粘在喷沙面上 粘 棒 AB胶 固 位 将一组棒固定在切割机相应位置上 切 割 线切割线径120μm，切速0.5mm/min 脱胶、清洗 高压水冲洗 硅片浸在水槽中 去 胶 手工剥离 废 片 插 片 插在片夹里 加清洗液完整片超声清洗 去离子水 鼓风吹 烘 干 温度70℃，3min 崩边、裂纹、色斑、污物、晶面脱落等 合 格 片 外观检查 废 片 、TTV、TVρ、BOW 不合格片 参数检测 热 处 理 消除热施主 合 格 片 分 档 电阻率分档 成 品 硅片主要加工工序工艺技术简述
·配棒：按不同长度将两根晶棒配置成一组，要求每组的出片率
大致相同。
·粘棒：将硅棒固定在专用的沾棒机床上，使晶棒的一端面与底板用热溶胶在420oC的温度下进行粘接。
·晶棒开方：将晶棒固定在底盘的相应位置上，采用线径为120μm
的大型线切割机进行切割，切割速度为0.8 ㎜/min。加工好的尺寸为125X125mm硅锭，一盘最多可加工25根硅锭。
·去热溶胶：将开方的硅锭浸在温度为60～100oC的水槽内，保
持20～30分钟可将粘在晶棒端面上的热溶胶去掉。
·滚磨：开方的硅锭通过滚磨使其四个顶角的直径尺寸达到150
±0.5mm。滚磨机装置有粗，中，细三种尺寸不同的粒径的砂轮，依次进行加工，这样既可获得比较高的滚磨速度，又可保证加工表面粗糙度Ω和损伤层均比较小的满意结果。
·碱腐蚀：腐蚀的用意是去除硅锭表面在滚磨加工过程中形成的
损伤层，这样可减少和避免硅片在后序加工中产生边缘缺陷。具体工艺为：将硅锭置放于盛有NaOH饱和溶液的腐蚀槽中，在90～1000C温度下，腐蚀8分钟，表面去除量为0.5～1.0㎜。硅锭表面损伤层可完全去除掉。
·配棒：将两根棒不同长度配置成一组，使其每组总长度大致相
同，便于每组切出的片子数量也大致相同。配棒好的每组棒摆放在一起并设有标记。
·粘棒：将配置好的硅锭的喷砂面与石英板用AB胶在常温下牢
固地粘接在一起。
·切割。线径为120μm，切速为0.34㎜/min。工艺中使用的切削
浆液是本厂配制的，粒径为1500目（8μm）。
去胶：粘接在硅片上的A，B胶，用水喷射办法与石英板底脱离。
硅片取出后放入水槽内，用手工的办法将胶剥离干净。
·装片（插片）：带上手套将去胶片装入片篮内，以便于对硅片后
续处理和记数等。插片过程也是选片过程，可将不合格的硅片挑选出。
·清洗：硅片清洗是在超声清洗槽内进行。清洗槽共有8个工位
槽，分别为清水槽（一个工位），放有清洗剂的清洗槽（三个工位）以及四个工位的清水槽。片篮依次按设定的程序进行清洗。清洗所用的水均为去离子水。
·烘干：烘干是在链式鼓风干燥炉内进行。片篮放在运行的链带
上，缓慢通过加热炉加热3分钟，在700C热风吹烤下将硅片烘干。
热处理：硅片通过热处理消除体内热施主对电阻率的影响。采用
的加热设备为马弗炉，温度为6500C，受热时间30分钟后，立即取出并用风扇急速冷却到室温。
三、硅片几何参数和性能参数检测：
加工好硅片进行厚度（TV），总厚度偏差（TTV），弯曲度（BOW）和电阻率等参数检测。上述参数均
在同一台型号为MS203无接触测量仪上进行。根据电阻率检测结果对硅片进行分档。掺镓硅片: 0.5～3Ω.㎝; 2～4Ω.㎝; 3～6Ω.㎝分为三档，掺硼硅片:1～3Ω.㎝为一档。按分档的硅片进行分别包装。