第三章 放大电路的频率特性

2019-03-22 12:07

第三章 放大电路的频率特性

通常,放大电路的输入信号不是单一频率的正弦信号,而是各种不同频率分量组成的复合信号。由于三极管本身具有电容效应,以及放大电路中存在电抗元件(如耦合电容和旁路电容),因此,对于不同频率分量,电抗元件的电抗和相位移均不同,所以,放大电路的电压放大倍数Au和相角φ成为频率的函数。我们把这种函数关系称为放大电路的频率特性。

§1频率特性的一般概念

一、频率特性的概念

以共e极基本放大电路为例,定性地分析一下当输入信号频率发生变化时,放大倍数将怎样变化。

在中频段,由于电容可以不考虑,中频Aum电压

???180放大倍数基本上不随频率而变化。,即无附

加相移。对共发射极放大电路来说,输出电压和输入

电压反相。

在低频段,由耦合电容的容抗变大,电压放大倍数Au变小,同时也将在输出电压和输入电压间产生相移。我们定义:当放大倍数下降到中频

AAul?um2时率放大倍数的0.707倍时,即

的频率称为下限频率fl

对于高频段。由于三极管极间电容或分布电容的容抗在低频时较大,当频率上升时,容抗减小,使加至放大电路的输入信号减小,输入电压减小,从而使放大倍数下降。同时也会在输出电压与输入电压间产生附加相移。同样我们定义:当电压放大倍数下降到中频区放大倍数的0.707

AAuh?um2时的频率为上限频率倍时,即

fh。

共e极的电压放大倍数是一个复数,

Au?Au??

其中,幅值Au和相角?都是频率的函数,分别称为放大电路的幅频特性和相频特性。

我们称上限频率与下限频率之差为通频带。

fbw?fh?fl

表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力,它是放大电路的重要技术

?指标之一。

二、线性失真

由于通频带不会无穷大,因此对于不同频率的信号,放大倍数的幅值不同,相位也不同。当输入信号包含有若干多次谐波成分时,经过放大电路后,其输出波形将产生频率失真。由于它是电抗元件产生的,而电抗元件又是线性元件,故这种失真称为线性失真。线性失真又分为相频失真和幅频失真。

1.相频失真

由于放大器对不同频率成分的相位移不同,而使放大后的输出波形产生了失真。

2.幅频失真

由于放大器对于不同频率成分的放大倍数不同,而使放大后的输出波形产生了失真。

线性失真和非线性失真本质上的区别:非线性失真产生新的频率成分,而线性失真不产生新的频率成分。

§2三极管的频率参数

影响放大电路的频率特性,除了外电路的耦合电容和旁路电容外,还有三极管内部的级间电容或其它参数的影响。前者主要影响低频特性,后者主要影响高频特性。

一、三极管的频率特性

中频时,认为三极管的共发射极放大电路的电流放大系数β是常数。实际上是,当频率升高时,由于管子内部的电容效应,其放大作用下降。所以电流放大系数是频率的函数,可表示如下:

????01?jff?

其中β0是三极管中频时的共发射极电流放大系数,f?为共发射极电流放大系数的截止频率。上式也可以用?的模和相角来表示。

??0??f1?()2f?

?????arctan?ff?

根据上式可以画出?的幅频特性。通常用以下几个参数来表示三极管的高频性能。

二、表述三极管频率特性的几个参数

1. 共发射极电流放大系数β的截止频率f?

当|?|值下降到β0的0.707倍时的频率f?定义为β的截止频率。由上式可算出,当

f?f?时,?=???02?0.707?0

2. 特征频率fT

定义|?|值为1时的频率fT为三极管的特征频率。将

式得:

?f?fT和??1?代入()

1??01?(fT2)f?

由于通常fT/f???1,所以上式可简化为

fT??0f? 3. 共基极电流放大系数?的截止频率f? 由前述?与?的关系得

???=?????1+?

显然,考虑三极管的电容效应,?也是频率的函数,表示为:

??0??f1?jf?

其中f?为?的截止频率,定义为|?|下降为中频?0的0.707倍时的频率。

f?、f?、fT之间的关系:

???将

??f?=1?j?f?代入1+?得

??0??0??1??1?jff?ff??01?j?1?j?0f??0f??1?j?01??0f(1??0)f??1?j?0f(1??0)f?可见:

一般,?0??1所以:

f??(1??0)f? f???0f??fT

三、三极管混合参数π型等效电路

当考虑到电容效应时,h参数将是随频率而变化的复数,在分析时十分不便。为此,引出混合参数π型等效电路。从三极管的物理结构出发,将各极间存在的电容效应包含在内,形成了一个既实用又方便的模型,这就是混合π型。低频时三极管的h参数模型与混合π模型是一致的,所以可通过h参数计算混合π型中的某些参数。

1.完整的混合π型模型

如下图为三极管的结构示意图和混合π型等效电路。其中Cπ为发射结的电

gU容,Cμ为集电结的电容。受控源用mb'e而不用?Ib,其原因是Ib不仅包含流

过rb'e的电流,还包含了流过结电容的电流,因此受控源电流已不再与I成正比。

b

???理论分析表明,受控源与基极、射极之间的电压成正比。gm称为跨导,表示Ub'e变化1V时,集电极电流的变化量。

由于集电结处于反向应用,所以rb'c很大,可以视为开路,且rce通常比放大电路中的集电极负载电阻Rc大得多,因此也可以忽略。得出下图简化混合π型等效电路。

当在中频区时,不考虑Cπ和Cμ的作用,得到下图(a)简化π型等效电路,和原来简化的h参数等效电路相比较,就可建立混合π型参数和h参数之间的关


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