习题
第一章 半导体器件基础习题
1、PN结加正向电压时，空间电荷区将___A____。
A、变窄 B、基本不变 C、变宽 D、不能确定
2、如下图，二极管D是理想的，R=2KΩ，流过电阻的电流I=__A___。
A、5mA B、0mA C、10mA D、不能确定 3、三极管的发射结和集电结均处于正偏的情况下，则属于： Ａ、死区 Ｂ、截止区 Ｃ、放大区 Ｄ、饱和区
4、温度升高时，三极管的放大系数?： A.增大 B.减小
C.不变 D.无法判断
5、工作在放大区的某三极管，当IB从20uA增大到40uA时，IC从1mA变成2mA，则它的?值为：
A．10 B.50 C.100 D.500
6、某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20uA，则集电极电流等于（） Ａ.0.98 mA Ｂ.1.02 mA Ｃ.0.8 mA Ｄ.1.2 mA
7、半导体中，参与导电的载流子有____C___。
A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 D、不能确定 8、___C_____能将电信号转换为光信号。 A、稳压二极管 B、阻尼二极管 C、发光二极管 D、整流二极管
9、本征半导体中，自由电子的浓度___C___空穴的浓度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不能确定 10、太阳能电池是利用半导体的 B 。
A、热敏性 B、光敏性 C、参杂性 D、以上都是 11、N型半导体带电性为 C 。
A、正电 B、负电 C、中性 D、无法确定 12、N型半导体中的多数载流子是： A．电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
13、本征半导体中掺入五价元素后成为： A．本征半导体 B.N型半导体 C．P型半导体 D.无法确定
14、PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂移电流。 A.大于 B.小于
C．等于 D.无法判断 15、硅二极管的导通电压为： A．0.7V B.0.1V C．0.3V D.0.5V
16、稳压二极管稳压时，其工作在： A．死区 B.正向导通区 C. 反向截止区 D.反向击穿区
17、三极管电流放大作用的外部条件是： Ａ、发射结加反向电压，集电结加反向电压 Ｂ、发射结加正向电压，集电结加反向电压 Ｃ、发射结加正向电压，集电结加正向电压 Ｄ、发射结加反向电压，集电结加正向电压 18、半导体三极管是一种（ ）器件。 A、电流控制电流 B、电流控制电压 C、电压控制电压 D、电压控制电流
19、 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A、电压 B、温度 C、输入 D、杂质浓度
20、 PN结反向偏置时，空间电荷区（ ）。 A、不变 B、变窄 C、变宽 D、不能确定
21、二极管的最高反向工作电压是75V，则它的击穿电压是________。 A、50V B、100V C、150V D、200V
22、 在本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不等于 23、 PN结的主要特性（ ）。
A、单向导电性 B、双向导电 C、正偏 D、反偏
24、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 D、无法确定 25、下面不属于模拟信号的是 D ？
A、压力 B、温度 C、流量 D、人数
26、某放大电路中，晶体管三个电极的电流如下图所示，测出I1=1.8mA，I2=0.03mA，I3=－1.83mA，由此可知对应电极③是_____A___。
A、发射极 B、基极 C、集电极 D、不能确定
27、双极型晶体管BJT具有放大作用的外部条件是_____D__。
A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结反偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结正偏，集电结反偏
28、NPN型双极型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为UC________UB________UE。A
A、> > B、< < C、= < D、< >
29、当双极型晶体管发射结和集电结都正偏时，双极型晶体管处于______B__。 A、截止状态 B、饱和状态 C、放大状态 D、无法确定 30、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是__C_____。
A、IB=IC+IE B、IC=IB+IE C、IE=IB+IC D、无法确定
31、测量放大电路某三极管BJT的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为____B____。
A、PNP 锗三极管 B、PNP 硅三极管 C、NPN 锗三极管 D、NPN 硅三极管
32、二极管两端反向偏置电压增高时，在达到_____D___电压以前，通过的电流很小。
A、死区 B、最大 C、短路 D、击穿 33、杂质半导体中，少子的浓度与___D_____有关。
A、晶体缺陷 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、温度 34、如图所示电路中，二极管D所处的状态是__C____。
A、击穿状态 B、截止状态 C、导通状态 D、无法确定 35、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为____C____。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态
36、工作在放大区的三极管，当IB从20μA增大至40μA时，IC从1mA变为2mA，其β值约为_____A___。
A、50 B、100 C、500 D、1000
37、如图2所示电路中，二极管D所处的状态是（ ）。
图2
A、击穿状态 B、截止状态 C、导通状态 D、无法确定
38、由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为（ ）。 A、-12V B、+6V C、-6V D、+12V
39、PNP型双极型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为UC________UB________UE。
A、> > B、< < C、= < D、< >
40、两个稳压二极管的稳压值分别为7V和9V，将它们组成如图所示电路，设输入电压 U1值是20V，则输出电压 U0为 。 A、7V B、9V C、0V D、8V
41. 使用万用表直流电压挡，测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图3所示，则该晶体管工作在______。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 D、倒置状态
图3
42、 在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C. PNP 型硅管 D.PNP 型锗管
如下图所示，已知三极管工作在放大状态，回答题43-44
Z
+3V
+3.6V Y
Ｔ+9V X 图4
43、该管脚Y为：
A.发射极 B.基极 C.集电极 D.无法判断 44、该管子的类型为
A.PNP锗管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.NPN硅管
已知如图5所示，回答题45-46. 45.三极管剩下的管脚的电流为：
A.3.9mA，方向向下 B.3.9mA，方向向上 C.4.1mA，方向向下 D.4.1mA，方向向上 46.最左边的管脚是：
A.基极 B.发射极 C.集电极 D.不一定
图5
47、PN结的主要特性是___A_____。
A、单向导电性 B、双向导电 C、正偏 D、反偏
48、下图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位如图所示，则该晶体管的类型为____A_____。
A、NPN 硅管 B、NPN 锗管 C、PNP 硅管 D、PNP 锗管
49、上题中，x、y、z 代表的电极分别为 A 。
A、b、c、e B、b、e、c C、e、b、c D、c、e、b 50、NPN三极管放大工作状态时，电流的方向是___D____。 A、IE和IB流入、IC流出 B、IE流入、IB和IC流出 C、IC流入、IE和IB流出 D、IB和IC流入、IE流出
51、某晶体三极管集电极电流为1mA，基极电流为20μA，则发射极电流为_____B___mA。
A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.2 52、半导体三极管是一种___A_____器件。
A、电流控制电流 B、电流控制电压 C、电压控制电压 D、电压控制电流
53、测得双极型晶体管三个电极的静态电流分别为0.08mA，4.8mA和4.88mA，则该管的β为____D____。
A、40 B、50 C、80 D、60
54、两个稳压二极管的稳压值分别为8V和10V，将它们组成如图所示电路，设输入电压U1值是12V，则输出电压U0为__D______。
A、10V B、12V C、9V D、8V