(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数 原 型 号 新 型 号 PCM(mW) 极ICM(mA) 限TjM(oC) 参BVCBO(V) 数 BVCEO(V) ICBO(?A) 直流ICEO(?A) 参IEBO(?A) 数 hFE f?(kHz) 交NF(dB) 流hie(k?) 参hre(?10) 数 hoe(?s) hfe hFE色标分档 管 脚 3AX31 3AX51A 3AX51B 3AX51C 3AX51D 100 100 100 100 100 100 100 100 75 75 75 75 ?30 ?30 ?30 ?30 ?12 ?12 ?18 ?24 ?12 ?12 ?12 ?12 ?500 ?500 ?300 ?300 ?12 ?12 ?12 ?12 40~150 40~150 30~100 25~70 ?500 ?500 ?500 ?500 ?8 － － － 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 ?2.2 ?2.2 ?2.2 ?2.2 ?80 ?80 ?80 ?80 － － － － (红)25~60；(绿)50~100；(蓝)90~150 B 测 试 条 件 Ta＝25oC IC＝1mA IC＝1mA VCB＝-10V VCE＝-6V VEB＝-6V VCE＝-1V IC＝50mA VCB＝-6V IE＝1mA VCB＝-2V IE＝0.5mA f＝1kHz VCB＝-6V IE＝1mA f＝1kHz E C （2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数 极限参数 型 号 PCM(mW) ICM(mA) TjM(oC) BVCBO(V) BVCEO(V) BVEBO(V) ICBO(?A) ICEO(?A) IEBO(?A) VBES(V) VCES(V) hFE f?(kHz) 3AX81A 200 200 75 -20 -10 -7 ?30 ?1000 ?30 ?0.6 ?0.65 40~270 ?6 3AX81B 200 200 75 -30 -15 -10 ?15 ?700 ?15 ?0.6 ?0.65 40~270 ?8 测 试 条 件 IC＝4mA IC＝4mA IE＝4mA VCB＝-6V VCE＝-6V VEB＝-6V VCE＝-1V IC＝175mA VCE＝VBE VCB＝0 IC＝200mA VCE＝-1V IC＝175mA VCB＝-6V IE＝10mA 直流参数 交 流 参 数 hFE色标分档 管 脚 (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400 B E C
（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
263
表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数
3BX31M 型 号 PCM(mW) 125 ICM(mA) 125 极限oTjM(C) 75 参数 BVCBO(V) -15 BVCEO(V) -6 BVEBO(V) -6 ICBO(?A) ?25 直流ICEO(?A) ?1000 参数 IEBO(?A) ?25 VBES(V) ?0.6 VCES(V) ?0.65 hFE 80~400 f?(kHz) 交 流 － 参 数 hFE色标分档 管 脚 3BX31A 125 125 75 -20 -12 -10 ?20 ?800 ?20 ?0.6 ?0.65 40~180 － 3BX31B 125 125 75 -30 -18 -10 ?12 ?600 ?12 ?0.6 ?0.65 40~180 ?8 3BX31C 125 125 75 -40 -24 -10 ?6 ?400 ?6 ?0.6 ?0.65 40~180 f??465 测 试 条 件 Ta=25oC IC＝1mA IC＝2mA IE＝1mA VCB＝6V VCE＝6V VEB＝6V VCE＝6V IC＝100mA VCE＝VBE VCB＝0 IC＝125mA VCE＝1V IC＝100mA VCB＝-6V IE＝10mA (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400 B E C (4) 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数 原 新 极限参数 型 号 型 号 PCM(mW) ICM(mA) BVCBO(V) BVCEO(V) BVEBO(V) ICBO(?A) ICEO(?A) IEBO(?A) VBES(V) VCES(V) hFE fT(MHz) KP(dB) Cob(pF) 3DG100A 100 20 ?30 ?20 ?4 ?0.01 ?0.1 ?0.01 ?1 ?1 ?30 ?150 ?7 ?4 3DG6 3DG100B 3DG100C 100 100 20 20 ?40 ?30 ?30 ?4 ?0.01 ?0.1 ?0.01 ?1 ?1 ?30 ?150 ?7 ?4 ?20 ?4 ?0.01 ?0.1 ?0.01 ?1 ?1 ?30 ?300 ?7 ?4 3DG100D 100 20 ?40 ?30 ?4 ?0.01 ?0.1 ?0.01 ?1 ?1 ?30 ?300 ?7 ?4 测 试 条 件 IC＝100μA IC＝100μA IE＝100?A VCB＝10V VCE＝10V VEB＝1.5V IC＝10mA IB＝1mA IC＝10mA IB＝1mA VCE＝10V IC＝3mA VCB＝10V IE＝3mA f＝100MHz RL＝5? VCB＝-6V IE＝3mA f＝100MHz 直流参数 交流参数 VCB＝10V IE＝0 hFE色标分档 管 脚 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150 B E C
264
(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管
表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数 原 型 号 新 型 号 PCM(mW) 极ICM(mA) 限BVCBO(V) 参数 BVCEO(V) BVEBO(V) ICBO(?A) 直ICEO(?A) 流IEBO(?A) 参VBES(V) 数 VCES(V) hFE 交fT(MHz) 流参数 3DG130A 700 300 ? 40 ? 30 ? 4 ? 0.5 ? 1 ? 0.5 ? 1 ? 0.6 ?30 ? 150 ? 6 3DG12 3DG130B 3DG130C 700 700 300 300 ? 60 ? 40 ? 45 ? 4 ? 0.5 ? 1 ? 0.5 ? 1 ? 0.6 ? 30 ? 150 ? 6 ? 30 ? 4 ? 0.5 ? 1 ? 0.5 ? 1 ? 0.6 ? 30 ? 300 ? 6 3DG130D 700 300 ? 60 ? 45 ? 4 ? 0.5 ? 1 ? 0.5 ? 1 ? 0.6 ? 30 ? 300 ? 6 测 试 条 件 IC＝100μA IC＝100μA IE＝100?A VCB＝10V VCE＝10V VEB＝1.5V IC＝100mA IB＝10mA IC＝100mA IB＝10mA VCE＝10V IC＝50mA VCB＝10V IE＝50mA f＝100MHz RL＝5? VCB＝–10V IE＝50mA f＝100MHz KP(dB) Cob(pF) ? 10 hFE色标分档 管 脚 ? 10 ? 10 ? 10 VCB＝10V IE＝0 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150 B E C (5) 9011~9018塑封硅三极管
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数 型 号 PCM(mW) ICM(mA) BVCBO(V) BVCEO(V) BVEBO(V) ICBO(?A) ICEO(?A) IEBO(?A) VCES(V) VBES(V) hFE fT(MHz) Cob(pF) KP(dB) hFE色标分档 管 脚
(3DG) 9011 200 20 20 18 5 0.01 0.1 0.01 0.5 30 100 3.5 (3CX) 9012 300 300 20 18 5 0.5 1 0.5 0.5 1 30 (3DX) 9013 300 300 20 18 5 0,5 1 0,5 0.5 1 30 (3DG) 9014 300 100 25 20 4 0.05 0.5 0.05 0.5 1 30 80 2.5 (3CG) 9015 300 100 25 20 4 0.05 0.5 0.05 0.5 1 30 80 4 (3DG) 9016 200 25 25 20 4 0.05 0.5 0.05 0.5 1 30 500 1.6 (3DG) 9018 200 20 30 20 4 0.05 0.5 0.05 0.35 1 30 600 4 10 极限参数 直流参数 交流参数 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150 E B C 265
6．常用场效应管主要参数
表22 常用场效应三极管主要参数 参数名称 饱和漏源电流IDSS(mA) 夹断电压VGS(V) 正向跨导gm(?V) 最大漏源电压BVDS(V) 最大耗散功率PDNI(mW) 栅源绝缘电阻rGS(?) 3DJ2 D~H 0.3~10 2000 >20 100 ?108 N沟道结型 3DJ4 3DJ6 D~H D~H 0.3~10 0.3~10 2000 >20 100 ?108 1000 >20 100 ?108 3DJ7 D~H 0.35~1.8 3000 >20 100 ?108 MOS型N沟道耗尽型 3D01 3D02 3D04 D~H D~H D~H 0.35~10 0.35~25 0.35~10.5 ??1~9? ?1000 >20 100 ?108 ??1~9? ?4000 >12~20 25~100 ?108~109 ??1~9? ?2000 >20 100 ?100 G D 或 管脚 S D S G 五．模拟集成电路
1.模拟集成电路命名方法（国产）
表23 器件型号的组成
第0部分 用字母表示器件符合国家标准 符意义 号 C 中国制造 第一部分 用字母表示器件的类型 符号 T H E C F D W J 意义 TTL HTL ECL CMOS 线性放大器 音响、电视电路 稳压器 接口电路 第二部分 用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号 第三部分 用字母表示器件的工作温度范围 符意义 号 C 0~70oC E -40~85oC R -55~85oC M -55~125oC ??? ? 第四部分 用字母表示器件的封装 符号 W B F D P J K T 意义 陶瓷扁平 塑料扁平 全封闭扁平 陶瓷直插 塑料直插 黑陶瓷直插 金属菱形 金属圆形
例：
C F 741 C T
金属圆形封装 0 o ~ 70 oC 器件代号 线性放大器 中国国家标准
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2．国外部分公司及产品代号
表24 国外部分公司及产品代号 公司名称 美国无线电公司(BCA) 美国国家半导体公司 (NSC) 美国莫托洛拉公司(MOTA) 美国仙童公司(PSC) 美国德克萨斯公司(TII) 美国模拟器件公司(ANA) 美国英特西尔公司(INL) 代号 CA LM MC ?A TL AD IC 公司名称 美国悉克尼特公司(SIC) 日本电气工业公司(NEC) 日本日立公司(HIT) 日本东芝公司(TOS) 日本三洋公司(SANYO) 日本松下公司 日本三菱公司 代号 NE ?PC RA TA LA，LB AN M
3．部分模拟集成电路引脚排列
(1) 运算放大器，如图3所示： (2) 音频功率放大器，如图所示： 抑 抑 正 输 调 电 自 制 制 输
电 出 零 源 举 纹 空 纹 入 空
源 端 端 端 端 波 脚 波 端 脚
8 7 6 5 14 13 12 11 10 9 8 LM741 LA4100 1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7
调 负 正 负 输 电 衬 补 补 负 空 零 输 输 电 出 源 底 偿 偿 反 脚 端 入 入 源 端 地 地 端 端 馈
端 端 端 端 图3 图4
(3) 集成稳压器，如图所示：
LM 317 调 输 整 入 1 23 输出
图 5
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