4．部分模拟集成电路主要参数 (1) ?A741运算放大器的主要参数
表25 ?A741的性能参数 电源电压+UCC -UEE 输入失调电压UIO 输入失调电流IIO 开环电压增益Auo 输入电阻Ri 输出电阻Ro +3V~+18V，典型值+15V -3V~-18V， -15V 2mV 20nA 106dB 2M? 75? 工 作 频 率 单位增益带宽积Au?BW 转换速率SR 共模抑制比CMRR 功率消耗 输入电压范围 10kHz 1MHz 0.5V/?S 90dB 50mW ?13V
(2) LA4100、LA4102音频功率放大器的主要参数
表26 LA4100~LA4102的典型参数
参数名称/单位 耗散电流/mA 电压增益/dB 输出功率/W 总谐波失真?100 输出噪声电压/mV 条 件 静 态 RNF＝220?，f＝1kHz THD＝10%，f＝1kHz P0＝0.5W，f＝1kHz Rg＝0，UG＝45dB 典 型 值 LA4100 LA4102 30.0 26.1 45.4 44.4 1.9 4.0 0.28 0.19 0.24 0.21 注：+UCC＝+6V(LA4100)+UCC＝+9V(LA4102) RL＝8?
(3) CW7805、CW7812、CW7912、CW317集成稳压器的主要参数
表27 CW78??，CW79??，CW317参数 参数名称/单位 输入电压/V 输出电压范围/V 最小输入电压/V 电压调整率/mV 最大输出电流/A CW7805 +10 +4.75~+5.25 +7 +3 CW7812 +19 +11.4~+12.6 +14 +3 加散热片可达1A CW7912 -19 -11.4~-12.6 -14 +3 CW317 ?40 +1.2~+37 +3?Vi-Vo?+40 0.02%/V 1.5 二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 268
稳压二极管 表示符号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管 隧道二极管 隧道二极管 光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管 双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管 表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二极管） 复合三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 269
PNP型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应管 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 270
电阻 电阻器或固定电阻 表示符号：R 电阻 电阻器或固定电阻 表示符号：R 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻 表示符号：RT 二脚消磁电阻 压敏电阻 表示符号：RT 表示符号：RZ,VAR 表示符号：RT 热敏电阻 271
光敏电阻 CDS 电容（有极性电容） 表示符号： 电容（有极性电容） 表示符号：C 可调电容 表示符号：C 电容（无极性电容） 表示符号：C 四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 晶振 石英晶体振荡器 表示符号：X 双列集成电路 单列集成电路 表示符号：IC或U 晶振 石英晶体振荡器 石英晶体滤波器 表示符号：X 表示符号：X 272