（c）Ec?EF?10kT （d）EF?Ec?kT 答：
11、在室温下，低掺杂硅的载流子散射机制主要是： （a）载流子-载流子散射 （b）晶格散射 （c）电离杂质散射 （d）压电散射 答： b
12、使用价键模型，描述（画出）施主的图像。 答：
13、使用能带图，描述（画出）T?0K时，位于施主上电子冻结的图像。 答：
14、说明为什么n型材料的电阻率比同样掺杂的p型材料电阻率要小很多。 答：
15、使用能带图，描述（画出）通过R?G中心复合的图像。 答：
16、如果MOSFET中内部状态如下图所示，在右图所示的ID?VD特性曲线上确定相应的工作点。
答：