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六、正洗
在反洗结束后，需进行正洗以去除任何残留的污染物和/或化学药品，并排除聚集在膜组件内部的空气。完成正洗后，超 滤系统即可重新投入到过滤运行状态或者备用状态。
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七、化学加强反洗（CEB）
在通过常规气擦洗辅助反洗步骤无法除去所有污染物的情况下，通过在反洗时加入化学药剂可以加强反洗的效果，即化 学加强反洗（CEB, Chemical Enhanced Backwash）。CEB 过程包括一个气擦洗过程、加入化学药剂反洗、浸泡和将污染物和化学 药剂冲出的常规气擦洗辅助反洗过程。在 CEB 过程中，非常重要的一点是在加入化学药剂的反洗前，要保证将绝大部分的污 染物通过常规反洗从膜组件中除去。这样，化学药剂才可以直接作用到那些难以除去的污染物上。同样重要的是要保证整个 膜组件中充满合适浓度的化学药剂和合理的浸泡时间。通常浸泡可持续 5 至 10 分钟，有时为了使化学药剂与黏附在膜 丝表面或进入膜丝孔通道内的污染物充分接触，也可延长浸泡时间。浸泡后，要保证将所有的化学药剂冲洗出整 个系统。
CEB 所使用的化学药剂种类根据原水水质可能产生的污染物进行选择，CEB 频率根据产生的污染物频繁情况而定。一般 使用的化学药剂为 NaOCl、NaOH 和 HCl 等。根据所使用的化学药剂的不同，CEB 一般分为针对由于原水中有机物及生物引起 的污染的碱 CEB，和针对由于原水中铁、铝的胶体或者硬度结垢引起的无机物污染的酸 CEB：
碱 CEB：0.1% NaOCl + 0.05% NaOH (目标 pH 12) 酸 CEB：0.1% HCl 或 H2SO4 (目标 pH 2)
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1、DOWTM超滤的化学加强反洗（CEB）上反洗
2、DOWTM超滤的化学加强反洗（CEB）下反洗
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八、就地化学清洗（CIP）
就地化学清洗（CIP）操作包括反洗和化学品循环清洗。CIP 是一个基于需求的操作。CIP 频率受到给水水 质的影响，频率可以从 1 个月到 3 个月不等。CIP 前要执行一次的常规反洗，其步骤包括气擦洗、底部排放、上 反洗和下反洗。反洗的步骤通常重复 3 到 8 次，以去除各种不需要的化学清洗即可去除的污染物。反洗步骤完 成后，通过重力排水排掉膜组件中多余的水，防止后续 CIP 化学药品浓度被稀释。CIP 清洗液在膜组件和化学清 洗水箱之间循环 30 分钟（CIP 药品从膜组件进水侧打入）。一部分 CIP 清洗液的滤液也被收集并循环回的化学 清洗水箱。请注意，CIP 清洗液可以加热到 40oC，以提高去除膜组件中污染物的效率。循环清洗后可以浸泡 60 分钟或更长的时间，浸泡时间长短主要取决于膜组件的污染程度。浸泡步骤后，再次将 CIP 清洗液循环 30 分 钟。循环清洗完成后再执行一次气擦洗和排水，以排放掉膜组件中 CIP 清洗液。随后执行 2 步反洗（上反洗和 下反洗）和正洗，以去除膜丝外部任何剩文案大全
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余的污染物。注意：经过 CIP 后，转入正常的操作运行步骤时，UF 膜 丝产水侧残留有 CIP 化学品（特别是氧化剂），如后续工艺为反渗透，应该将 CIP 后第一次正常运行产水排 放，以避免反渗透膜的氧化。上面描述的 CIP 步骤为一个单一的碱或酸的 CIP 清洗过程。如果酸和碱清洗都需 要，CIP 的步骤是将碱 CIP 过程和酸 CIP 过程各执行一遍。
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