模拟电子技术基础
第1章 常用半导体器件
1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小
(3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83 B.91 C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。
A.增大； B.不变； C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知ui压可忽略不计。
?10sin?t(V)，试画出ui与uo的波形。设二极管导通电
图P1.2 解图P1.2
解：ui与uo的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知ui波形图，并标出幅值。
?5sin?t(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的
图P1.3 解图P1.3
1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT?26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？
解：二极管的直流电流
ID?(V?UD)/R?2.6mA
其动态电阻:
rD?UT/ID?10? 图P1.4
故动态电流的有效值：Id?Ui/rD?1mA
1.5 已知图Pl.5 所示电路中稳压管的稳定电压UZ?6V，最小稳定电流
IZmin?5mA，最大稳定电流IZmax?25mA。
(1)分别计算UI为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压UO的值； (2)若UI?35V时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。 ∴UI?10V时，UO?RLR?RUI?3.3V；
LUI?15V时，UO?RLR?RUI?5V； 图1.5
LUI?35V时，UO?RLR?RUI?11.7V?UZ，∴UO?UZ?6V。
L(2)当负载开路时，IUZ?I?UZR?29mA?IZmax?25mA，故稳压管将被烧毁。
1.6在图Pl.6 所示电路中，发光二极管导通电压 UD =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。 试问：(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？
(2)R的取值范围是多少？
解：(1)S闭合。
2
图P1.6
(2) R的范围为:
Rmin?(V?UD)/IDmax?233?
Rmax?(V?UD)/IDmin?700?
1.7现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.7所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。
(a) (b) (a) (b) 图Pl.87 解图Pl.7
解：答案如解图Pl.7所示。 放大倍数分别为?a
?1mA/10?A?100和?b?5mA/100?A?50
1.8测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.8所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.8
解:如解图1.8。
解图1.8
3
1.9电路如图P1.9所示，晶体管导通时UBE?0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三
种情况下T 的工作状态及输出电压的值。
解： (1)当VBB?0时，T 截止，uO?12V。
(2)当VBB?1V时，因为
IVBB?UBEQBQ?R?60?A
b ICQ??IBQ?3mA
uO?VCC?ICQRc?9V 图P1.9
所以T处于放大状态。
(3)当VBB?3V时，因为IVBB?UBEQBQ?R?460?A，
bIIVCC?UCESCQ??IBQ?23mACS?R?11.3mA， 所以T处于饱和状态。
c
1.10分别判断图Pl.10所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a) (b) (c)
4
(d) (e)
图P1.10
解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。
2.1画出图P2.1所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b)
(c) (d)
图P2.1
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图P2.1所示各电路的交流通路如解图P2.1所示；
(a) (b)
(c) (d) 5