工作知识
一、填空题
1、磨边后，导电玻璃的倒边宽度标准尺寸范围为1.2～1.4 mm，倒角宽度的标准尺寸范围为2～4mm；
2、激光一负极边标准为13±0.3mm
3、激光一刻划时导电玻璃电压边两端预留5±3 毫米不刻划；
4、将ROFIN 激光器开机打到‘2’档后，超过 20 分钟才能开始刻划电池芯片； 5、激光一校准标准板后，需要将刻划的 前2片 导电玻璃拿到激光二查看刻划线是否正常； 6、 白玻清洗时清洗液的PH 值： 10--11 7、磨边机上下两传送带间距设定值为 3~3.5MM，设定标准是导电玻璃可以顺利通过传送带，且不打滑、移位。
8、在一、二次清洗过程中，传送频率为 30 ±1HZ，滚刷频率为35±1HZ。 9、磨边后透明导电玻璃的最小尺寸为短边*长边= 633*1243mm；
10、在清洗过程中，腐蚀再生的导电玻璃与新的导电玻璃应分开清洗：先清洗新的导电玻璃后清洗腐蚀再生的导电玻璃， 清洗完后需更换所有水槽内的水。
11、pecvd开机后需要经多长时间加热6h方可进行沉积，预热一炉15.5mm导电玻璃需要多长时间200min。
12、pecvd的压缩空气进气表的压力值规定范围为：75psi—85psi。 13、简要描述pecvd泵组的作用：
机械泵：抽大气，罗茨泵：加速抽气，维持泵：维持分子泵前几真空，干泵：工艺中抽特气，分子泵：抽本底真空
14、 双结芯片预热时间最短不少于 200 min，最长不超过 240 min； 15、从预热结束关闭预热炉到工件架拉到沉积炉启动工艺，操作总时间要求为：≦10min ； 16、PECVD 卸片时， 使用风扇或空调加速冷却，须在工件架自然冷却 40 min 后； 17、PECVD 卸片时使用风扇或空调加速冷却，工件架位置需距离风扇或空调 2 米 以外进行冷却。
18、导电玻璃装完片后，边缘需距铝板边缘2mm。 19、工件架每沉积1炉，清洁1次。
20、当PECVD打开炉门之前，一定要确认腔体是否已经至少 3次的Ar清洗处理，在操作人员更换的时候，无论前一操作者做了什么处理，新接手人必须重新进行至少 2次的Ar清洗处理。
21、退火是为了改善非晶硅太阳芯片电性参数,提高其 转化效率 。 22、芯片测试主要是指测试非晶硅太阳电池组件的 电性参数 23、芯片测试光强分布误差 100±5 mw/cm2. 24、测试环境温度要求25±5 ℃
25、每测试 2小时或测试机重启后，需重新进行标准板校准。 26、反压设备，测试工装，测试机参数的点检频度为 1次/6小时 27、测试几的闪光次数为每班每天点检 1次
28、铝背电极退火曲线：从室温加热到150℃为90分钟，后在150℃保温40分钟。
29、在退火过程中，需留意退火情况，并在报警器出现报警时，及时停止加热，以防温度过高，导致电池芯片功率下降。
30、对于在车间放置超过 72 小时的芯片，需要重新进行退火，并重新进行测试 31、阴极板与阳极板之间的电阻大于一欧 3M。
32、氩气阀门检漏应用皂液微细气泡法检漏。
33、在PVD换靶后在次工作时，要对箭射出来的薄膜按要求自检至少 10 pcs 34、激光机使用10对孪生片Pm平均相差大于1W的机台停止作业。 35、激光二线宽50-80um，伤导电膜直径小于10um。 36、掩膜宽度在10-12mm，且掩膜后无残胶遗留。
37、ROFIN激光器开机后需暖机20min以上才开始刻线。
38、若直线连接调整到甩尾小于10um，则导入直线连接进行刻划。
39、作业员更改X1轴相对移动时，只能小范围内0.1mm以下更改，以免更改后刻线错位。 40、三条激光线总线距不大于400um，不平行度不产过50um。 41、白玻清洗时清洗液的PH 值： 8～9 ; 42、组件段清洗机传送频率： 20～25 HZ.
43、层压机的真空系统中的前级真空泵是 机械泵 44、第一个焊点离电池芯片边缘20—30mm；
45、目前点焊共17 个点，相邻焊点间60—80mm； 46、在点焊前，员工必须佩戴口罩和手套； 47、点焊标准作业指导书的5.2 规定：铝带要拉平，并紧贴膜面，操作过程中切勿刮伤膜面； 48、目前我司使用的铝带宽度2.5mm；
49、清洗白玻璃的水槽温度控制在40—55 度； 50、PH 试纸测试后由黄色娈成浅绿色；
51、检查碱液槽内碱液液位，其液位应不低于整槽的 1/4 高度； 52、白玻璃清洗时每两块玻璃的间隙要达到20cm；
53、每辆白玻小推车用蘸酒精的纱布定期清洁，清洁频度： 5 天/次； 54、敷设工序在敷设工序工作工序3 个月，可以不用小刀；
55、敷设作业指导书中规定背板玻璃和电池荡片相对位置偏差小于1mm；
56、A 系列非晶硅太阳能电池组件的的错位标准 为背板白玻璃与电池芯片边缘错位不超过
3mm 57、如果发现芯片背电极有手指印，则用酒精洒在手印处，使酒精完全覆盖住手指印，浸泡、
2 分钟后，将芯片拉至芯片清洗机处清洗
58、装接线盒时，硅胶使用量大约4.9G/个接线盒或80个接线盒/支硅胶。 59、装接线盒时，接线盒应该摆正，正负极焊接牢固，无虚焊、漏焊。
60、灌封胶配比时重量比为10：1，使用量大约为15G/个，表干时间大约是90±10分钟。 61、测试机标准板校准时光强范围：100±5mw/C㎡. 62、测试机使用时每2小时校准一次标准板。
63、修边刀使用时，温度一般需要达到130-200℃. 64、MES的中文名称是指制造执行系统。
65、MES数据采集点指MES系统通过手工采集、自动采集、条码扫描等方式采集生产信息的站点，在本公司是指激光一、PECVD、芯片测试、组件测试、包装等几大工序。 66、包装MES系统中扫描枪的类型有串口和USB两种类型。 67、层压下料时需要保温8-10分钟方可下料。
68、公司的品质方针是 顾客导向、科技领航、全面管理、精益求精； 69、品质六要素5M1E为： 人、机、料、法、环、测 ； 70、ERP——英文Enterprise Resources Plannig的缩写的中文称为：企业资源管理计划。 71、S P C是指：统计过程控制。 72、TPM的意思是全员生产维修。
73、IQC 的中文名称为进料品质管制 ；OQC 的中文名称为出货品质管制。
74、品质改善管理中的PDCA 的具体含义为： P:计划 D：行动 C：检查 A:改进 ； 75、TPM的特点就是三个“全”，即全效率、全系统和全员参加。
76、新品管七大手法：关联图、亲和图、系统图、矩阵图、矩阵数据解析法、PDPC法、箭线图。 77、5W1H法是指 目的（Why）、对象（What）、地点（Where）、时间（When）、人物（Who）方法（How）；
二、判断题：
1、对于磨边后未磨到的地方，可用砂轮或者其它工具对其磨边，不需要重新再磨。（×）正确答案：对于磨边后未磨到的地方，不可用砂轮或者其它工具对其磨边。
2、在搬取导电玻璃时，如果发生手滑脱等异常事故，应先考虑到自身安全，可以采取躲避脱手的导电玻璃的方式保护自 己，避免用身体任何部位去触碰导电玻璃，防止造成意外工伤事故。（√）
3、导电玻璃上镀的一层导电膜是ZnO。（×）正确答案：SnO
4、一次清洗机1#水槽换水频度为1 次/天 （×）正确答案：1 次/班 5、一次清洗机开机前每个水槽的水位要求为达到水槽3/4 高度左右 （√）
6、一次清洗机的传送频度为35±1Hz （×） 正确答案：30±1Hz 7、一次清洗机上盖的清洁频度最低不少于1 次/周 （√）
8、二次清洗的滚刷调速要求为35±1Hz （√） 9、激光一传送带的清洁频度为1 次/天 （×） 正确答案：1 次/班 10、二次清洗进水压力要求为1.5~2.5kg/cm （√）
11、扩散泵可以直接把真空度从1个大气压抽到10-6Pa。（×）正确答案：需配合前级泵 12、一台罗茨泵只能有一台的机械泵作为前级泵。（×）正确答案：可以有多台机械泵 13、PECVD 沉积温度标准为170~230℃ （√） 14、PECVD 沉积压力标准为0.5~0.8Torr （√） 15、PECVD 沉积功率标准为50~250W （√）
16、PECVD 压缩空气使用端压力标准为0.5~0.8 M Pa （×） 正确答案：0.5~0.6 M Pa
17、PECVD 开机时从上电加热到开始沉积工艺，总计时间要求为≧5小时（×） 正确答案：
≧6小时
18、工件架清洗频度为10 炉/次 （√）
19、工件架电极间短路的检测频度为1 炉/次 （√）
20、工件架接触不良的检测频度为5 炉/次 （×） 正确答案：1 炉/次 21、工件架螺母松动的检查频度为10 炉/次 （×） 正确答案：1 炉/次 22、PECVD 卸片后发给激光二需以炉为单位 （√） 23、凡是多线的半成品需标准“FF” （√）
24、PECVD 现场突然间断电，所有的气动阀门都会自动关闭。（√）
25、氩气瓶颜色为深绿色，字色为银灰色。（×） 正确答案：氩气瓶颜色为银灰色，字色
为深绿色。
26、芯片的温度需等于室温的情况下方可进行测试（√） 27、反压的作用是给电池加上反向电压，从而击穿或烧断电池芯片制作过程中产生的微短路和孔隙漏电现象。（√）
28、稳压电源电压都为30V （×） 1#为24V
29、双结芯片反压时，工装铝带可以贴在激光线上 （×） 不可以 30、测试机关机2小时以上再开机测试时，需要在开机预热1小时后可以进行标准板的校准
及测试 （×）31、未渡铝的芯片在车间周转时，要先在退火炉内烘烤至40℃左右，后用纸张包住再拉至相应车间进行生产。（×） 50℃ 32、反压机点检时稳压电源最大限制电流为0.15A （√） 33、反压后不允许出现透空现象 （×） 允许有轻微透空现象
34、对于反压芯片的需要测试两次，第一次测试需要在加上后缀“Y”，第二次测试不需要
加上后缀“Y”（√）
35、芯片出货装箱时，每 5PCS为一组，每 2PCS芯片的膜面相对，剩余 1PCS膜面朝外（×）
36、扫边边缘绝缘效果，只要能大于200MΩ，即可正常生产。（×）光斑正常
37、对氩气气路进行点检，首先确认气路连接好后把靶电源、氩气流量计气动阀关闭，然后
在开始点检。（√）
38、PVD换靶，清洁靶室或真空设备维护等需进入腔室内时，必须穿鞋套。（√） 39、腐蚀工序腐蚀硅层冲洗完后投入一次清洗时间不大于10分钟。（√） 40、标有“FF”芯片Pm小于20W，可以拿去PVD当白玻使用。（√） 41、激光二、三对比每班上班后要立即安排，不能使用腐蚀片做对比。（√） 42、激光机保养时需用尼龙手套罩住聚焦镜。（√） 43、芯片上有油渍，可以在芯片清洗机上清洗。（×）不可以
44、激光二、激光三。伤导电膜层允许大于20um。(×)激光二允许大于10um 45、若直线连接调整到甩尾小于10um，则导入直线连接进行刻划。（√） 46、当自动线中转台出现异常时，可以立即按急停开关。（√）
47、在激光二刻划前若发现芯片膜面上有平印，受潮，污渍等不良，可以用芯片清洗机（关
超声波）进行清洗处理.（√）
48、扫边光斑通过显微镜观察的情况是白色网格断开且网格的宽度不超过50um即合格.(√) 50、目前组件上使用的背玻璃是钢化玻璃。（×）正确答案：浮法玻璃
51、清洗机在清洗芯片过程中，水槽温度可以设在45℃，风刀温度可以设在55℃（ √ ） 52、负极边离最近的激光线约7mm，点焊时如果铝带跨过这激光线会使功率降低。（×）正确答案：正极边
53、太阳能电池组件使用的EVA具有良好的粘结力和导电性。（×）正确答案：应具有绝缘性
54、A 系列双结电池芯片的背电极10cm*10cm 区域内黑点或白点允许直径小于3mm 不超过1 个（×）正确答案：5 个
55、C 系列双结电池芯片手印无限制 （√）
56、A 系列双结电池芯片的背电极刮伤宽度﹤2mm，长度﹤100mm 不超过5 处 （√）
57、点焊时正负极边铝带均不能压线（×）正极边不能压线，负极边允许压线 58、敷设台区域清洁频率每班一次（×）每班至少两次
59、我们公司测试机的使用环境温度为20℃左右。???????? （ⅹ） 60、现阶段测试机开机就可以开始调标准板准备测试。?? （ⅹ）
61、现阶段测试机只要没到两小时标准板校准时间都可以进行正常测试作业。??（ⅹ） 62、目前我们公司在层压工序中使用到粘接芯片与白玻间的材料有EVA和沙林胶两种。??
（√）
63、每个蜂窝箱可以装50片组件。??（√）
64、每辆组件周转车正常只能放10片组件。??（ⅹ）
65、一张完整的电气数据应该包括Pm、Voc、Isc、Ipm、Vpm。??（ⅹ）
66、本公司A系列组件中关于气泡的规定为：在扫边区域直径小于1mm的可以忽略不
计。??（ⅹ） 67、本公司A系列组件中对于错位的规定为：白玻与芯片边缘的错位不超过3mm。??（√） 68、现阶段非晶硅组件功率分段有5种规格。??（√）
69、本公司对于C系列组件的芯片受光面的刮伤没有要求。??（ⅹ） 70、消防通道在物料实在太多时可以暂时占用。??（ⅹ）
71、一片组件成品一般要有警告标、组件标、条码标三种。??（√） 72、封边胶干了就可以进行装箱作业。??（ⅹ）
73、到目前为止我们公司就采用了YJB-5的接线盒。??（ⅹ） 74、6西格玛＝3.4次失误／百万次操作（√） 75、三现主义是指亲自到现场（现地）、亲自接触实物（现物）、亲自了解现实情况 ；（√） 76、财务核算时，生产主材是不要计入产品的成本的（×）
77、因不良品质可能发生或已经发生而产生的成本，称为品质成本。（√） 78、5S 管理的精髓为：地物明朗化与人的规范化。（√） 79、“稼动率”是指设备在所能提供的时间内为了创造价值而占用的时间所占的比重。（√） 80、MRP对零部件和物料的控制是通过ERP展开进行的，因此ERP是MRP系统的核心
模块。（×）
81、\σ\是希腊文的字母，是用来衡量一个总数里标准误差的统计单位（√） 82、5S 是指在生产现场对人员、机器、材料、方法等生产要素进行有效的管理。（√） 83、统计是采取根据数据与事实发言的管理方法。（√）
84、因不良品质可能发生或已经发生而产生的成本，称为失败成本。 85、为了侦测产品品质失败所发生的成本，称为鉴定成本。（√）
86、IE是一门根据对人﹑原材料、机器设备的组成统一的设计和改善而提高生产并降低成本的技术﹒终极目标是降低成本﹐增加企业收益﹒（√） 87、TPM 的中文全称为：全面品质管理。（×）
88、为了防止产品失败所发生的成本，称为预防成本。（√）
三、选择题：
1、激光一、二、三的线宽要求分别是（ C ）
A：激光一：40~50um，激光二：50~70 um，激光三：50~70 um； B：激光一：30~50um，激光二：60~80 um，激光三：60~80 um； C：激光一：30~50um，激光二：50~80 um，激光三：50~80 um； D：激光一：30~60um，激光二：50~90 um，激光三：50~90 um；
2、激光二与激光一刻线线距，激光三与激光二刻线线距分别为（ D ） A：小于180um，小于180 um； B：小于150 um，小于150 um； C：小于120 um，小于120 um； D ：小于100 um，小于100 um； 3、二次清洗中，超声波的频率应设置在＿＿，TCO在超声波清洗后，紧接着进行＿＿（ D ） A、40K 滚刷洗 B、30K 喷淋洗 C、40K DI水洗 D、30K BJ 喷淋
4、为预防激光一未刻划断，出现批量不良，需要在距离短边边缘为5± 3mm刻划掩膜线，并用万用表测刻线是否刻断， 用于点检是否刻划断的导电玻璃需要如何处理；（D） A、直接投入生产； B、未刻划断的导电玻璃在本车间正负极对调再刻一次掩膜线，然后