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（100分钟） 编号 课程 名称 授课 日期 模拟电子技术 授课 班级 讲次 11 计划在 年 月 日星期 第 讲 实际在 年 月 日星期 第 讲 章目 第3章场效应管及其基本放大电路 节目 3.1结型场效应管 要求 掌握单极性三极管JFET的放大机理 教学 方式 教具 POWERPOINT课件 多媒体 教 学 重 点 JFET的结构和放大机理 教 学 难 点 特性曲线 教 学 主 要 内 容 3.1结型场效应管 1. JFET的结构 2. JFET的工作原理与特性曲线 备 注 唐山工业职业技术学院
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第3章 场效应管及其基本放大电路 本章主要内容：结型场效应管、绝缘栅场效应管、场效应管的主要参数、特点及使用注意事项、场效应管基本放大电路 本章教学要求：掌握单极型半导体三极管的外特性；共源、共漏放大电路的工作原理，静态工作点估算继永建华笑信号模型电路分析电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。熟悉单极型半导体三极管的工作原理，主要参数及使用方法；共源、共漏放大电路的主要特点和用途。 场效应管是一种由输入信号电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以是电压控制器件。根据结构不同可分为：结型场效应管和绝缘栅场效应管。 3.1 结型场效应管（JFET） 3.1.1结型场效应管（JFET）的结构 结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管（符号图） 结型场效应管是一种利用耗尽层宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流的大小的器件。（以N沟道结型场效应管为例)它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极g，N型硅的一端是漏极d，另一端是源极s。 3.1.2 JFET的工作原理和特性曲线 一、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例) 在D、S间加上电压uDS，则源极和漏极之间形成电流iD，我们通过改变栅极和源极的反向电压uGS，就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度，这样就改变了沟道电阻，因此就改变了漏极电流iD。 第 1 页 教 案 副 页
沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG>>0，输入电阻很高。JFET是电压控制电流器件，iD受uGS控制。
二、结型场效应管的特性曲线(以N沟道结型场效应管为例)
1、输出特性曲线：根据工作特性我们把它分为四个区域，即：可变电阻区、放大区、击穿区、截止区。
可变电阻区：是uDS较小，管子尚未预夹断时的工作区域。 恒流区（饱和区）：特性曲线近似水平的部分，它是JFET预夹断后所对应的工作区域。
击穿区：特性曲线上翘部分。uDS>U(BR)DS，管子不允许工作在这个区域。
夹断区（截止区）：输出特性曲线
靠近横轴的部分。它是发生在uGS≤ UGS（off）时，管子的导电沟道完全被夹断。
2、转移特性曲线：如图所示，描述了栅、源之间电压对漏极电流的控制作用。
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（100分钟） 编号
课程 名称 授课 日期 模拟电子技术 授课 班级 讲次 12 计划在 年 月 日星期 第 讲 实际在 年 月 日星期 第 讲 章目 第3章场效应管及其基本放大电路 节目 3.2绝缘栅场效应管 要求 掌握单极性三极管MOSFET的放大机理 教学 方式 教具 POWERPOINT课件 多媒体 教 学 重 点 MOSFET的结构和放大机理 教 学 难 点 特性曲线 教 学 主 要 内 容 3.2绝缘栅场效应管 1.N沟道增强型MOSFET 2.N沟道耗尽型MOSFET 3.P沟道MOSFET简介 备 注 唐山工业职业技术学院
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