2.2参数计算
2.2.1技术指标
发射机工作频率：fc=4MHz 发射功率：P0>=200mW 发射效率：η>=50% 调幅度：Ma>=30% 残波辐射：<40db
2.2.2计算
晶体管2N2222A参数：Vceo=40V, Vcbo=75V, Vebo=6V, Ic=600mA
已知条件Vcc=12V，fc=4MHz,选择的晶体管2N2222A，其放大倍数β=50，ICQ=3mA,VCEQ=6V,VEQ=0.2Vcc.根据电路计算；
R3?Vcc?(Vceq?Veq)12?6?0.2?12V??1.92k
Icq3mAVceq0.2?12V??800 Icq3mAIcq?3mA?o.o66mA 50R4?Ibq??R1?(Vcc?Vbq)(12?3)?1000V??15K
10Ibq0.6Vbq(Veq?0.7)?10000V??5.1K
10Ibq10?6.012?LC)?(1)?4MHz
2?L1C3R2?fosc?(fosc?(12πLC)?(12πL1C3)?4MHz
取L1=25uH,C3≈67pF,反馈系数取Kf=0.2，Kf=C1/c2,取C1=480PF，C2=2400PF。
6
4总体电路设计
4.1总体电路
4.2等效电路
7
5电路仿真
5.1 调试步骤及结果
本次设计电路分为六个小模块，分别为主振级、缓冲级、高频放大级、音频放大级、调幅级、功率放大级。 5.1.1主振级 （1）仿真电路图
（2）仿真结果
8
（3）仿真结果分析
观察仿真输出波形知，参考LC正弦波振荡器设计标准产生标准的正弦波。 5.1.2缓冲级 （1）仿真图形
（2）仿真结果 当R10取0%时
9
当R10取10%时
10