（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R的取值范围是多少？
解：（1）当开关S闭合时发光二极管才能发光。 （2）为了让二极管正常发光，ID＝5～15mA， R的范围为
Rmin?(V?DV)DImax?233? Rmax?(V?DV)DImin?700?。题图2.3.1
可以计算得到R= 233～700Ω
习题3客观检测题
一、填空题
1. 三极管处在放大区时，其 集电结 电压小于零， 发射结 电压大于零。 2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。
3. 在半导体中，温度变化时 少 数载流子的数量变化较大，而 多 数载流子的数量变化较小。
4. 三极管实现放大作用的内部条件是： 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小 ；外部条件是： 发射结要正向偏置、集电结要反向偏置 。 5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。
6. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 100 。
7. 三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 放大区 和 截止区 。 8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。
9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。 10. 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V，接入12k?的负载电阻后，输出电压降为
2.5V，这说明放大电路的输出电阻为 12 k?。
11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入 共集电极 组态的放大电路。
12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出：
（1）电源电压VCC= 6V ；
（2）静态集电极电流ICQ= 1mA ；集电极电压UCEQ= 3V ； （3）集电极电阻RC= 3kΩ ；负载电阻RL= 3kΩ ；
（4）晶体管的电流放大系数?= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数Av= －50 ；（rbb'取200?）；
（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；
（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。
题图3.0.1
13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极－基极偏置电路 。 14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻 小 。
15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。
16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。 17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。
18. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用； 19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用；
20. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用； 21. 射极输出器的输入电阻较 大 ，输出电阻较 小 。
22. 射极输出器的三个主要特点是 输出电压与输入电压近似相同 、 输入电阻大 、 输出电阻小 。
23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指 “小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分析，不适合静态工作点和电流电压的总值的求解 ，不适合大信号的工作情况分析。 24. 放大器的静态工作点由它的 直流通路 决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的 交流通路 决定。
25. 图解法适合于 求静态工作Q点；小、大信号工作情况分析 ，而小信号模型电路分析法则适合于 求交变小信号的工作情况分析 。
26. 放大器的放大倍数反映放大器 放大信号的 能力；输入电阻反映放大器 索取信号源信号大小的能力 ；而输出电阻则反映出放大器 带负载 能力。
27. 对放大器的分析存在 静态 和 动态 两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为 Q点 。
28. 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO
和VI的相位关系为 反相 ；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位关系为 同相 。 29. 在由NPN管组成的单管共射放大电路中，当Q点 太高 （太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉 波谷 ；当Q点 太低 （太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压的波形被削掉 波峰 。
30. 单级共射放大电路产生截止失真的原因是 放大器的动态工作轨迹进入截止区 ，产生饱和失真的原因是 放大器的动态工作轨迹进入饱和区 。 31. NPN三极管输出电压的底部失真都是 饱和 失真。 32. PNP三极管输出电压的 顶部 部失真都是饱和失真。 33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC耦合， 直接耦合， 变压器耦合。 34. BJT三极管放大电路有 共发射极 、 共集电极 、 共基极 三种组态。 35. 不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此，这种BJT接入电路时，总要使它的发射结保持 正向 偏置，它的集电结保持 反向 偏置。
36. 某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V，则三极管的集电极是 A ，基极是 C ，发射极是 B 。该三极管属于 PNP 型，由 锗 半导体材料制成。
37. 电压跟随器指共 集电 极电路，其 电压 的放大倍数为1； 电流跟随器指共 基 极电路，指 电流 的放大倍数为1。
38. 温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，ICBO 增加 ，? 增加 ，正向发射结电压UBE 减小 ，PCM 减小 。
39. 当温度升高时，共发射极输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲线将 上移 ，而且输出
特性曲线之间的间隔将 增大 。
40. 放大器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区 。
41. 在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，VCEQ的变化情况（a. 增加，b，减小，c. 不变，将答案填入相应的空格内）。 （1）Rb增加时，VCEQ将 增大 。 （2）Rc减小时，VCEQ将 增大 。 （3）RC增加时，VCEQ将 减小 。 （4）Rs增加时，VCEQ将 不变 。 （5）?减小时（换管子），VCEQ将 增大 。 （6）环境温度升高时，VCEQ将 减小 。
题图3.0.2
42. 在题图3.0.3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。） （1）若Rb阻值减小，则静态电流IB将 增大 ，VCE将 减小 ，电压放大倍数Av将 增大。
VCE将 增大，（2）若换一个?值较小的晶体管，则静态的IB将 不变 ，电压放大倍数Av将 减小。
（3）若RC阻值增大，则静态电流IB将 不变 ， VCE将 减小 ，电压放大倍数Av将 增大 。
题图3.0.3
43. 放大器的频率特性表明放大器对 不同频率信号 适应程度。表征频率特性的主要指标
是 中频电压放大倍数 ， 上限截止频率 和 下限截止频率 。 44. 放大器的频率特性包括 幅频响应 和 相频响应 两个方面，产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同 。
45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。 46. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 47. 幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为 截止频率 。
48. 阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时，低频区电压增益下降的原因是由于存在 耦合电容和旁路电容的影响 ；高频区电压增益下降的原因是由于存在 放大器件内部的极间电容的影响 。
49. 单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，电压增益的幅值比中频时下降了 3 dB，高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别为 -45o 和+45o 。
50. 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应高频区的斜率为 -20dB/十倍频 ，幅频
响应低频区的斜率为-20dB/十倍频 ；附加相移高频区的斜率为 -45o/十倍频 ，附加相移低频区的斜率为 +45o/十倍频 。
??40dB，51. 一个单级放大器的下限频率为fL?100Hz，上限频率为fH?30kHz，AVM如果输入一个15sin(100,000?t)mV的正弦波信号，该输入信号频率为 50kHz ，该电路 不会 产生波形失真。
52. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带变 窄 ，电压增益 增大 ，高频区附加相移 增大 。
二、判断题
1. 下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。 （1）3.2V，5V，3V；
解：锗NPN型BJT管 VBE=0.2 V 所以为锗管；5V为集电极，3.2V为基极，3V为发射极，
（2）－9V，－5V，－5.7V
解：硅PNP型BJT管；－9V为集电极，－5.7V为基极，－5V为发射极 （3）2V，2.7V，6V；
解：硅NPN型BJT管；6V为集电极，2.7V为基极，2V为发射极 （4）5V，1.2V，0.5V；
解：硅NPN型BJT管；5V为集电极，1.2V为基极，0.5V为发射极 （5）9V，8.3V，4V
解：硅PNP型BJT管 9V为发射极，8.3V为基极，4V为集电极 （6）10V，9.3V，0V
解：硅PNP型BJT管， 10V为发射极，9.3V为基极，0V为集电极 （7）5.6V，4.9V，12V；
解：硅NPN型BJT管，12V为集电极，5.6V为基极，4.9V为发射极， （8）13V，12.8V， 17V；
解：锗NPN型BJT管，17V为集电极，13V为基极，12.8V为发射极， （9）6.7V，6V，9V；
解：硅NPN型BJT管，9V为集电极，6.7V为基极，6V为发射极， 2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。
1管：VB??2V,VE??2.7V,VC?4V; 答：NPN管，工作在放大状态。 2管：VB?6V,VE?5.3V,VC?5.5V; 答：NPN管，工作在饱和状态。
3管：VB??1V,VE??0.3V,VC?7V;
答：NPN管，工作在截止状态。
3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？
2.3V 6V 9.3V 0V
2.3V 3V 5.7V 1.9V 3V 6V 5V 1.6V C A D B 题图3.0.4 答：题图3.0.4所列三极管中，只有图（D）所示的三极管处在放大区。
4. 放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管可能发生的故障是什么？
答：题图3.0.5所示的三极管，B、E极之间短路，发射结可能烧穿。
题图3.0.5
5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的? 为①。
①为60。 ②为61。 ③0.98。 ④无法确定。 6. 只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 ②b极 。 ①e极 ②b极 ③c极
7. 共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其 ① 。
①输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。 ②输入和输出均具近似的恒流特性。 ③输入和输出均具有近似的恒压特性。
④输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性。
8. 共发射极接法的晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R时的c，e间的击穿电压分别用V（BR）CEO ，V（BR）CES和V（BR）CER表示，则它们之间的大小关系是 ② 。
①V（BR）CEO＞V（BR）CES＞V（BR）CER。 ②V（BR）CES＞V（BR）CER ＞V（BR）CEO。 ③V（BR）CER＞V（BR）CES＞V（BR）CEO。 ④V（BR）CES＞V（BR）CEO＞V（BR）CER。 9．题图3.0.6所示电路中，用