Tl_d 239
Pb_d 237Bi_d 242
注释：X_d表示的是，d电子作为半芯态来处理的。为了得到较高的计算精度，一般推荐采用X_d的赝势。X_h表示该势比较硬，也是切断动能要用的很大，它们一般是用含有这类原子的氧化物的计算中，为了提高计算的精度。其中Si_h一般用在含Si的沸石材料中。
H 250 H_h 700
Li 140 Be 300 Li_sv 271 Be_sv 308 Na 81 Na_pv 300 Na_sv 700
K_pv 150 Ca_pv 150K_sv 259 Ca_sv 290 Rb_pv 121 Sr_sv 226 Rb_sv 220
Cs_sv 220 Ba_sv 187
注释：这些元素一般很难赝化的，特别是与电负性很强的元素（比如F）结合时，计算的误差都比较大。X_sv表示把s电子作为半芯态处理，X_pv考虑把p电子作为半芯态来处理。
Mg 210 Mg_pv 265
Ti 178
Hf 220 Hf_pv 220
V 192 V_pv 263
Ta 223 Ta_pv 223 Ni 269 Ni_pv 367
Cr 227 Cr_pv 265 Mo 224 W 223 W_pv 223 Cu 273 Cu_pv 368 Ag 249
Au 229
Mn 269 Mn_pv 269 Tc 228 Tc_pv 228 Re 226 Re_pv 226 Zn 276
Cd 274 Hg 233
Sc_sv 222 Ti_pv 222 Y_sv 211 Zr_sv 229
Nb_pv 207 Mo_pv 224
Fe 267 Co 267 Fe_pv 293 Ru_pv 230 Os_pv 228
Ru 213 Rh 228 Pd 250
Rh_pv 271 Pd_pv 350
Pt 230
Os 228 Ir 210
6
注释：选择使用X_pv、X_sv还是X的赝势，一个与你要得到的计算精度有关，另外对这些元素在选择要注意些：
3d元素，一般选用X_pv，但是X的赝势也是能给出比较合理的结果。 4d元素，是最有问题的，强烈推荐用X_sv和X_pv的赝势。
5d元素，由于5p电子局域化很强，从Hf元素开始，可以选用X的赝势，推荐选用不同的赝势，进行test一下，然后选用合适的赝势。
Ce 300 Pr 252
La 219 Ac 169 Th 247 Pa 252 La_s 136
注释：如果f电子是itinerant（巡回的），则可以处理含这些元素的体系。如果f电子是局域性很强的（也就是强关联效应），计算出现的问题与一些过渡金属氧化物（比如NiO, V2O3和FeO等）时的一样。
3. POSCAR
描述所计算体系的晶胞参数,原子个数及晶胞中原子的位置，以及分子动力学计算时离子的初始速度(不常用)。 例子:
Si-fcc !注释行，简短描述体系
5.43 !基矢的缩放系数,可认为是晶格常数
0.00 0.50 0.50 !基矢除以缩放系数后的，与上一行的值一起描述基矢 0.50 0.00 0.50 0.50 0.50 0.00
2 !原子个数
Direct !表示原子的坐标是相对于基矢给出的. 0.00 0.00 0.00 !原子的位置 0.25 0.25 0.25
当第七行是C字母开头的，则表示下面的坐标是以卡笛尔坐标系来给出给原子的绝对坐标（被除以了第二行的缩放系数后的坐标值）。比如上面的例子也可以采用下面的方式：
Si-fcc !注释行，简短描述体系
5.43 !基矢的缩放系数,可认为是晶格常数
0.00 0.50 0.50 !基矢除以缩放系数后的，与上一行的值一起描述基矢 0.50 0.00 0.50 0.50 0.50 0.00
2 !原子个数
7
Nd 253
Pm 258
Sm 225 Tm 257
Eu 249 Yb 291
Gd 256 Lu 255
U 252 Np 254 Pu 254
Pu_s 211
Ac_s 119 Th_s 169Pa_s 193 U_s 209 Np_s 210
Carti !表示原子的坐标是以卡笛尔坐标系给出的坐标. 0.00 0.00 0.00 !原子的位置 0.25 0.25 0.25
4. KPOINTS
设置布里渊区k点网格取样大小或能带结构计算时沿高对称方向的k点：
a) 手动输入即自定义各个k点的坐标和权重：推荐只在能带计算时用，其他的情况下不采用这种方法。在后面的能带结构计算会详细介绍如何准备手动输入的k点。 例子:
k-points along high symmetry lines !注释行，无特别的意义
11 !沿G-X特殊点之间11个k点 Reciprocal !各k点相对于倒格子基矢来写的 0.00 0.00 0.00 1.00 !k点的坐标和相应的权重 0.05 0.00 0.05 1.00 …….
0.50 0.00 0.50 1.00
b) Line-mode：在计算能带时用(4.6以上版本才支持),不推荐用 例子:
k-points along high symmetry lines !注释行，无特别的意义
10 !沿G-X特殊点之间产生10个k点 Line-mode !程序自动产生特殊k点间的k点 Reciprocal !各k点相对于倒格子基矢来写的 0.00 0.00 0.00 !Gamma 0.50 0.00 0.50 !X
提示： 如果k点是相对于卡笛尔直角坐标系，则第四行改为Cartesian(以字母c开头 的任何词都可以)
c) 程序自动产生k点：最常用的，定义网格取样大小 例子：
Automatic generation !注释行
0 !自动产生k点，这一行必须设为0 Monhkorst-Pack !Monhkorst-Pack方法产生k点
9 9 9 !在各个基矢方向上分割各基矢的点数
0.0 0.0 0.0 !是否移动网格点以及移动多少(这里不移动)
提示：一般各基矢方向上的分割数为奇数，使得产生的k点是以Gamma点为中心的。根据基矢的长短来设置合适的分割数。 针对六角晶系:采用Gamma centered网格 例子:
Automatic generation !注释行
0 !自动产生k点，这一行必须设为0
Gamma !明确定义以Gamma点为中心,根据M-P方法产生k点 9 9 7
8
0.0 0.0 0.0
三、VASP的主要输出文件
VASP的输出文件主要有OUTCAR, CHG, CHGCAR, WAVECAR, DOSCAR, EIGENVAL, OSZICAR, CONTCAR, PCDAT, IBZKPT, XDATCAR。 1、OUTCAR
OUTCAR文件包含了vasp计算后得到的绝大部分结果，每步迭代的详细情况。下面介绍如何从OUTCAR取出一些有用的信息： a) 查看所计算体系的体积，使用下面的命令 grep ‘volume’ OUTCAR 得到的结果如下
volume/ion in A,a.u. = 32.92 222.17 volume of cell : 65.84
第一行给出体系的体积分别以?3/atom, a.u.3/atom为单位给出的。 第二行给出体系的体积是以?3/unit cell为单位给出的。
b) 查看所计算体系的总能，使用下面的命令
当ISMEAR = -5时，Free energy TOTEN是与energy without entropy是相等，则用 grep ‘TOTEN’ OUTCAR 得到结果如下
free energy TOTEN = -7.910804 eV
当ISMEAR等于其他的值时，Free energy TOTEN是与energy without entropy是不相等，则用
grep ‘entropy=’ OUTCAR 得到结果如下
energy without entropy= -7.910804 energy(sigma->0) = -7.910804 在计算体系的结合能时，体系的总能取为energy without entropy后面的值。 （如何计算体系的结合能，在后面会详细介绍）
c) 查看所计算体系的费米能级，使用下面的命令 grep 'Fermi' OUTCAR | tail -1 得到的结果为
BZINTS: Fermi energy: 6.171330; 20.000000 electrons
9
上一行中第一个数就是体系的费米能级，第二个数就是体系的总价电子数。
注释：对半导体的体系，VASP取价带顶作为费米能级。对呈现金属性的体系，费米能级就是该体系的真实（具有物理意义的）费米能级。
d) 查看所计算体系的倒格子基矢
在采用vi对OUTCAR编辑时，用下面的命令来查找 g/reciprocal lattice vectors 或 g/recip
e) 查看所计算体系中原子的受力情况
在采用vi对OUTCAR编辑时，用下面的命令来查找 g/TOTAL-FORCE
原子所受的力的单位是eV/angstrom。
2、CHG和CHGCAR
这两个都是给出了体系的电荷密度文件，它们的内容是相同的，前者给出的数据的精度要比后者的精度略低一些。下面是CHGCAR文件的例子： Au-Zn_zig
1.00000000000000
15.000000 0.000000 0.000000 0.000000 15.000000 0.000000 0.000000 0.000000 6.600000 1 1 Direct
0.000000 0.000000 0.000000 0.000000 0.000079 0.500000
160 160 72
0.18441120499E+05 0.17909524567E+05 0.16406959292E+05 0.14179806898E+05 0.11554638997E+05 0.88581841033E+04 0.63620171557E+04 0.42583169365E+04 0.26537018923E+04 0.15676950926E+04
...................................
此文件的头9行给出的体系的晶格参数，与POSCAR中的内容基本相同，在11行中三个整数分别是NGX, NGY, NGZ的值，它们表示在三个基矢方向上，对所计算的原胞进行分割，得到NGX * NGY * NGZ个点，所计算原胞中的电荷密度用一个三维矩阵A(NGX, NGY, NGZ)来存贮。
这两个文件在每步迭代过程中都会被更新（除了在INCAR文件中有设置ICHGAR=11或12外）。经过迭代后得到的自洽的CHG和CHGCAR可以用来画图分析面电荷密度分布（如何做，在后面会详细介绍）。在后面步骤中能带结构和态密度时，所读入的电荷密度文件CHG和CHGCAR必须是经过迭代自洽得到的文件。
10