应用示范
研究内容：研究基于6英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术；开展3.3~6.5 kV碳化硅MOSFET器件设计仿真及制备工艺技术的研究；突破碳化硅器件高压封装关键技术，实现大容量碳化硅功率器件和模块；掌握SiC器件及模块测试检验全套技术；研制基于全碳化硅器件的电力电子变压器，并在柔性变电站中开展示范应用。
考核指标：碳化硅MOSFET芯片容量≥6.5 kV/25 A，模块容量≥6.5 kV/400 A；柔性变电站电压≥35 kV，容量≥5 MW。形成1~2件国家/行业标准。
预期成果：打造全产业链SiC技术研发平台和产业化基地，培养一批领军型创新创业人才，申请发明专利50项，发表论文25篇，带动行业新增产值150亿元。
实施年限：不超过5年 拟支持项目数：1—2项
有关说明：企业牵头申报，其他经费与中央财政经费比例不低于3：1。
1.4 高品质、全光谱半导体照明材料、器件、灯具产业化制造技术
1.4.1 高品质、全光谱无机半导体照明材料、器件与灯具产业化制造技术
研究内容：研发基于蓝光LED激发多种荧光粉的全光谱白光
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半导体照明材料、器件、模组和灯具技术；研发蓝、绿、黄、红四基色半导体照明材料、器件、模组和灯具技术。
考核指标：在电流密度20 A/cm2注入下，蓝光（455±5nm）LED功率效率≥70%，泛绿光（490±5nm）LED功率效率≥55%，绿光（520±5nm）LED功率效率≥45%，黄光（570±5nm）LED功率效率≥25%，红光（625±5nm）LED功率效率≥55%，基于LED和荧光粉的全光谱白光显色指数≥90、流明效率≥110 lm/W。高显色指数灯具光效大于100 lm/W。形成1～2件国家/行业标准。
预期成果：申请发明专利50项，发表论文30篇，带动行业新增产值200亿元。
实施年限：不超过4年 拟支持项目数：1—2项
有关说明：企业牵头申报，其他经费与中央财政经费比例不低于2：1。
1.4.2 高效大面积OLED照明器件制备的关键技术及生产示范
研究内容：研究适用于高亮度照明条件下的OLED新型材料和高效长寿命叠层器件结构；研究高亮度大面积条件下OLED电荷输运机制、激子复合机理、发光材料和器件界面的退化机理；研发大面积OLED照明器件制备的关键技术及应用。
考核指标：在1000 cd/m2条件下，OLED小面积器件光效≥200
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lm/W，显色指数≥80；100×100 mm2的白光OLED面板光效≥150 lm/W；显色指数≥90，半衰寿命>1万小时；建成1条OLED照明生产示范线。
预期成果：申请发明专利50项，发表论文30篇。 实施年限：不超过4年 拟支持项目数：1—2项
有关说明：其他经费与中央财政经费比例不低于2：1。 1.5 第三代半导体固态紫外光源与紫外探测材料及器件关键技术
1.5.1 第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术 研究内容：面向空气和水净化、生化监测和高密度存储等应用，研究高质量高Al组分AlGaN材料外延、高效n/p型掺杂和量子阱结构发光特性调控技术；研究AlGaN基深紫外LED芯片的结构设计、关键制备技术及出光模式，实现高光功率、低工作电压的有效方法；研究深紫外LED芯片的先进封装技术及关键材料，实现低热阻、高可靠性、高光提取效率的深紫外LED器件；研究AlGaN基紫外激光二极管的结构设计和关键制备技术。
考核指标：研制出发光波长<280 nm的深紫外LED，100 mA电流下光功率>30 mW；面向空气、水资源等净化应用，开发出3～5种深紫外光源模组、产品及应用示范；研制出波长<260 nm的电子束泵浦深紫外光源，输出功率>150 mW；实现UVB波段激
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光二极管的电注入激射，UVA波段激光二极管实现峰值脉冲功率>20 W。形成1～2件国家/行业标准。
预期成果：申请发明专利25项，发表论文15篇。 实施年限：不超过5年 拟支持项目数：1—2项
有关说明：其他经费与中央财政经费比例不低于2：1。 1.5.2 第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术
研究内容：面向量子信息、医学成像、深空探测和国防预警等应用，研究高增益、低噪音AlGaN基日盲雪崩光电探测器、SiC紫外单光子探测器及多元成像器件的材料外延、结构设计、关键制备技术、结终端技术和单光子测试方法；研究紫外单光子探测器件的驱动和读出电路。
考核指标：研制出室温下单光子探测效率>10%、暗计数率<3 Hz/μm2的紫外单光子探测器及多元成像器件；实现雪崩增益>105、临近雪崩点暗电流<1 nA的日盲雪崩光电探测器。
预期成果：申请发明专利25项，发表论文15篇。 实施年限：不超过5年 拟支持项目数：1—2项
有关说明：其他经费与中央财政经费比例不低于2：1。 2. 新型显示
2.1 印刷显示新型材料及显示视觉健康研究
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2.1.1 新型发光材料与器件
研究内容：研究新一代有机发光材料、主体材料的设计及其制备，研究新概念显示器件发光与显示机理，研究新型器件结构优化设计，研究喷墨印刷、薄膜封装等器件工艺开发，建立材料与器件表征测试、检测评价体系，构建新一代显示材料与技术知识产权体系。
考核指标：新一代有机发光材料红光效率≥25 cd/A、1000 cd/m2下半衰寿命≥1.5万小时，绿光效率≥75 cd/A、1000 cd/m2下半衰寿命≥2万小时，蓝光效率≥12 cd/A、1000 cd/m2下半衰寿命≥3千小时。
预期成果：申请发明专利7项，发表论文20篇。 实施年限：不超过4年 拟支持项目数：1—2项 2.1.2 印刷TFT材料与器件
研究内容：研究印刷TFT的半导体、绝缘层和电极材料，研究载流子输运和调控机制。研究印刷TFT薄膜制备和窄线宽电极制备工艺，优化印刷TFT器件结构和制备工艺，研究印刷TFT的光电稳定性，研制高迁移率、高开关比的印刷TFT器件。
考核指标：印刷TFT阵列阈值电压<2 V，电流开关比≥107，迁移率≥15 cm2/Vs。
预期成果：申请发明专利7项，发表论文15篇。
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