图 2-1-10 调试设置窗口
（2）点击
或
命令编译、链接程序，此时会在Output Window信息输出窗口输出相关信息。
图 2-1-11 编译、链接输出窗口
3. 调试仿真程序
（1）打开系统板的电源，给系统复位后点击调试命令（注：每次进入调试状态前确保系统复位正常），将程序下载到单片机的FLASH中，此时出现调试界面。
图 2-1-12 调试界面
（2）点击命令，可以打开存储器观察窗口，在存储器观察窗口的‘Address:’栏中输入D:30H（或0x30）则显示片内RAM30H后的内容。如果输入‘C:’表示显示代码存储器的内容，‘I:’表示显示内部间接寻址RAM的内容，‘X:’表示显示外部数据存储器中的内容。
（3）将光标移到SJMP $语句行，点击命令，在此行设置断点。
（4）接下来点击命令，运行实验程序，当程序遇到断点后，程序停止运行，观察存储器中的内容，验证程序功能。
（5）在命令行中输入‘E CHAR D:30H=11H,22H,33H,44H,55H’后回车，便可以改变存储器中多个单元的内容。
图 2-1-13 运行程序后存储器窗口
图 2-1-14 修改存储器内容
（6）修改存储器的内容的方法还有一个，就是在要修改的单元上点击鼠标右键，弹出快捷菜单，选择‘Modify Memory at D:0x35’命令来修改0x35单元的内容，这样每次只能修改一个单元的内容。
图 2-1-15 存储器修改单元
（7）点击命令，可以复位CPU，重新调试运行程序，点击命令，单步跟踪程序。 （8）实验结束，按系统的复位按键可以复位系统，点击命令，退出调试。
单片机集成功能模块实验
SST89E554RC集成有例如中断、定时/计数器、看门狗、PCA、串口等功能模块，通过本章的实验，学习、了解这些功能模块及其程序设计。
实验二 数字量输入输出实验
实验目的
了解P1口作为输入输出方式使用时，CPU对P1口的操作方式。
实验内容
P1口是8位准双向口，每一位均可独立定义为输入输出。编写实验程序，将P1口的低4位定义为输出，高4位定义为输入，数字量从P1口的高4位输入，从P1口的低4位输出控制发光二极管的亮灭。
实验步骤
1. 按图3-1-1所示，连接实验电路图，图中“圆圈”表示需要通过排线连接； 2. 编写实验程序，编译链接无误后进入调试状态； 3. 运行实验程序，观察实验现象，验证程序正确性； 4. 按复位按键，结束程序运行，退出调试状态； 5. 自行设计实验，验证单片机其它IO口的使用。
图3-1-1 实验接线图
开关及 LED 显示单元原理图如图 3-1-2 所示。
图 3-1-2 开关及 LED 显示单元原理图
单片机系统扩展实验
MCS-51单片机虽然在一块芯片上集成了一些基本功能模块，如定时器、计数器、中断、程序存储器、数据存储器等，但在实际应用中，往往要根据需要对单片机系统进行功能扩展，将详细讨论如何对单片机系统进行功能扩展。
实验三 静态存储器扩展实验
实验目的
1. 掌握单片机系统中存储器扩展的方法；
2. 掌握单片机内部RAM和外部RAM之间数据传送的特点。
4.1.2 实验内容
编写实验程序，在单片机内部一段连续RAM空间30H～3FH中写入初值00H～0FH，然后将这16个数传送到RAM的0000H～000FH中，最后再将外部RAM的0000H～000FH空间的内容传送到片内RAM的40H～4FH单元中。
实验原理
存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM是由MOS管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。因此，静态RAM工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。但一般SRAM 的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K×8位），6264（8K×8位）和62256（32K×8位）。本实验以62256为例讲述单片机扩展静态存储器的方法。
图4-1-1 62256引脚图
SST89E554RC内部有1K字节RAM，其中768字节（00H～2FFH）扩展RAM要通过MOVX指令进行间接寻址。内部768字节扩展RAM与外部数据存储器在空间上重叠，这要通过AUXR寄存器的EXTRAM位进行切换，AUXR寄存器说明如下：
位置 8EH
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 EXTRAM D0 AO 复位值 xxxxxx00b
EXTRAM：内部/外部RAM访问
0：使用指令MOVX @Ri/@DPTR访问内部扩展RAM，访问范围00H～2FFH，300H以上的空间为外部数据存储器；
1：0000H～FFFFH为外部数据存储器。 AO：禁止/使能ALE
0：ALE输出固定的频率；
1：ALE仅在MOVX或MOVC指令期间有效。
实验步骤