2、参与导电的只是多子。所以不易受温度、辐射等外界因素影响，用在环境条件变化较大的场合。 3、噪声较小。对于低噪声、稳定性要求高的线性放大电路宜采用。 4、制造工艺简单，所占的芯片面积小，功耗很小，使用于大规模集成。 5、源极和漏极结构对称，可以互换使用。 二、使用注意事项 1、使用时，各极电源极性应按规定接入;各极限参数规定的数值绝对不能超过。 2、MOS管的衬底和源极通常连接在一起，若需分开，则衬源间的电压要保证衬源间PN结反向偏置。 3、贮存时，应将管子的三个电极短路；把管子焊接到电路上或取下时，应先用导线将各电极绕在一起；焊接管子，最好断电利用余热焊接。 4、JFET可在栅源极开路状态下贮存，用万用表检查；MOS管必须用测试仪，良好接地。 第 2 页
单 元 课 时 计 划
（100分钟） 编号 课程 名称 授课 日期 模拟电子技术 授课 班级 讲次 14、15 计划在 年 月 日星期 第 讲 实际在 年 月 日星期 第 讲 章目 第3章场效应管及其基本放大电路 节目 3.5场效应管基本放大电路 要求 熟悉场效应管放大电路的直流偏置和Au、Ri、Ro的计算方法 教学 方式 教具 POWERPOINT课件 多媒体 教 学 重 点 场效应管放大电路 教 学 难 点 自给偏压、小信号模型分析 教 学 主 要 内 容 3.5场效应管基本放大电路 1.FET的偏置电路及静态分析 2. FET放大电路的小信号模型分析法 备 注 唐山工业职业技术学院
教 案 副 页
3.5 场效应管基本放大电路 3.5.1 FET的偏置电路及静态分析 一、自偏压电路：耗尽型NMSFET的栅偏压是依靠自身电流ID产生的，故称为自偏压电路。 UGS??IDRS???ID?IDSS(1?UGS)2?UGS(off)?UDS?UDD?ID(RD?RS)二、分压式自偏压电路 特点：能够稳定静态工作点，而且适用于由各种类型FET构成的放大电路 RG2U?U?UDD +UDD 设UGS=0，则 SGRG1?RG2RD RG1 C2 + D RG Rg2 C1 G V UGS?UDD?IDRS+ + Rg1?Rg2+ RL uo S + ui RG2 RS CS － － 而 UDS?UDD?ID(RD?RS) 3.5.2 FET放大电路的小信号模型分析法 一、FET的简化小信号模型：FET是非线性器件，但当工作信号幅值足够小、且工作在恒流区时，也可用线性电路——小信号模型来代替。 第 1 页 教 案 副 页
二、用小信号模型法分析FET放大电路 1、共源极放大电路其输出电压与输入电压反相；输入电阻高，输出电阻主要由Rd决定。 （1）电压放大倍数。 Au??UoUi??????IdRLUgs???gmRL+ ui － ?? RG C1 + RG1 G RG2 S D ???gmUgsRLUgs?RD C2 + V +UDD （2）输入电阻。 Ri?RG?RG1//RG2 （3）输出电阻。 Ro?RD RS RL + CS + uo － 场效应管共源极放大电路 2、共漏极放大电路，与三极管共集电极电路对应 直流通路 直流分析： UG=UDDRg2/(Rg1+Rg2) UGS= UG－US= UG－IDR ID= IDSS[1－(UGS /UGS(off))]2 UDS= UDD－IDR 由此可以解出UGS、ID和UDS。 第 2 页 教 案 副 页
交流分析： 电压放大倍数： ? Au?UoUi???gmUgs(R//RL)Ugs?gmUgs(R//RL)????gmR'L?11?gmR'L输入电阻： i g ? ( g1 // R g2 ) 当Rg>>（Rg1∥Rg2）时，Ri≈Rg R? RR 第 3 页
单 元 课 时 计 划