电工电子试题

2018-12-03 19:57

5.1

1、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向_相反__,有利于_多数载流子_ ____的__扩散___运动而不利于_少数载流子_____的_漂移____;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向_一致____,有利于_少子____的__扩散__运动而不利于_多子___的_扩散____,这种情况下的电流称为__反向饱和____电流。

2、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_五_____价元素组成的。这种半导体内的多数载流子

为_自由电子_____,少数载流子为__空穴____,不能移动的杂质离子带_正____电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的__三__价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为__空穴____,少数载流子为_自由电子____,不能移动的杂质离子带__负____电。

3、PN结两端加正向电压时,其正向电流是( A )而成。

A、多子扩散 B、少子扩散 C、少子漂移 D、多子漂移

4、P型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。

A、三价 B、四价 C、五价 D、六价

5、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,则输出电压的平均值将变为原来的一半。( 错 )

6、PN结正向偏置时,其内、外电场方向一致。 ( 错 ) 7、自由电子载流子填补空穴的\复合\运动产生空穴载流子。 (对 ) 8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。 ( 错 )

9、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?

答:这种说法是错误的。因为晶体在掺入杂质后,只是共价键上多了电子或少了电子,从而获

得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子,所以仍呈电中性。 10、如图所示电路,判断各二极管处于何种工作状态?设VD=0.7V,求UAO=?

解:图(a)中的二极管处于截止状态,UAO=-12V。

图(b)中的二极管VD1处于导通状态,VD2处于截止状态, UAO=-0.7V。

图(c)中的VD1、VD3处于截止状态,VD2、VD4处于导通状态, UAO=7.3V。

5.2

1、在桥式整流滤波电路中,输出电压Uo与变压器二次电压U2的关系是__输出脉动大____和__交流成分低____等。

3、整流电路是利用具有_单向导电性_____的整流器件,将__大小____随时间变化的正弦交流电压变成__单向脉动____的直流电压。常见的整流器件有_整流二极管_____和晶闸管。

4、单相桥式整流电路中,如果二极管VD2断路,则电路会(A )。

Uo?1.2U2____。

2、单相半波整流电路的优点是_结构简单_____和__使用的元器件少____。缺点是__效率低____、__

A、等效为半波整流电路 B、正常工作 C、整流管将因电流过大而烧坏 5、单相桥式整流电路中,如果二极管VD2接反了,则电路会( C )。

A、等效为半波整流电路 B、正常工作 C、整流管将因电流过大而烧坏 6、整流的目的是( A )。

A、将交流变为直流 B、将高频变为低频 C、将正弦波变为方波

7、在单相二极管整流电路中,设各种电路的变压器二次电压U2均相同,则二极管承受反向电压最高的是( B ),输出电压最低的是(A )。

A、半波整流电路 B、全波整流电路 C、桥式整流电路

8、在变压器二次电压相同的情况下,桥式整流电路的输出直流电压比半波整流电路的高1.2倍。( 错 )

9、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。(对 )

10、如图所示电路中,已知E=5V,iV,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻R=0,反向阻断时电阻R=∞),试画出u0的波形。

u?10sin?t

答:分析:根据电路可知,当ui>E时,二极管导通u0=ui;当ui

u/V 10 5 0 uiu0 ωt

5.3

1、稳压管是一种由特殊物质制造的___接触型的面_____二极管,正常工作应在特性曲线的__反向击穿区。

2、稳压二极管的正常工作状态是( C )。

A、导通状态 B、截止状态 C、反向击穿状态 D、任意状态

3、稳压二极管也具有单向导电性,因此可作为整流器件使用。(错 )

4、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。 (错 )

5、如图所示电路中,硅稳压管DZ1的稳定电压为8V,DZ2的稳定电压为6V,正向压降均为0.7V,求各电路的输出电压U0。

答:(a)图:两稳压管串联,总稳压值为14V,所以U0=14V; (b)图:两稳压管并联,输出电压按小值计,因此U0=6V; (c)图:两稳压管反向串联,U0=8.7V;

(d)图:两稳压管反向并联,可认为DZ1截止不通,则U0=0.7V。

6、如图所示稳压管电路,其中VZ1=7V,VZ2=3V,两管正向导通电压均为0.7V,该电路的输出电压为多大?为什么?

解:电路的输出电压为3V。若输出电压为7V,则VZ2可能会被击穿而烧坏。

5.5

1、二极管上标有色环,带色环的一端则为_负_____。

2、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的__ R×1K___档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的__阴__极;与黑表棒相接触的电极是二极管的_阳__极。检测二极管的好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被__击穿___;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经_绝缘老化不通___。

3、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。

A、已经击穿 B、完好状态 C、内部老化不通 D、无法判断

6.1

1、三极管具有电流放大作用的实质是利用___基极____电流实现对___集电极____电流的控制。 2、三极管的内部结构是由 __发射___区、___基___区、__集电____区及__发射___结和__集电___结组成的。三极管对外引出的电极分别是__发射___极、__基____极和__集电____极。

3、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是( C )。

A、发射结正偏、集电结正偏 B、发射结反偏、集电结反偏 C、发射结正偏、集电结反偏 D、发射结反偏、集电结正偏

4. 三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICM B、集-射极间反向击穿电压U(BR)CEO C、集电极最大允许耗散功率PCM D、管子的电流放大倍数

5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。 (错 ) 6、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。 (错 )

?7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?

答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大倍数会大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。

8、半导体二极管由一个PN结构成,三极管则由两个PN结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管呢?如不能,请说明理由?

答:将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为,两个背靠背的二极管,其基区太厚,不符合构成三极管基区很薄的内部条件,即使是发射区向基区发射电子,到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉,根本不可能有载流子继续向集电区扩散,所以这样的\三极管\是不会有电流放大作用的。

9、半导体和金属导体的导电机理有什么不同?单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同?

答:金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子,它们同时参与导电,这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电,因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。 10、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12、管脚②3V、管脚③8.5V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答:管脚③和管脚②电压相差0.7V,显然是硅管,一个是基极,另一个是发射极,而管脚①比管脚②和③的电位都高,所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极,管脚③是基极,管脚①是集电极。

11、三极管各电极实测数据如图所示。回答以下问题: (1)各个管子是PNP型还是NPN型? (2)是锗管还是硅管?

(3)管子是否损坏(指出哪个结已开路或短路)?若不损坏处于放大、截止、饱和哪一种工作状态?

解:图(a)的三极管为NPN型Si管,处于放大状态。 图(b)的三极管为PNP型Ge管,处于放大状态。 图(c)的三极管为PNP型Si管,管子损坏,发射结开路。 图(d)的三极管为NPN型Si管,处于饱和状态。

图(e)的三极管为PNP型Ge管,处于截止状态。

6.2

1、共发射极放大电路的特点是:不仅具有电流放大倍数,而且__具有电压放大倍数____;放大电路

中三极管的管压降UCE随IC__增大而减小____;输出信号与输入信号_反向_____。

2、共集电极放大电路又叫__射极输出器____,其电路特点为:_电压放大倍数小于1_____,输出电压与输入电压__同向____,输入电阻___高___,输出电阻__低____。由于它的这些特点,该电路常常被用作多级放大电路的_输入级_____、_输出级_____或__中间隔离级____。

3、晶体管由于在长期工作过程中,受外界__温度_____及电网电压不稳定的影响,即使输入信号为零时,放大电路输出端仍有缓慢的信号输出,这种现象叫做__零点_____漂移。克服___零点____漂移的最有效常用电路是___差动____放大电路

4、差动放大电路的电路结构应对称,电阻阻值应__相等_____。

5、差动放大电路中,当ui1=300mV,ui2=200mV时,分解为共模输入信号uic=__220mv_____,差模输入信号uid=_50mv______。

6、基本放大电路的三种组态分别是:__共发射级___放大电路、__共集电级___放大电路和__共基级___放大电路。

7、输入电阻和输出电阻是衡量放大电路性能的重要指标,一般希望放大电路的_输入电阻大些_____,以减小对信号源的影响。希望_输出电阻小些_____,以增大带负载能力。

8、对放大电路作静态分析时,电容器可视为__断路____;作动态分析时,耦合电容、旁路电容可视为__短路____。

9、三极管放大电路输入信号不等于零的工作状态称为__动态____。对放大电路的动态分析,也即是求解放大电路的_电压放大倍数_____、__输入电阻____和__输出电阻____,在放大电路的__交流通路____中进行。分析方法为_图解法_____和__微变等效电路法____。

10、三极管放大电路输入信号等于零的工作状态称为__静态____。设置静态工作点的目的是_为了消除非线性失真_____,其数值用___ IBQ___、__ ICQ____和___ UCEQ___来表示。电路静态分析是在放大电路的__直流通路____中进行,分析方法为__图解法____和___估算法___。

11共发射极放大电路的静态工作点设置较低,造成截止失真,其输出波形为__上___削顶。若采用分压式偏置电路,通过___反馈环节__调节__合适的基极电位___,可达到改善输出波形的目的。 12射极输出器具有__电压增益___恒小于1、接近于1,__输入信号___和 _输出信号____同相,并具有__输入电阻___高和_输出电阻____低的特点。

13、放大电路应遵循的基本原则是:__发射___结正偏__集电___结反偏。

14、某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kΩ负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为_1kΩ____。

15、如图所示电路,输出正半周波形削波,说明该电路工作点(A )

A、偏低 B、偏高 C、合适

16基本放大电路中,经过晶体管的信号有( C )。

A、直流成分 B、交流成分 C、交、直流成分均有


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