然后在这段poly上打孔，按字母O键，
弹出以下窗口
在Contact Type这里选择 M1_POLY1,Rows这里输入2，然后回车 (鼠标右键可以旋转器件)
将这个通孔放于之前的poly1上
然后metal1与这个通孔相连即实现了金属1层与poly1之间的连接
26
接下来输入信号in这里也要这样画，画好之后的整体图如下
4、画衬底接触
这里要分别画PMOS管的衬底接触和NMOS管的衬底接触。按快捷键字母O，在Contact Type这里选择 M1_SUB，这个是NMOS管的衬底接触。
27
按快捷键字母O，在Contact Type这里选择M1_NWELL，这个是PMOS管的衬底接触。
5、给PMOS管打阱
[因为现在是P阱工艺，整个画图的版面就是一个P型衬底，而NMOS管是做在P型衬底上面的，所以画NMOS管的时不需要画阱，而画PMOS管时要画nwell(即它的衬底)，nwell要包围住PMOS管和它的衬底接触。]
在LSW中选中NWELL-drw，按R，画矩形框，如下图
6、画管脚PIN
在LSW中选中metal1 pin
28
接着点击空白处，然后按快捷键L 弹出以下窗口
在Label这里输入名称(注意这个名称要与
schematic图中节点的名称要相同)，Height这里设置字体的高度，Font这里设置字体的样式，然后按回车，将PIN脚摆放到正确位置
7、补全其它连线
因为上图并不完整，还有很多连线没有连。[在熟悉版图画法之后这一步是放在前面做的，因为我们熟悉画法后就知道哪里是VDD、gnd、输入和输出]
画完这个7步骤以后点左边工具栏的SAVE保存，然后就可以进行后面的DRC、LVS和PEX了。
补充知识--多层金属连线：
29
(以下讲解两层金属metal1和metal2的布线) 由于金属走线经常会交叉，所以单层金属是不够的，这就涉及到多层金属的布线。
metal2 drw是金属层2
metal1和metal2之间用通孔M2_M1
——————————————————————————————————
画版图一些技巧：
1、所有的MOS管最好同方向(竖方向)，不要有有横有竖。最好是PMOS管放一起(比如一起放上面)，NMOS管放一起(一起放下面)，不一定是按照schematic电路图上的MOS管顺序来摆放。
2、走线不要穿过MOS管，要绕过去。
3、单排衬底接触最长不要超过100um，比较敏感的管子要多加些接触(两排或多排)，衬底接触少了电阻会大。一般情况我们采用单排衬底(即rows或columns=1) 4、横线用金属2，竖线用金属1，金属越宽电阻越小。我们一般取0.5u宽度。 [寄生电容与发生寄生电容的两导体面积成正比，因此线宽就0.5u够了(能承受1mA)，不需要再大。(TED)]
5、版图的PMOS管和NMOS管 源极和漏极是不区分的，上下的poly1都是栅极。
6、衬底接触一般在下面画一排接触即可，对于数模混合电路某个MOS管是特别敏感的那用衬底全包围。
7、走线尽可能短，尽量画的紧凑，减少延时。 8、尽量不用POLY来走线，如果两个栅极之间具体太长，中间用金属走线。poly的长度最多是3-5um。
9、同一层Metal之间的距离要大于最小值0.23um，一般是设置成大于0.5um。比如两条metal1走线之间的距离要大于0.5um。
10、PMOS管的衬底全部接VDD，NMOS管的衬底全部接地
各种器件之间的距离：
1、PMOS管和NMOS管之间的距离一般控制在1um以上，太近DRC报错 2、两个不同电压nwell之间的距离要大于1.4u，因此一开始要预留5um 3、Nwell和NMOS管之间的距离推荐是大于1u 4、Nwell和衬底接触以及PMOS管的距离0.5u左右 5、衬底接触和mos管距离一般设置为0.5u
电容和电阻器件不选择analoglib里面的cap和res(这两个是理想电容电阻)，电容一般选择tsmc里面的mimcap，电阻则要看电阻率等具体要求。(TED&黄)
30