一、填空题：（每小题２分）
１．晶闸管，英文为 ，简称ＳＣＲ，中文旧称 ，全称为晶体闸流管。 ２．晶闸管有三个 结，其内部可等效看成两个 。
３．由四层 交替叠成的晶闸管，其A、G、K三个引出极为 。 ４．普通晶闸管的开通时间在 左右，关断时间约在 。 5．开关二极管可分为正向导通、反向阻断、 和 四种状态。 ６．MR876是 公司生产的额定电流为 的快恢复功率二极管。 ７．功率MOSFET，是一种 控制器件，名称为 。 ８．IPM，它将IGBT芯片、 与保护、嵌位等电路封装在一个模块内，并称作
为 IGBT模块。
9．GTO器件的名称为 ，英文名为 。 10．用于高频且电压、电流也比较大的电力电子电路中，对于达林顿GTR、功率MOSFET、
IGBT等全控型器件，首选 ，其次分别为 。 11．SIT名为 管，是一种靠场效应引起元件中 消失或形成的器
件。
12．SIT的三个极为 ，在电路中的开关作用相当于 触点。 13．Choppter作为直流斩波器，通过 作用，将直流电压变为 。 14．型号为ＫＳ的 晶闸管，有 四种方式，其中第三种尽量不用。 15．PIC是一种 电路，是具有逻辑、控制、 和传感、检测、自诊
断等功能的电力电子芯片。
16．IEGT是 的派生器件，目前产品水平为4500V、1000A，可代替 用于高压大容量领域。
17．SITH为静电感应晶闸管，多为常“ ”型器件，当门极加 时，管子关断。 18．MCT是MOS控制晶闸管，当门极相对于 极加 脉冲电压时，会使MCT管子
导通，反之关断。
19．SSS是一种固态开关，一种以 为基础构成的 组件。 20．脉宽调制技术简称 ，是通过调节 来控制输出电压的一种控制技术。
21．单结晶体管又称为 管 ，当Ue增大到Ｕp＝ 时，管子进入负
阻状态。
22．SPWM名为 调制，其波形是一系列等幅不等宽的、且其脉冲宽度正
1
比于 的矩形波。
23．UPS就是 装置，当交流输入电源（市电）发生异常或断电时，它还能
够 。
24．? 的起算点，对三相整流来说，是在 点；而对单相整流是在 ?t = °。 25．额定电流为200A的快速晶闸管，型号为 ，晶闸管电流有效值为 。 26．PUT，即Ｎ型门极晶闸管，它既具有 的功能，又可作为 来使用。 27．对单相电路，控制角与导通角之间具有 的关系，? 的移项范围为 。 28．三相桥式相控整流电路，电阻负载，其Rd上的电压ud波形为三相 电压波形正半
周的 线。
29．三相桥式半控整流电路α ＝40?的输出波形，为 波头和 波头。 30．图形符号如 的器件，名为 管，它是将 制作
在同一管芯上。 31．如题图所示的器
件，是 ，它的三个极分别为 。
32．用于交流电动机变频调速的变频器，实际上都是（ ）器，用字母简称则
为 。
33．多相多重斩波电路所谓的“相数”和“重数”，分别是指从 端和 端看
进去的不同相位的斩波回路数。
34．在选用晶闸管的额定电压U T n时，应比工作中加在管子上的实际最大瞬时电压UTM
大 ，以公式表示则为 。
35.晶闸管的“额定电流”，指的是 ，额定电流１００Ａ的晶闸管，它的额定有效电流为 安培。
36．晶闸管的电流过载能力极小，选用时考虑 倍的电流裕量，流过管子的最大有效电流为３００安培时，应选用标称额定电流为 的晶闸管。 37．使用IGBT时，提供的正偏压在 为最佳，负偏压一般取 合适。 38．所谓IGBT的“转移特性”，是指 与 之间关系曲线。 39．通常建议GTO的强脉冲正触发电流Ig1值，为铭牌正向触发电流Ig的 倍，
负门极电压脉冲宽度 。
40．IGBT是以 为主导元件、以 为驱动元件的新型复合器件，具有
耐压高、电流大、速度快等优点。
41．变流装置的过流信号控制晶闸管触发脉冲快速后移至? ? 90? 区域，迫使故障电流迅
2
速下降，使该装置工作在 状态，此法通常称为“ ”。
二、单项选择题（每小题2分）
1．某单相桥式全控整流电路，U2＝220V，选用晶闸管时，额定电压应取（ ）Ｖ。 a．700 b．1500 c．220 d．400 2．晶闸管阳极与阴极之间的正向电阻，应在（ ）。
a．数百千欧以上 b．１千欧左右 c．20k?左右 d．100k?以下 3．单相全波整流电路，晶闸管承受的正反向最大电压为（ ）。 a．2U2 b．U2 c．2U2 d．U2
5．在晶闸管关断时，管子电压波形会出现毛刺，此反向尖峰过电压值可达工作电压峰值
的（ ）倍。
a．2 ～ 3 b．５～６ c．10 ～ 20 d．100
6． 描述IGBT集电极电流IC与集射电压UCE之间关系的曲线，称为（ ）特性。 a．输出特性 b．伏安特性 c．转移特性 d．a与b
7．对于三相全控桥式整流电路，在1# 管触发前，“★”号管应刚被触发过，1# 管触发后，
它将和☆号管构成回路，题中的“★”和“☆”分别为（ ）。 a．６，２ b．６，６ c．２，２ d．２，６
8．当三相全控桥的４号触发板发出脉冲时，它还通过本板的“★”线，“通知”“■”号
板的“☆”线端，让该板此时补发一个脉冲。题中的“★、■、☆”分别为（ ）。 a． X，3，Y b．Y，3，Y c．X，5，X d．Y，3，X
９．对于三相全控桥式整流电路、大电感负载，触发器为锯齿波ＰＮＰ管，同步信号电压
uS相对于主电压的相位，应当（ ）。
a．同相位 b．相差180° c．滞后60° d．领先60?
10． 三相全控桥式整流电路，整流变压器连接为Ｄy9（△／Ｙ－９），触发电路为ＮＰＮ
管锯齿波移项，同步变压器TS的钟点数与接法应为（ ）。
a．Ｄy9 b．Yy12 c．Dy3 d．Yy5
11．三相半波相控整流电路，整流变压器为ＤＹ１（△／Ｙ－１）接法，采用ＰＮＰ晶体
管的正弦波同步触发电路，则同步变压器TS的钟点数与接法应选（ ）。 a．Dy１ b．Dy7 c．Dy5 d．Dy11
12．三相半控桥大电感负载，整流变压器连接为Ｄd８（△／△－８），触发电路采用ＮＰ
Ｎ正弦波同步移项，其同步变压器TS的钟点数与接法应选（ ）。
3
a．Dy11 b．Ｄd１２ c．Dy5 d．Ｄd２
13．接线方法采用如题图 所示的基极条件下， 查找《手册》中GTR的集电极击
穿电压，应该看（ ）栏。
a．BUCBO b．BUCEO c．BUCES d． BUCES
14． 在题图示的几种接线方法中，那一种基极回路下的集电极击穿电压最高：（ ）。
a. b. c. d. 15． 在题图示的几种接线方法中，那一种基极回路下的集电极击穿电压最低：( )。
a. b. c. d. 16．在题图所示的GTR伏安特性中，那一种符合《手册》里BUCEX 的基极条件：（ ）．
IC d b a e
17．有关ＩＧＢＴ的“锁定”效应，以下讲法错误的是（ ）。
a．由于其内部存在的寄生晶闸管所造成 b．有静态锁定和动态锁定两种形式
c． 因IC过大而引起的，称为“动态锁定” d． 锁定时，栅极失控，应避免发生 18．题图所示的三相同步变压器，其接法和钟
点数为：（ ）。
a．Dy3 b．Dy5
c．Dd1 d．Dy11
19．题图所示的三相整流变压器接法，如触发电路
为ＮＰＮ正弦波移相，配用同步变压器的钟点 数与接法为：（ ）。
a．Dy9 b．Ｄy７ c．Dy1 d． Dy3
Ａ Ｂ Ｃ c a b Ａ Ｂ Ｃa c UCE o Ａb
c Ａ
20．关于ＫＣ０４集成电路，以下讲法错误的是：（ ）。
a．KC04为移相触发器 b．1#、15#脚分别输出正、负相脉冲
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c．内部原理与分立元件正弦波同步触发一样 d．用于单相或三相整流触发 21．对教科书Ｐ35图１-25的电路，以下理解错误的是：（ ）。
a．主电路为单相全控桥、电阻负载 b．每个半波，起触发作用的是第一个ug脉冲
c．Re调大时，控制角?会变大 d．稳压管并上电容会造成各半周的?不一致 22．对于“二次击穿”问题，下述讲法错误的是（ ）。 a．它是影响GTR可靠工作的重要因素
b．第一次没有击穿，后来第二次才发生击穿现象，就是“二次击穿” c．IGBT没有“二次击穿”问题
d．在SOA区工作的管子不会发生二次击穿
23．在晶闸管串联使用的问题上，下述观点中错误的是：（ ）。 a．两个管子串联，则两管耐压之和即为总耐压 b．均压电阻能防止静态不均压 c．动态均压通常在管子两端并电容 d．阻容吸收也能起动态均压作用
24．并联使用晶闸管时，以下几点考虑中错误的为：（ ）。 a．选用特性比较一致的管子，不要用强触发 b．与管子串联的电阻，可作为均流电阻 c．管子串电抗，能起到动态均流效果 d．非不得已，最好不用管子并联的做法
25．全控型器件IGBT及达林顿GTR、MOSFET在使用上，应注意以下情况：（ ）。 a．它们都有二次击穿现象 b．IGBT与GTR有锁定现象
c．MOSFET不会静电击穿 d．IGBT有静电击穿和锁定现象，但没有“二次击穿” 26．IGBT与达林顿GTR、功率MOSFET相比较，在高压化、高速化和大电流化上，特点
为：（ ）。
a．IGBT都容易做到 b．MOSFET易于高压化、大电流化 c．达林顿GTR易于高速化 d．IGBT难于做到大电流化
27．在研究电力电子器件的开关特性时，开通特性的数据测试如下规定：（ ）为有效。
a．输入80﹪、输出100﹪ b．输入50﹪、输出50﹪ c．输入10﹪、输出90﹪ d．输入﹪60、输出100﹪
28．在研究电力电子器件的开关特性时，关断部分的数据测试有如下规定：（ ）为有效。
a．输入50﹪、输出50﹪ b．输入90﹪、输出10﹪
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