高温时T?3/2项对R的影响远小于eEg/2KT项的影响，因而R与T的关系可近似为
R?BeEg/2KT
上式两边取对数后得lnR?lnB?(Eg/2K)
将lnR～1/T关系图中的上升部分近似为直线，得到直线的斜率
k?Eg/2K?1782.5
1T因此可由曲线斜率求得碲镉汞样品的禁带宽度0.31eV.
（2）杂质饱和电离区.如图2曲线的近似水平部分（87K-150K）。饱和区范围内杂质已全部电离，载流子浓度与电离杂质的浓度相等（n?Nd）且为一恒定值。此时霍尔系数R??其中Nd为施主杂质浓度；
由于?H/?n的值随散射过程而异，所以R与T的关系取决于载流子散射机理。对于以杂质散射为主的低阻样品，?H/?n几乎与温度无关，lnR-1/T曲线近似为一条水平直线。
2.碲镉汞样品在不同温度下的电阻率
?H?neNd.
图3.电阻率随温度的变化
由上图可以看出，碲镉汞单晶样品的电阻率随着温度的升高而逐渐减小，为清楚其机理，做出lnσ-1/T关系图如下：
图4.lnσ-1/T关系图
理论上可知，电导率σ与导电类型和载流子浓度有关。当混合导电时有
??e(p?p?n?n).
仅有电子导电时（p=0），则??en?n；仅有空穴导电时（n=0），则由此可知，电导率与温度有关。对图4同样分两个区间进行??ep?p；讨论.
（1）本征导电区的电导率表达式为??Ce?Eg/2KT.
（2）杂质饱和电离区，由于n=Nd与温度无关，因而?取决于迁移率?与温度的关系，即取决于载流子散射机制。由于碲镉汞是以电离杂质散射为主的低电阻率样品，所以呈现图4形式，具体过程由于太复杂，略去不讨论。
3.碲镉汞样品在不同温度下的迁移率
与霍尔迁移率直接有关的是样品内的散射机制，主要有声学波形变散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射和中性杂质散射。由于对于混合导电的情形，计算出的霍尔迁移率没有明确的物理意义，既不代表电子的迁移率，也不代表空穴的迁移率，而且得出的霍尔迁移率随温度的变化比较复杂。 4.碲镉汞样品在不同温度下的载流子浓度
根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质激发.
在温度较低时，杂质未能全部电离，样品载流子浓度n小于施主
杂质浓度Nd，因此载流子浓度较低；随着温度升高，饱和区范围内杂质已全部电离，载流子浓度与电离杂质浓度相等且为一恒定值，因此载流子浓度急剧增加。 【实验讨论】
1.实验中存在的副效应.
测量霍尔电位过程伴着一些热磁效应所产生的电位，叠加在测量值VH上，引起测量误差。这些副效应是爱廷豪森效应、里纪-勒杜克效应、能斯脱效应、不等位电势差、温差电位等。
在实验中为了求得VH的真实值，消除上述效应带来的误差，可采用改变流过样品上的电流和磁场方向的方法，使各种附加的电位差从测量结果中消去。