崩击穿电压有明显的降低。当衬底的电阻率大于1Ωcm时，漏源雪崩击穿电压就不再与衬底的掺杂浓度有关，而主要由栅极电压的极性、大小和栅氧化层的厚度所决定。
第5.6节 MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性 本节的重点是MOSFET的跨导的定义及计算、MOSFET的最大功率增益和最高振荡频率的定义及计算、提高最高工作频率和最高振荡频率的措施。
本节的难点是对MOSFET高频小信号电流电压方程的推导。 第5.8节 短沟道效应
本节的重点是MOSFET阈电压的短沟道效应、VGS对迁移率的影响、载流子速度饱和对饱和漏源电压与饱和漏极电流的影响、沟道热电子效应。
本节的难点是对载流子速度饱和与沟道夹断对MOSFET的饱和特性的影响的理解。分析表明，无论MOSFET的沟道长度如何，造成漏极电流饱和的原因都是载流子速度饱和而不是沟道夹断。但是当沟道长度较长时，载流子速度饱和与沟道夹断几乎同时发生，所以在分析长沟道MOSFET的饱和特性时，仍然可以采用沟道夹断的概念。
第5.9节 MOSFET的结构及发展方向 本节的重点是按比例缩小法则。
本节的难点是对按比例缩小法则的局限性的理解，以及由此提出的各种修正的按比例缩小法则。