太阳能电池工作原理
太阳能电池工作原理的基础是半导体PN结的光生伏打效应。当太阳光或其他光照射半导体的PN结时，就会在PN结的两边出现电压（光生电压），假如从PN结两端引出回路，就会产生电流，太阳能电池就可以工作了。 一次清洗
目的：去除硅片表面的杂质残留，制做能够减少表面太阳光反射的陷光结构。 原理 ：
单晶：利用碱溶液对单晶硅各个晶面腐蚀速率的不同,在硅片表面形成类似“金字塔”状的绒面。
Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 + 2H2 ↑
多晶：利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性，对硅进行氧化和络合剥离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，从而形成类似“凹陷坑”状的绒面。
Si + HNO3 → SiO2 + NOx ↑ + H2O SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O 制PN结（扩散）
目的：在P型硅表面上渗透入很薄的一层磷，使前表面变成N型，使之成为一个PN结。 原理 ：
POCl3液态源：通过气体携带POCL3分子进入扩散炉管，使之反应生
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成磷沉淀在表层。磷在高温下渗透入硅片内部形成N区。4POCL3 + 5O2 = 2P2O5 + 6Cl2↑ 去边结
目的：去除硅片边缘的N型区域，将硅片内部的N层和P层隔离开，以达到 PN结的结构要求。 原理 ：
干法刻蚀（等离子刻蚀）：等离子刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，这些活性粒子与需要被刻蚀区域的Si/SiO2发生反应，形成挥发性生成物而被去除。 二次清洗
目的： 去除硅片表面的P-Si玻璃层（PSG）,为加镀减反射膜做准备。 原理 ：利用HF和硅片表面的P-Si玻璃层反应，并使之络合剥离，以达到清洗的目的。HF + SiO2 → H2SiF6 + H2O 去PSG发展方向：
相对来讲，二次清洗是比较简单的工艺，之后的发展应该会如同RENA的设备一样，集成湿法刻蚀设备，从而缩减流程。2P2O5 + 5Si = 4P + 5SiO2 镀减反射膜（PECVD）
目的：在硅片前表面均匀的镀上一层高效的减反射膜，并对mc-Si进行体钝化。
原理 ： PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，
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在基片上沉积出所期望的薄膜。 印刷和烧结
目的：在电池上下表面各印上电极图形，经烧结与硅片形成欧姆接触。
原理：银浆，铝浆印刷过的硅片，通过烘干有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上，可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。当硅片投入烧结炉共烧时，金属材料融入到硅里面，之后又几乎同时冷却形成再结晶层，也就是在金属和晶体接触界面上生长出一层外延层，如果外延层内杂质成份相互合适，这就获得了欧姆接触。
印刷工艺流程：
印刷背电极 → 烘干 →印刷背电场 → 烘干 →印刷正面栅线 烧结工艺流程：
印刷完硅片 → 烘干 →升温 → 降温共晶 → 冷却 一、 禁带亮度
VOC随Eg的增大而增大，但另一方面，JSC随Eg的增大而减小。结果是可期望在某一个确定的Eg随处出现太阳电池效率的峰值。
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二、温度
随温度的增加，效率η下降。ISC对温度T很敏感，温度还对VOC起主要作用。
对于Si，温度每增加1°C，VOC下降室温值的0.4%，h也因而降低约同样的百分数。例如，一个硅电池在20°C时的效率为20%，当温度升到120°C时，效率仅为12％。又如GaAs电池，温度每升高1°C，VOC降低1.7mv 或降低0.2%。
三、复合寿命
希望载流子的复合寿命越长越好，这主要是因为这样做ISC大。在间
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接带隙半导体材料如Si中，离结100mm处也产生相当多的载流子，所以希望它们的寿命能大于1ms。在直接带隙材料，如GaAs或Gu2S中，只要10ns的复合寿命就已足够长了。长寿命也会减小暗电流并增大VOC。
达到长寿命的关键是在材料制备和电池的生产过程中，要避免形成复合中心。在加工过程中，适当而且经常进行工艺处理，可以使复合中心移走，因而延长寿命。 四 光强
将太阳光聚焦于太阳电池，可使一个小小的太阳电池产生出大量的电能。设想光强被浓缩了X倍，单位电池面积的输入功率和JSC都将增加X倍，同时VOC也随着增加(kT/q)lnX倍。因而输出功率的增加将大大超过X倍，而且聚光的结果也使转换效率提高了。
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