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Direct
0.0 0.0 0.0
（这个是POSCAR文件的内容）
计算完，从OSZICAR最后一行可以找到体系总的磁矩是0.567μB。这个也可以从通过grep ‘magnetization‘ OUTCAR在OUTCAR文件中找到（看“number of electron … magnetization …”这一行的数据）。
在后面计算能带结构和电子态密度时，分别会得到自旋向上和自旋向下的两部分。
七、表面体系的计算
在作表面的性质计算时，现在一般都是采用slab（“晶层”或“薄片”）模型来模拟表面体系的。因此表面体系的计算大致可以分为四个大的步骤：1、材料体性质的计算；2、slab模型的构造；3、表面体系的结构优化；4、表面体系性质的计算。 1、材料体性质的计算
这一步包含了前面材料基态性质的计算。主要是为了确定后面在进行表面计算时所需要的一些参数：ENCUT，当采用ISMEAR = 1或0时的 SIGMA，以及体材料的晶格参数（因为构造slab模型是以体材料的晶格参数作为基础来进行的）。如何确定这些参数，可以参考前面所介绍的方法和步骤。其中SIGMA的优化是必须的，因为后面对表面体系的结构进行优化时，smearing方法一般都是采用Gaussian方法或Methfessel-Paxton smearing方法。
2、slab模型的构造
在知道了体材料的晶格参数，以及明确了要模拟什么样的表面（也就是表面的密勒指数以及表面的二维周期性），就可以开始构造该表面的slab模型了。在构造slab模型时，还有两个重要的参数，就是真空层（Vacuum layer）和原子层的厚度，这是因为slab模型就是由原子层和真空层所组成的。真空层和原子层要取多厚，这要经过试用不同的厚度得到，看它们对总能的影响，然后选择合适的厚度。
3、表面体系的结构优化
在对表面体系的结构进行优化前，还需要对k点数目或k mesh大小进行优化，这个的优化也可以参考前面的介绍。在对表面体系的结构进行优化时，主要是对原子的位置进行优化，而不再对超原胞（Slab模型得到的）大小进行优化，一般采用的是Selective Dynamic（也就是有选择性的位置驰豫）。这是在POSCAR进行设置的，另外在INCAR文件也应加入控制离子驰豫的关键词。下面以优化Al(100)-p(1x1)为例进行说明： INCAR文件的内容为：
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SYSTEM = Al(100)-p(1x1) ENCUT = 200
ISMEAR = 1; SIGMA = 0.20 ISTART = 0; ICHARG = 2
EDIFF = 1E-5; EDIFFG = -1.0E-3 NSW = 60; IBRION = 2 POTIM = 0.1 PREC= Accurate
KPOINTS文件的内容为： auto 0
Monkhorst-Pack 1 11 11 0.0 0.0 0.0
POSCAR文件的内容为： Al(100)-p(1x1) 1.00000
0.0000000000 2.0247500000 -2.0247500000 0.0000000000 2.0247500000 2.0247500000 22.1485000000 0.0000000000 0.0000000000 7
Selective dynamics Direct
0.0000000000 0.0000000000 0.0000000000 F F T 0.0000000000 0.0000000000 0.1828340520 F F F 0.0000000000 0.0000000000 0.3656681039 F F F 0.0000000000 0.0000000000 0.5485021559 F F T 0.5000000000 0.5000000000 0.0914170260 F F T 0.5000000000 0.5000000000 0.2742510780 F F F 0.5000000000 0.5000000000 0.4570851299 F F T
其中对原子层上下各两层原子进行驰豫，中间三层原子位置固定。
在INCAR文件中的EDIFF，EDIFFG，NSW控制原子位置驰豫的步数。当原子所受的力小于EDIFFG时，原子位置就停止移动。得到的CONTCAR文件，就是驰豫得到的最后位置。 原子受力的情况，可以在OUTCAR文件中查找TOTAL-FORCE来查看。
4、表面体系性质的计算。
在得到了优化的结构，就可以进行一系列性质的计算，其步骤与前面体材料性质的计算一样。 提示：无论是对体材料还是表面体系的结构优化，在结构优化完后，还需进行进行静态的计算，以得到自洽的电荷密度，再进行后面的性质计算。结构优化完得到的电荷密度文件不可用在后面的性质计算中。在计算功函数和进行STM模拟时，需另加其他的关键词。如对此有兴趣，后面将作专题介绍。
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”aA tools中小程序的说明
此部分是对tools中的一些小程序进行说明： 1、murn.f
这个程序是采用Murn状态方程来拟合晶格常数和计算体弹性模量的。从internet网上收集到的。 编译：
g77 -o murn.x murn.f 得到可执行文件murn.x。 使用：
其输入文件为inp.m，inp.m的内容以及格式为： 2 0.25
6.00 7.45 50 8
6.0849 -.62120891E+01 6.2739 -.64553428E+01 6.4629 -.65246916E+01 6.6518 -.64694519E+01 6.8408 -.63284020E+01 7.0298 -.61271095E+01 7.2188 -.58843994E+01 7.4077 -.56183090E+01 -----------------------------------------
第一行表示下面输入的能量的单位是采用eV、Ry或Hartree。当采用的是Ry，则为1；如果是eV，则用2；如果是Hartree，则用3。
第二行可以看成是原胞的体积与晶胞的体积之比。这里晶胞的体积计算公式为：晶格常数的三次方，原胞的体积计算公式按固体物理教科书中的方法来计算。比如所计算的体系是fcc，则为0.25；如果是bcc，则为0.5；如果是六角的sqrt(3.0)/2 * c/a。其他的自己去推算了。 第三行是用来拟合的晶格常数时晶格常数的范围，以及点数。第一个数是晶格常数的最小值，第二个数是晶格常数的最大值，第三个是拟合多少个点，这个数一般取30～50。 第四行是所计算了多少个晶格常数的能量值用来拟合。
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从第五行起，是计算得到的晶格常数与能量的一一对应值，第一列是晶格常数；第二列是能量值，它的单位要与前面第一行的确定的单位一致。晶格常数－能量值的对数也要与第四行的数一致。
文件准备好之后，使用的方法为：murn.x
使用murn.x拟合后得到的拟合值写在文件fout.dat中，拟合的情况及重要的结果写到out.m文件中。
用vi编辑out.m，然后用命令g/alat=来查找拟合得到的晶格常数（单位为a.u.）和体弹性模量（单位为Mbar）。
2、gk.f和pbnd.f
gk.f是用来产生计算能带结构时所需要的k点，其输入文件为syml，在手册中有详细介绍每行的意思，这里就不再赘述。输出文件为KPOINTS和inp.kpt。说明一下，在syml中特殊k点的总数不能超过10个。如遇到超出10，则可以把gk.f中有关定义特殊k点的数组的维数调大。 编译：
g77 -o gk.x gk.f
pbnd.f是用来把本征值文件EIGENVAL转换为可以用origin软件来画图的数据。其输入文件为syml和EIGENVAL。输出文件为bnds.dat(或upbnd.dat和dnbnd.dat)和highk.dat。说明一下，pbnd.f能写出的能带数，默认最大是100个，如果超过了100，可以在pbnd.f中调大定义的值。 编译：
g77 -o pbnd.x pbnd.f
另外还附带针对fcc、bcc、sc和六角晶系的syml，分别名为syml.fcc, syml.bcc, syml.sc, syml.hex。使用时，把相应的拷贝成syml。
3、split_dos和vp
这两个要一起用的，都是csh脚本程序，其中运行split_dos要调用vp。从internet网上收集的。
它是用来分割DOSCAR，把DOSCAR分解成每个原子的，以方便用origin来画图。其使用的说明也可以参见前面的介绍。
使用时，在你的当前主目录建立一个bin的目录。比如你的用户名为xxxx，则在/home/xxxx目录下，建立bin目录(mkdir /home/xxxx/bin)，然后把split_dos和vp放到该目录下。
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