图 2.13
2.35“vsource”
“vsource”激励源是一种通用型电压源，可以用于完成上述所有激励源的功能。在下 图中“source type”菜单中选择所需要的激励源即可，同时按前述的方式填写各激励源的关 键参数。
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图 2.14
2.4 瞬态仿真实例
采用最简单的 RC 充放电电路来完成一次瞬态仿真，该电路图如图 2.15 所示。电阻和电容
都采用“analogLib”中的理想电阻模型和理想电容模型。激励源是“vpluse”周期性方波。采用 “conservative”的精度。由于没有设置初始条件，仿真器会先执行直流分析，将其结果作为初始 解，仿真去结果如图 2.16 所示。
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图 2.15
图 2.16
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第 3 章 直流分析（DC Analysis）
3.1 功能基本介绍
直流分析是其他所有仿真的基础。在“Tran Analysis”、“AC Analysis”等分析的过程中，首 先就是先要计算直流工作点。在这里介绍的直流“DC Analysis”中，实际包括两个方面的分析： [1.]一个是直流工作点计算；[2.]另一个是直流特性扫描。
直流工作点计算例？ 对于直流工作点分析，仿真器会计算各个节点的电压，各支路电流，包括 MOS 管的各个直 流参数，例如跨导（gm），阈值电压（Vth），工作区域（region）等。而在直流特性扫描中包含了 电路的温度（Temperature），设计变量（Design Variable），器件参数（Component Parameter），器 件模型参数（Model Parameter）等多个参数的特性仿真。
3.2 仿真参数设置
如果需要将直流工作点信息保存下来，在“DC Analysis”中确定“Save DC Operating Point”。如 果要绘制特性曲线，需要设置扫描变量和扫描范围。参数设置选项如图 3.1 所示。
图 3.1 “DC Analysis”参数设定
? ?
“Temperature”：温度扫描，观察电路直流工作点随温度飘移情况。 “Design Variable”：设计变量扫描，在设计电路时，设计师往往需要将某些设计参数 设置为变量，方便设计和修改。比如，可以将电源电压（VDD），MOS 的栅长（L）和 栅宽（W）设置为变量，使用变量扫描，观察电路在各种设计下的工作情况。 ? “Component parameter”：器件参数扫描，和“Design Variable”扫描比较类似。不过，
器件参数扫描不用预先将电路中某器件参数设置为变量（Variable）。 ? “Model Parameter”：如果用户能够对库文件模型进行修定，可以使用该参数扫描。但 是，由于库文件都是直接由生产工厂直接提供，所以，不推荐使用这项扫描。
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在选定扫描参数后，用户需要进一步设置扫描范围（Sweep Range），扫描方式（Sweep Type） 等。
以点击扫描“Temperature”为例，如图 3.2 所示，可以看到可选参数包括扫描范围（Sweep Range）和扫描方式（Sweep Type），以及是否加入特殊点计算（Add Specific Points）。。
图 3.2 “Temperature”扫描设定
? ? “Sweep Range”：指定扫描范围，可以包括指定起始值（Start-Stop）或指定中点值
（Center-Span）两种方式。
“Sweep Type”：指定扫描方式。步进可以是线性的（Linear），也可以以对数方式 （Logarithmic）步进。如果采用“Linear”模式，用户需要通过步进大小（Step Size） 或是步进点数（Number of Steps）来控制仿真精度和仿真时间。而如果采用“Logarithmic” 模式，仿真器默认的是以 10 为底的对数。用户也需要通过每个数量级所需步进数（Points Per Decade）或总步进数（Number of Steps）来控制仿真精度和时间。当用户对输出模 式没有特殊要求时，可以采用系统默认设置（Automatic）。系统默认的设置是在当终值 与初值比小于 10 时，采用线性模式输出。而在该比例大于 10 时，采用对数模式输出。 三种模式的设置窗口见图 3.3。
图 3.3 “Temperature”扫描类型的设定
?
“Add Specific Points”：加入特殊点计算。在仿真过程中，用户可以指定某些点一定需 要计算，在该选项中添加即可。各点之间用空格隔开。
如果用户选择“Design Variable”或“Component Parameter”扫描，还需要设置扫描的变量 名（Variable Name）或器件名（Component Name）和该器件的参数名（Parameter Name）。图 3.4 是设定界面。在以后的设计实例部分，具体讲解操作过程。
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