 三、判断
1、工艺压力与沉积速率无关（ ）
2、板式PECVD增加带速能增加膜厚（ ） 3、管式PECVD的载片设备为石墨舟（ ）
4、管式PECVD设备报警退舟后，能通过补镀来完成完整的氮化硅膜沉积（5、氮化硅膜减反射原理为陷光原理（ ） 四、填空 ）
1.板式PECVD具体操作时，上完片应轻轻的敲击一下 的边缘，防止 在 掉落.
2.当传输新工艺时要 后方可大量生产. 3.对于石墨框固定位置产生色差的处理方式: .
4.氮化硅膜厚超出范围，偏小时应 石墨框传输速度；偏大时应 石墨框传输速度。一般情况下，1cm/min对应 nm,具体视调整后的第一框膜厚为基准. 5.氮化硅膜的作用主要是 和 . 五、简答题
1、简述PECVD的原理及目的.
2、简述更换石英管流程及注意事项.
3、为什么后清洗出来的片子在PECVD前搁置时间过长需要进行酸洗？
六、计算
156电池片的功率为4W，则其转换效率是多少？
七、案例分析
管式PECVD镀膜过程中发生高频报警，请具体说出高频报警的引起原因，并说出解决方案。
答案：
一、 ACBAC
二、 AB AB ABCD AB ABD 三、 ××√√×
四、 石墨框 硅片 工艺腔 验证电性能 开腔取出掉片 减小 增大 1nm 减反射 钝化 五、
1、原理：氨气硅烷反应生成氮化硅膜。目的：减反射，钝化 2、降温、开腔体卸石英管、卫生清理、通气孔（注意通透）、换上新石英管（铜管要直，密封圈无变形，胶带上无气泡，铝帽无划痕，关仓（擦干净密封圈）、抽真空。 3、因为长期暴露空气中硅片表面一方面被氧化，另一方面表面会被杂质污染 六、
S=0.156×0.156=0.024336m2 P=4W
效率=P/1000S=16.44% 七、 原因：
1、 电池片没插好，接触到另一电极，导致短路。
2、 电池片有隐裂，在周内破碎，接触到另一电极，导致短路。 3、 炉内碎片接触到石墨舟的两个电极导致短路。 4、 高频电源故障，发生警报。
5、 高频电源冷却水流量不足，电源工作异常，发生警报。 处理措施：
判定故障原因，退舟冷却后，补镀剩余时间。