答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B 问题解析：
17.(单选题) N型半导体中多数载流子是（ ）。 A. 自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：A 问题解析：
18.(单选题) PN结加正向偏置，其耗尽层将（ ）。 A. 变宽 B. 不变 C. 变窄 D. 不能确定 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：C 问题解析：
19.(单选题) PN结加正向偏置是指连接PN结的N区一边加（ ）电位，连接PN结的P区一边加（ ）电位。
A. 高，低 B. 低，高 C. 低，低 D. 高，高 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：B 问题解析：
20.(单选题) 三极管的集电区和发射区掺杂材料相同，发射极与集电极（ ）互换使用。
A．不可以 B．可以 C．说不定 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：A 问题解析：
。
21.(单选题) 理想二极管构成的电路，如图所示，则输出电压Uab为（ ）。 A. －15V B. －7V C. －6V D. +6V
答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
22.(单选题) 二极管构成的电路，如图所示，设二极管加反向电压截止，反向电流为零，二极管加正向电压导通，正向导通压降为0.7V，图中D1，D2导通情况及输出电压Uab为（ ）。
A. D2导通，D1截止，Uab＝－12V B. D2导通，D1截止，Uab＝－9V C. D1导通，D2截止，Uab＝－0.7V D. D1导通，D2截止，Uab＝9V
答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：C 问题解析：
23.(单选题) 晶体三极管工作在饱和区域时，发射结、集电结的偏置是（ ）。 A. 发射结反向偏置，集电结正向偏置 B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置 C. 发射结正向偏置，集电结正向偏置 D. 发射结反向偏置，集电结反向偏置 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：C 问题解析：
24.(单选题) 三极管工作于放大状态的条件是（ ）。
A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：A 问题解析：
25.(单选题) 测得某电路中晶体三极管三个管脚得电位，如图所示，则该管的工作状态为（ ）。
A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 不能确定
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B 问题解析：
26.(单选题) 测得某放大电路中晶体管的三个管脚1，2，3 的电位分别为5V，2.7V 和2V，则管脚1，2，3 对应的三个极是（ ）。
A． C－B－E B．B－E－C C．C－E－B D．E－C－B 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：A 问题解析：
27.(单选题) 一个NPN三极管，三个电极电位分别为UC＝3.3V，UB＝3.7V，UE＝3V，则该管工作在（ ）。
A.放大区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 击穿区 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：B 问题解析：
28.(单选题) 晶体三极管工作在饱和区域时，发射结、集电结的偏置是（ ）。 A. 发射结正向偏置，集电结反向偏置 B. 发射结正向偏置，集电结正向偏置 C. 发射结反向偏置，集电结反向偏置 D. 发射结反向偏置，集电结正向偏置 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：B 问题解析：
第6章 半导体分立器件
1.(单选题) 稳压管的稳压区是其工作在（ ）。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：C 问题解析：
2.(单选题) 用万用表直流电压档分别测出VD1，VD2 和VD3正极与负极对地的电位如图示，VD1，VD2，VD3 的状态为（ ）。
A．VD1，VD2，VD3 均正偏 B．VD1 反偏，VD2，VD3 正偏 C．VD1，VD2 反偏，VD3 正偏 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：A 问题解析：
3.(单选题) 稳压二极管电路如图所示，稳压管稳压值UZ=7V，正向导通压降UD=0.3V，其输出电压为（ ）。 A．7V B．24V C．7．3V D．0．6V
答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：C 问题解析：
4.(单选题) 在如图所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降为0.7V，则输出电压Uo为（ ）。 A. 2V B. 14V C. 6V D. 8V
答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：A 问题解析：
5.(单选题) 本征半导体硅或锗中掺入微量的三价元素后，其中多数载流子是（ ）。
A. 自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：B 问题解析：
6.(单选题) N型半导体中多数载流子是（ ）。
A. 自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：A 问题解析：
7.(单选题) PN结加正向偏置，其耗尽层将（ ）。 A. 变宽 B. 不变 C. 变窄 D. 不能确定 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：C 问题解析：
8.(单选题) PN结加正向偏置是指连接PN结的N区一边加（ ）电位，连接PN结的P区一边加（ ）电位。
A. 高，低 B. 低，高 C. 低，低 D. 高，高 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：B 问题解析：
9.(单选题) 三极管的集电区和发射区掺杂材料相同，发射极与集电极（ ）互换使用。
A．不可以 B．可以 C．说不定 答题：
A.
B.
C.
D. （已提交）
参考答案：A 问题解析：
10.(单选题) 理想二极管构成的电路，如图所示，则输出电压Uab为（ ）。 A. －15V B. -7V C. -6V D. +6V