IB?IBS,三极管工作在饱和状态 UCE?UCES?0.3V
IC?VCC?UCES10?0.3??4.85mARC2k
（d）UBE??2V
IB?0,IC?0,UCE?VCC?10V 三极管工作在截止状态
（e）IB?0,IC?0,UCE?VCC?10V 三极管工作在截止状态
IB?10?0.7?0.0465mA200k
（f）
IB?IBS,三极管工作在放大状态 IC??IB?50?0.0465?2.325mA UCE?VCC?10V
题 1-11 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15(a)和 (b)所示，试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型，还是PNP型，硅管还是锗管。
(a) (b)
图 P1-13
解：本题的前提是两个三极管均工作在放大去
（a）1----发射极e,2----集电极c,3-------基极b，三极管类型为NPN锗管 （b）2----发射极e,1----集电极c,3-------基极b，三极管类型为PNP硅管 题 1-12 某三极管在20°C时的反相饱和电流为ICBO=1μA,β=30,试估算三
极管50°C时的ICBO和穿透电流ICEO大致为多少？已知当温度升高10°C时，ICBO大约增加一倍，而当温度每升高1°C时，β大约增大1%。
解：20°C时，ICEO?(1??)ICBO?31μA 50°C时，ICBO?8μA
???0(1?1%)t?t?30?(1?1%)50?20?30?(1?30?1%)?39
0ICEO?(1??)ICBO?320μA=0.32mA
题 1-13 已知一个N沟道增强型MOS场效应的漏极特性曲线如图P1-13所示，试作出UDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UT和IDO值，以及当UDS=15V，UGS=4V时的跨导gm。
iD/mA43210UGS=4.5V4V3.5V3V2V5101520uDS/V图 P1-13
解：由图得到：开启电压UGS(th)=2V
当UGS= 2UGS(th)=4V时对应的iD值即为IDO=2.5mA
gm??iD4?1.2??2.8mS?uGS4.5?3.5
转移特性曲线如下
题 1-14 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的开启电压UT＝+3V，IDO=4mA,请示意画出其转移特性曲线。
题 1-15 已知一个P沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流IDSS＝－2.5mA,夹断电压UP=4V，请示意画出其转移特性曲线。