南京理工大学课程考试答案及评分标准
课程名称： 材料物理性能 学分： 3 教学大纲编号： 16021702 试卷编号： A 考试方式： 闭卷 满分分值： 100 考试时间： 120 分钟 一．不定项选择题 （1×15，共计15分）（基础题：考查各类物理性能的物理本质、表征等基本概念） 1. 附图是导体、半导体、绝缘体在热力学温度T = 0 K时的能带结构图。其中属于绝缘体的能带结构是 A 。 满 带 (1) 禁带 导带(空带) 禁带 禁带 导带(空带) 导带(未满) 空 带 导带(未满) 禁带 重合 满 带 (2) 满 带 (3) 满 带 4) A. (1) B. (2) C. (1)、(3) D. (3) 2. 下列关于离子导体导电机制的叙述正确的是： AB 。 A. 低温下以杂质导电为主，高温下以本征导电为主 B. 高温下以杂质导电为主，低温下以本征导电为主 C. 低温及高温下都以杂质导电为主 D. 低温及高温下都以本征导电为主 3. 晶格的热传导必须用声子的 （1）B 近似来解释，此时的声子气 （2）A 理想气体，因为声子之间 （3）A 碰撞。 （1）A．简谐 B. 非谐 C.近自由电子 D.紧束缚 （2）A．是 B. 不是 （3）A．发生 B. 不发生 4. 固体材料的点阵热容，尤其是低温热容，由下列哪个模型给出了较好的解释： A 。 A. 德拜模型 B.爱因斯坦模型 C.杜隆-珀替模型
第1页
15. 关于磁畴壁的畴壁厚度与能量之间的关系，下列描述正确的是： AD 。 A. 各向异性能随畴壁厚度增加而增加 B. 各向异性能随畴壁厚度增加而减小 C. 交换能随畴壁厚度增加而增加 D. 交换能随畴壁厚度增加而减小 6. 关于影响材料导电性的因素，下列说法中正确的是 D 。 A．由于晶格振动加剧散射增大，金属和半导体电阻率均随温度上升而升高。 B．冷塑性变形对金属电阻率的影响没有一定规律。 C．“热塑性变形＋退火态” 的电阻率高于“热塑性变形＋淬火态”的电阻率 D．一般情况下，固溶体的电阻率高于纯组元的电阻率。 7. （注意：a)与b)中选做一题） a) 下面哪种器件利用了压电材料的热释电功能 B 。 A． 电控光闸 B． 红外探测器 C．铁电显示器件 D．晶体振荡器 b) 下列对于折射率的定义正确的有 AD 。 A． (εμ)1/2 B．(ε/μ)1/2 C．(ε)1/2 D．真空光速/介质光速 8. 利用立方稳定的氧化锆作为氧敏元件来监控汽车的排气成分是利用了它的 A 性能。 A． 快离子导电 B． 压电 C．铁电 D．铁磁 9. （注意：a)与b)中选做一题） a) 钢铁材料的组织中属于非铁磁性相的是 C 。 A． 珠光体 B． 马氏体 C．奥氏体 D．铁素体 b) 下列对于半导体导电性表述正确的有 BD 。 A．杂质浓度越高导电性越好 B．载流子浓度越高导电性越好 C．温度越高导电性越好 D．载流子迁移率越高导电性越好
共4页
课程名称： 材料物理性能 学分： 3 试卷编号： A 10. 根据电介质的分类，H2O属于 B 。 A． 非极性电介质 B． 极性电介质 C．铁电体 D．铁磁体 11. 如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂，(2)硅用铝(三价元素)掺杂，则获得的半导体分别属于下述类型： B 。 A．(1)、(2)均为n型半导体。 B．(1)为n型半导体，(2)为p型半导体。 C. (1)为p型半导体，(2)为n型半导体。 D．(1)、(2)均为p型半导体。 12. 离子导体的电导率与离子晶体的结合力及导电激活能有关，因此下面关于NaF与NaCl电导率的比较中，正确的是 A 。 A．NaF的电导率较高 B． NaCl的电导率较高 C．两者相等 D．无法比较 13. 以下特性中，一般超导体都具有的包括： ABC 。 A．零电阻 B．完全抗磁性 C．约瑟夫森效应 D．巴克豪森效应 二 判断说明题：对下列陈述进行判断，并说明错误的原因（注：7题中选做5题，3×5分，共计15分） 1. 与纯铝相比，纯铜的电导率较高，而热导率较低。 答：错误。与纯铝相比，纯铜的电导率较高，而热导率也较高。 2. 高温超导体是指超导临界转变温度在液氮温区以上的超导体。 答：正确。 3. 陶瓷材料的弹性模量随孔隙率增大而增大。 答：错误。陶瓷材料的弹性模量随孔隙率增大而减小。 4. 晶格振动的简谐近似模型无法对声子的导热做出满意解释。 答：正确。
第2页
5. 铁磁体的交换积分小于零，相邻原子磁矩同向平行排列。 答：铁磁体的交换积分大于零，相邻原子磁矩同向平行排列。 6. 根据波粒二象性理论，光子和电子有相同的色散关系。 答：错误。光子的色散关系为??ck 而自由电子的为????2k2/(2m) 7. 如果某材料极化过程中没有任何弛豫，则在交变电场下没有介电损耗。 答：正确 三 问答题 （注：6题中选做4题，4×10分，共计40分) 1. 杂质半导体分为哪几类？以纯硅为例，说明掺杂后其电导率有何变化？并解释原因。 答：杂质半导体分n型与p型，前者是在硅或锗中掺杂第五主族的元素，后者掺杂第三主族元素。纯硅中掺杂后，电导率提高。以n型半导体为例，掺杂的第五主族的原子，其最外层的四个电子分别和一个最近邻的硅原子价电子结合成共价键，多余的电子不再与核紧密束缚，因此在原来本征半导体的禁带中靠近导带处形成一个杂质的电子的能级，即施主能级，0K时这一能级被电子占据，并不能用于导电。但当温度升高后，只需要不高于10-2ev的能量，便可以把施主能级上的电子激发至导带，载流子浓度大幅增加，因此具有更高的电导率。 2. 晶体结构上具有对称中心的晶体具有热释电性吗？为什么？(10分)（基础题：考查热释电材料的晶体结构条件） 答：晶体结构上具有对称中心的晶体不具有热释电性（3分）。具有热释电性的晶体结构不具备对称中心，且具有唯一的极轴（2分）。热释电性是指电极化强度随温度变化而变化，即温度变化会使电偶极矩变化（2分），如果晶体结构具有对称中心，当温度变化时，晶体受热膨胀却在各方向都同时发生，且在对称方向上，膨胀系数相等，即在这些方向上，引起的正、负电荷的位移相等，则正负电荷中心重合的现状并未因为温度改变而变化，所以从晶体结构上分标，只要结构有对称中心，就不具有热释电现象（3分）。 3. 什么是自发磁化？以单晶体为例，从能量的角度解释磁畴的多畴结构是如何形成的？ 答：铁磁物质在内部“分子场”的作用下，原子磁矩自发的同向平行排列，即自发磁化，自发磁化分成若干个小区域，各个区域的磁化方向各不相同，每个区域内部的原子磁矩是同一取向，这 共
4页
课程名称： 材料物理性能 学分： 3 试卷编号： A 些区域称为磁畴（4分）。以单晶体为例，交换能力图使整个晶体自发磁化至饱和，磁化方向沿着晶体易磁化方向，这样就使交换能和磁晶各向异性能都达到最小值，但必然在其端面处产生磁极，有磁极存在就必然产生退磁场，从而增加了退磁场能。这个退磁场将要破坏已形成的自发磁化，两个矛盾相互作用使大磁畴分割为小磁畴，减少退磁能是分畴的基本动力。分畴后退磁能虽然减少，却增加了畴壁能，因此不能无限制地分畴。随磁畴数目的增加，退磁能减少，畴壁能增加，当达到畴壁能与退磁能之和为最小值时，分畴就停止了，从而达到一种平衡状态的畴结构（6分）。 4. 什么是弹性的铁磁性反常现象？如何解释？ 答：未磁化的铁磁材料，在居里温度以下的弹性模量比磁化饱和状态的弹性模量低，这一现象称为弹性的铁磁性反常，又称效应（4分）。根据Eσ?λSσsin2θ可知，在应力作用下，未磁化的铁磁性金属会产生磁弹性能，对于λs<0的铁磁体而言，当应力与磁矩之间的夹角θ=π/2时，即应力与磁矩方向垂直时，磁弹性能Eσ有最小值，磁矩将转向与应力垂直的方向。而由于λs<0，该样品在与磁矩方向平行的方向上收缩，而在与磁矩方向垂直的方向上伸长，因此沿应力方向样品发生伸长，在拉应力条件下产生一个附加应变，使得其弹性模量降低。而磁化饱和的同种合金由于原子磁矩已经不能再发生转动，故不会产生附加应变（6分）。 5. 电子有效质量m*的定义是什么？对于如下色散关系，E??2k2/(2m), 如何求出波矢k下对应的粒子的速度？ 答：电子的有效质量满足如下表达式：(4分) ?2m?2 2dE/dk?32其中?为约化普朗克常数，E为电子能量，k为波矢。对于上述色散关系，可求得有效质量m*=m。再根据波粒二象性中动量的定义，可求得动量P=?k. 因此粒子的速度v=P/ m*= ?k/m. (6分)
第4页