图 3.4“Design Variable”设定
3.3 设计实例
以一个简单共源级放大器为例说明“DC Analysis”的仿真过程，电路如图 3.5 所示。直流仿真的
激励源使用普通的“analogLib”头“vdc”即可。。
设计变量扫描“Design Variable”
在图 3.5 中，将对 M0 的偏置电压由 3V 改变设置为变量“VBIAS”。点击“Design Variable” 头“Select Design Variable”后会弹出变量选择窗口图 3.6。由于电路中只设置了一个变量，所以 点击该变量后选择“OK”后，该变量名会出现在“Variable Name”中，再设置好“Sweep Range” 和“Sweep Type”后即可仿真。图 3.7 的仿真曲线表示当变量“VBIAS”从 0V 到 5V 变化时输 出电压的变化情况。
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图 3.5 共源级放大电路
图 3.6 选择扫描变量
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图 3.7 仿真波形
器件参数扫描“Component ”
器件参数扫描和设计变量扫描相类似。点击“Component Parameter”头“Select Component”
后弹出原理图窗口。用户可以选择 MOS 管、激励源、地线等各种器件作为仿真对象。如果点击 图 3.3 中的 NMOS 管 M0，会弹出该器件的参数表。图中的引号部分是对相应参数的解释。可以 对该 MOS 的栅长变化作参数扫描。图 3.9 仿真表示 M0 管的栅长从 1μ 到 20μ 变化时，输出电压 变化情况。
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图 3.8 图 3.5 电路图中的 M0 管参数
图 3.9 M0 管的栅长从 1μm 到 20μm 变化时，输出电压的变化 有些转移曲线
的绘制需要用“DC Analysis”中的参数扫描和其他仿真工具混合使用。比如 MOS 管的转移曲线就需要“Design variable”和“Parameter analysis”共同使用，仿真结果如图 3.10
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所示。 （需要具体表示设定）
图 3.10 MOS 管的转移特性
在“DC Analysis”的高级设置中（Option），包括“State File Parameters”、“Output Parameters”，
“Convergence Parameters”、“Annotation Parameters”，“CAPTAB Parameters”等。这些参数的含 义和设置在第二章中都有介绍，也可以查阅 cadence 的用户手册。
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