1、 已知硅的晶格常数或单胞的边长a?5.43?10?8cm，求两个相邻硅原子之间的中心距离d。
2、 问：对于一个立方晶格：
(a)晶面和方向矢量如图所示，求密勒指数。
(b)画出晶面为（011）、晶向为[011]的晶面和方向矢量。
3、 问：
（a）1eV等于多少焦耳？
（b）在300K时，KT等于多少电子伏？ （c）在硅中施主和受主的电离能大约是多少？ （d）硅的Eg??
4、 导带边缘(Ec)被填满的状态几率正好等于价带边缘(Ev)空态的几率。此时费米能级在哪里？
5、 使用下图所给出的硅晶格单胞，回答下列问题：
（a）若如图所示，单胞的座标原点在立方体的后下方，通过点ABC的密勒指数是多少?
（b）由原点通过点D的方向矢量的密勒指数是多少？ （c）晶格常数为a，硅晶格中最近邻原子的距离是多少？ （d）修改硅的单胞图，使之显示出施主性质。 答：
6、 硅片中均匀掺入ND?1017/cm2施主杂质，在温度T?300k时保持热平衡条件不变，?p?10?6s。计算下表中硅片的性质。 答：
7、 在给出的能带图中，标出下列能级的通常位置，并给予必要的说明。 （a）Ei…本征费米能级 （b）ED…施主能级 （c）EA…受主能级 （d）ET…产生-复合中心
答：
8、 （1）如下图所示，单位立方格子四个垂直边的中点和上下底面的面心
分别有一个原子，在这个立方单元内有几个原子？
( 2 ) 问题（1）的立方单元，使用什么名字可表现该单元的特性？
（a） 简单立方 （b） 体心立方
（c） 面心立方 （d） 金刚石结构 答：
9、 求图中所示平面的密勒指数
（a）123 （b）(123) （c）(321) （d）(321) （e）(632) 答：
??
10、在特殊半导体导带底之上电子状态所占的几率是e?10。求在已知材料内费米能级的位置。 （a）EF?Ec （b）Ec?EF?9kT