缓存-主存层次主要解决CPU和主存速度不匹配的问题
主存-辅存层次主要解决存储系统的容量问题
从CPU角度来看缓存-主存层次的速度接近于缓存,高于主存；其容量和价位却接近于主存,这就从速度和成本的矛盾中获得了理想的解决办法.
主存-辅存层次从整体分析,其速度接近于主存,容量接近于辅存,平均价位也接近于低速的、廉价的存储价位,这又解决了速度、容量、成本这三者之间的矛盾.
现代计算机系统几乎都具有这两个存储层次,构成了缓存、主存、辅存三级存储系统.
(三) 半导体随机存取存储器 1. SRAM存储器的工作原理
SRAM静态存储单元的每个存储位需要四到六个晶体管组成.比较典型的是六管存储单元,即一个存储单元存储一位信息\或\静态存储单元保存的信息比较稳定,信息为非破坏性读出,故不需要重写或者刷新操作;另一方面,其结构简单,可靠性高,速度较快,但其占用元件较多,占硅片面积大,且功耗大,所以集成度不高.
静态随机存储单元
2. DRAM存储器的工作原理
常见的DRAM存储单元有三管式和单管式两种,它们的共特点是靠电容存储电荷的原理来寄存信息.若电容上存有足够的电荷表示“”,电容上无电荷表示\电容上的电荷一般只能维持1-2ms,因此即使电源不掉电,电容上的电荷会自动消失.因此,为保证信息的不丢失,必须在2ms之内就要对存储单元进行一次恢复操作,这个过程称为再生或者刷新.与SRAM相比,DRAM具有集成度更高,功耗低等特点,目前被各类计算机广泛使用.
(四) 只读存储器
前面介绍的DRAM和SRAM均为可任意读／写的随机存储器,当掉电时,所存储的内容消失,所以是易失性存储器.只读存储器,即使停电,存储内容也不丢失.根据半导体制造工艺不同,分为ROM,PROM,EPROM,E2ROM和Flash Memory 1. 只读存储器(ROM)
掩模式ROM由芯片制造商在制造时写入内容,以后只能读而不能再写入.其基本存储原理是以元件的“有／无”来表示该存储单元的信息(“1”或“0”),可以用二极管或晶体管作为元件,显而易见,其存储内容是不会改变的. 2. 可编程序的只读存储器(PROM)
PROM可由用户根据自己的需要来确定ROM中的内容,常见的熔丝式PROM是以熔丝的通和断开来表示所存的信息为“1”或“0”.刚出厂的产品,其熔丝是全部接通的.根据需要断开某些单元的熔丝(写入).显而易见,断开后的熔丝是不能再接通了,因而一次性写入的存储器.掉电后不会影响其所存储的内容. 3. 可擦可编程序的只读存储器(EPROM)
为了能修改ROM中的内容,出现了EPROM.利用浮动栅MOS电路保存信息,信息改写用紫外线照射即可擦除. 4. 可电擦可编程序只读存储器(E2PROM)
E2PROM的编程序原理与EPROM相同,擦除原理完全不同,重复改写次数有限制(因氧化层被磨损),一般10万次. 其读写操作可按每个位或每个字节进行,类似SRAM,但每字节的写入周期要几毫秒,比SRAM长得多.E2PROM每个存储单元采则2个晶体管.其栅极氧化层比EPROM薄,因此具有电擦除功能.
5. 快除读写存储器(Flash Memory) F1ash Memory是在EPROM与E2PROM基础上发展起来的,其读写过程和E2PROM不同,F1ash Memory的读写操作一般是以块为单位.
(五) 主存储器与CPU的连接
1个存储器的芯片的容量是有限的,它在字数或字长方面与实际存储器的要求都有很大差距,所以需要在字向和位向进行扩充才能满足需要.根据存储器所需的存储容量和所提供的芯片的实际容量,可以计算出总的芯片数.一个存储器的容量为M×N位,若使用L×K位存储器芯片,那么,这个存储器共需要M/L×N/K存储器芯片. 1．位扩展
位扩展指的是用多个存储器器件对字长进行扩充.位扩展的连接方式是将多片存储器的地址,片选己,读写控制端R/W可相应并联,数据端分别引出. 2)字扩展
字扩展指的是增加存储器中字的数量.
静态存储器进行字扩展时,将各芯片的地址线,数据线,读写控制线相应并联,而由片选信号来区分各芯片的地址范围. 3)字位扩展
实际存储器往往需要字向和位向同时扩充. (六) 双口RAM和多模块存储器 1.双端口存储器
双端口存储器是一种具有两个单独的读/写端口及控制电路的存储器,通过增加一个读/写端口,双端口存储器扩展了存储器的的信息交换能力. 2.多模块存储器
为了解决CPU与主存储器之间的速度匹配问题,在高速存储器中,普遍采用并行主存系统.即利用类似存储器扩展(位扩展,字扩展,字位扩展)的方法,将n个字长为W位的存储器并行连接,构建一个更大的存储器.并行主存有单体多字方式,多体并行方式和多体交叉方式.