年产57000万片高效硅片(1200MW光伏电池)项目可行性研究报告
考同类型建设项目并适当考虑建设当地造价水平进行估算。 1.2.2.5 其他费用
工具器具费：按工艺设备费的0.5%计算。
建设单位管理费：包括建设单位开办费及建设单位经费，按建安工程费的1%计取。
前期工作费用：包括咨询费用、调研费用、可研报告编制费、评审费、地质勘探费等。
设计费，据《工程勘察设计收费标准》（2002年修订本）进行计算。 项目评估费用：包括编制环境影响报告、职业安全卫生评价、能源评价、水资源评估等费用。
人员培训费：包括生产人员及管理人员的培训费及提前进厂费。 土地购置费：本项目购置土地1000亩，按照6万元/亩。 设备调试及试运转费：按照工艺设备费2%计算。 1.2.2.6 预备费
基本预备费：按工程费用及其它工程费用的3％计算。 1.2.2.7 建设期利息
本项目建设投资申请银行贷款300000万元，银行贷款利率按7.29%计算。根据《方法与参数》从建设起点算起借款当年按半年计息，建设期利息共计9645万元。 1.2.2.8 流动资金估算
流动资金详细法计算，根据本项目情况及规模，铺底流动资金按达产年平均流动资金的30%计，为24641万元。 1.2.2.9 总投资估算结果
本项目总投资为460723万元，详见各期总投资估算表。
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表1－1 一期总投资估算表
序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 建筑工程费 设备购置费 设备安装费 工具器具费 工程建设其它费用 预备费用 建设期利息 铺底流动资金 合计 表1－2 二期总投资估算表
序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 建筑工程费 设备购置费 设备安装费 工具器具费 工程建设其它费用 预备费用 建设期利息 铺底流动资金 合计
表1－3 三期总投资估算表 项目名称 估算投资 占投资比(万元) 例 42941 66685 1320 330 4209 3465 6000 6160 131111 32.75% 50.86% 1.01% 0.25% 3.21% 2.64% 4.58% 4.70% 100.00% 项目名称 估算投资 占投资比(万元) 例 49998 100860 1997 499 4230 4728 3645 9240 175197 28.54% 57.57% 1.14% 0.28% 2.41% 2.70% 2.08% 5.27% 100.00% 4
年产57000万片高效硅片(1200MW光伏电池)项目可行性研究报告
序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 项目名称 建筑工程费 设备购置费 设备安装费 工具器具费 工程建设其它费用 预备费用 建设期利息 铺底流动资金 合计 估算投资 占投资比(万元) 例 36166 100860 1997 499 3268 4284 9240 156315 23.14% 64.52% 1.28% 0.32% 2.09% 2.74% 5.91% 100.00% 表1－4 项目总投资估算表
序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 建筑工程费 设备购置费 设备安装费 工具器具费 工程建设其它费用 预备费用 建设期利息 铺底流动资金 合计 1.2.2.10 资金筹措
（1）固定资产投资投资筹措
本项目固定资产投资436082万元，其中####天翊光能有限公司现金
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项目名称 估算投资 占投资比(万元) 例 129105 268405 5315 1329 9807 12476 9645 24641 460723 28.02% 58.26% 1.15% 0.29% 2.13% 2.71% 2.09% 5.35% 100.00% 年产57000万片高效硅片(1200MW光伏电池)项目可行性研究报告
出资20000万元(含流动资金出资部分)，投资公司现金出资40000万元，承建公司贷款300000万元，贷款利率为7.29%，其余资金由####天翊光能有限公司自筹。 （2）流动资金筹措
本项目流动资金82138万元（其中铺底流动资金24641万元），流动资金30%贷款，贷款利率为6.93%，其余由####天翊光能有限公司自筹。 1.2.3 产品及技术方案
本项目主要考虑高性能的单晶硅生产工艺，最终产品为单晶硅。 单晶硅用于制造太阳电池片生产用的硅片。 1.2.3.1 技术来源
本项目生产技术为####天翊光能有限公司自有技术。 1.2.3.2 生产工艺
配料 装炉 拉晶 拆炉 断头尾 测试 入库 选料 清洗 图1－1 单晶硅棒生产工艺流程图
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硅棒准备 圆棒切方 滚磨 准方棒腐蚀或超声清洗 晶棒粘接 线锯切片 硅片脱胶、取样 硅片清洗烘干 成品测试入库 图1－2 单晶硅片生产工艺流程图
— 工艺简介
· 选料：将多晶硅、头尾料、埚底料按类分选。
· 清洗：用氢氟酸、硝酸（或中性清洗液）等除去原料表面的杂质。 · 配料：根据拉单晶的电阻率要求，按重量比例配置原料。 · 装炉：将配好的原料装入炉内、抽真空和充氩气。 · 拉晶：加温将原料溶化，按控制程序拉制单晶。
· 单晶生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，然后将籽晶快速向上提升，使长成的籽晶的直径缩小到一定的大小，产生零位错的晶体，这样，长完细颈之后，降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增长到所要大小。长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径误差维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分称为等径部分，单晶硅片取自于等径部分。等径结束后，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点，而与液面分开，长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成了单晶硅棒的生长过程。
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