???r2H?dl?2?rH??2I r?a ??ac整理可得柱内离轴心r任一点处的磁场强度
???H?erI r?a 22?a??, (2)柱外离轴心r任一点处的磁感应强度也大小处处相等,方向为沿柱面切向e由安培环路定律:
c???B?dl?2?rB???0I r?a
整理可得柱内离轴心r任一点处的磁感应强度
??I??0 r?a B?e2?r9.解:
(1) 由电流的对称性可知,柱内离轴心r任一点处的磁场强度大小处处相等,方向为沿
??,由安培环路定律: 柱面切向e???H?dl?2?rH??I a?r?b
c?I?H?e可得同轴内外导体间离轴心r任一点处的磁场强度 ?2?ra?r?b
(2)r?c区域同样利用安培环路定律
c?? 此时环路内总的电流为零,即?H?dl?2?rH??I?I?0
r?c
?处的磁场强度为 H?0
9.解:
(1) 建立如图20-1所示坐标。
设上极板的电荷密度为?,则??Q ab图5
极板上的电荷密度与电场法向分量的关系为???0En?Q ab?xEn??e?x由于平行板间为均匀电场,故E??e0?Q ?0ab(2) 由:U??Qd?U? 将上面电场代入得: E?edxx??0abx?d10.解:(1)磁感应强度的法向分量连续B1n?B2n
第 6 页 共 6 页
根据磁场强度的切向分量连续,即H1t?H2t 因而,有
B1t?1?B2t?2
??,也即是分界面的切向分量,再根 (2)由电流在区域1和区域2中所产生的磁场均为e据磁场强度的切向分量连续,可知区域1和区域2中的磁场强度相等。
??I 由安培定律 ?H?dl?I 得 H?
2?rC因而区域1和区域2中的磁感应强度分别为
?? B1?e11.解:
???1I?I??2 B2?e2?r2?r??j?t(1)该电场的时间表达式为:E?z,t??Re?Ee?
(2) 该波为线极化
??x3E0cos??t?kz? E?z,t??e???j?e12.解:(1)电场强度的复数表达式E?E0e 电场强度的复数表达式???j?m H?H0e(
2
)
根
据
???1Sav?ReE?H*2??得
????j(?e??m)?11?Sav?ReE0?H0e?E0?H0cos(?e??m)
22??五、综合1.解:(1)H??1?0??E?z?E H?e?y0e?j?z ?0?120e?
?0?x 磁场的方向为e?y (2) 区域1中反射波电场方向为?e2.解
?2?(1) 媒质2电磁波的波阻抗
?0?2?120??60?2?13?0?0
vp1?(2)媒质1中电磁波的相速
1?1?1?c?1.0?108m/s3 第 7 页 共 7 页