10. –3V 相反 11.–19.25W(产生) 12. –70mW 13. 3V 14. 80 15. 220 16. CdudtC uC(t0)?iC?t0t1tC(?)d?
LdiLdt iL(t0)?1uL(?)d?
?Lt0二、选择题
1. B 2. B 3. C 4. C 5. A 6. A 7. C 8. B 9. A 10. B 11.B 12. B 13. C 14. C 15. A 16. 1A 5V 三、计算题 1.
- -14V R1 + R3 2V - - UX + a 解：Ubc=3V
由KVL，-14+2+Uac=0
b + R2 3V - + R4 解得 Uac=12V
Ux=Uac-Ubc=12-3=9V
c 2. 解：根据分流公式 I?6060?40?2?1.2A
由欧姆定律 U=1.2×40=48V
P=-2×48=-96W
3. + 28V - 解：应用分压公式，解得
12Ω a + 17Ω X
Uac=（16/16+12）×28=16V Ubc=（11/17+11）×28=11V Ux= Uac- Ubc=16-11=5V
U - b c 16Ω 4. 解：先求51Ω、78Ω和95Ω三个电阻的串并联电阻R：R=51+78∥95=39.4Ω
应用分压公式，得 U=（39.4/15+39.4）×30 = 21.7V
5. 解：应用分流公式 I1=[（25∥20）/100+（25∥20）] ×100 = 30mA
6
11Ω 应用KCL I3=300-30 = 270mA
再应用分流公式 I2=（20/25+20）×270 = 120mA 6.解：由KCL 12.6-（-2.5）-（-3.3）-I=0 解得 I=18.4A 7.解： 8.解： 9.解：
1A 14Ω + 12V - 10Ω + 36V - 6Ω I 由KVL 36 – 2 +（6+10+14）I = 0 解得 I = -0.8A
P10Ω=（-0.8）2 ×10 = 6.4W
A B 3Ω - 12V + + 4- I1 10Ω I + 12V - + 36V - A
4A 3Ω 6A 6Ω B
A 2A 2Ω 6Ω 2Ω A B B I=12/10=1.2A 由KCL，I1=-（1+1.2）=-2.2A P12V=-2.2×12=-2.64W（产生）
+
I 1A 6Ω 10.解： 24V
- 12Ω I 2A 12Ω 1A 6Ω I 2A 12Ω 6Ω I 应用分流公式得 I=[ 12 /（12+6）]×1=2/3A
11.解： I1 2Ω 100Ω + 12V
- + 9V
12A 12.解： - I1=9/2=4.5
I= -（12+4.5）= -16.5A P2Ω=4.52×2 = 40.5W
- - + 200V 100Ω - 20Ω UOC
7 + 12V - 2A 20Ω UOC + + 100Ω
由分压公式，得：
UOC= -[20/（100+20）]×212=-35.3V
13.解： R1 5kΩ R3 10kΩ b a + U- R2 10kΩ + U 12V -
RO
a R3 10Kb + UX -
I 1m+ UO- （1）求UOC，作等效电路如下：
5K1mA 10K+ 12V - + UOC - UOC=1×10-3×(5+10) ×103+12=22V （2）求R0，作等效电路如右图： RO=10KΩ （3）由分压公式，得 Ux?14.解： - 7+ 3Ω + 4Ω U - 6Ω R3R0?R310K1010?10RO ?UOC??22?11V
RO 1A
+ UO- 4Ω 6Ω + U -
（1）求UOC，作等效电路如下：
3Ω - 7V + 1A UOC - 8
+ UOC=1×
3Ω RO （2）求R0，作等效电路如右图： RO=3Ω
（3）由分压公式，得 U?15.解： + 3V - ? Ua?4R0?4?6?UOC?43?10?(?4)?1.23V
5Ω + + 10V - + 15Ω 3V - 5Ω Ua’ 15Ω - 5?155Ω + 10V - Ua 15Ω - 15+ 15Ω + + Ua- 15Ω 15Ω 5?152?3?1.8V,U???10?2V, U?U??U???1.8?2?3.8V a5?151515?5?5?15216.
原电路
1.5A 6Ω 22?5I a 2A 3Ω b ?3.5?1A
I??202?822?8I a 5Ω 3.5A 2Ω b ?2A 5Ω
根据分流公式 I?17.
-
原电路
+ 20V 2Ω I’ 8Ω + 2Ω I” 8Ω 5A I????5?1A I?I??I???3A
第二章 半导体基本器件
一、填空题
1. 导电性能介于 和 之间的物质称为“半导体”。
2. P型半导体中的多数载流子是 ，N型半导体中的多数载流子是 。 3. 当PN结加正向电压时，PN结多子 形成较大正向电流。
4. 把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止时的特性叫做 特性。 5. 硅二极管具有 导电性，其导通电压UON约为 V。
6. 要使硅二极管工作在截止状态，应使其外加电压uD V。 7. 理想二极管导通时，其管压降约为UD = ，其等效电阻rD约为 。
8. 三极管由 或 半导体制成，分为两种类型： 型管和 型管。
9
9. 三极管有三个端钮，分别称为 极、 极、 极。
10. 共发射极三极管电路输出特性的三个工作区指的是 区、 区、 区。 11. 硅三极管的截止条件是 ，截止时的特点是 ；饱和时的特点是 ；放大条件是 ，放大时的特点是 。
12. 硅NPN三极管截止时UBE≤ ，ic=ib= A；饱和时Uc UB；放大时UBE＞0.7V，UCE＞UCES，iC= iB。
13. 在NPN型三极管输出特性曲线上，截止区uBE＜ ，iB＝ ，iC
＝ 。
14. 在NPN型硅三极管输出特性曲线上，在放大区，uBE = V，uC uB ，β= 。
15. 晶体三极管做开关应用时一般工作在输出特性曲线的 区和 区。 16、当一个NPN型三极管处于饱和工作状态时，有：UCE UBE。
17. 一个三极管电路已知IB=150μA，β=75，若测量得IC=8.3mA，则说明该三极管处于 工作状态。
18. 共发射极三极管电路输出特性曲线的饱和区UCE ＜UBE ，此时三极管已失去 放大功能，且IBS ICS / β 。
19. 场效应管是一种 型半导体器件，其内部仅有 载流子导电。 20. NMOS场效应管的输出特性曲线份为三个区域 、 、 。 21. 场效应管的输入电阻rGS约为 Ω，是高值电阻，因此基本上认为输入栅极电流IG
为 。
22. N沟道增强型场效应管的输出特性曲线是以 为参变量，描述其漏极电流iD和 之间的关系。
23. 增强型MOS管的特性曲线包括 和 特性曲线，U T N称为 电压。
24. 增强型N沟道场效应管当 极与源极之间电压大于开启电压时，进入导通状态。 25. 从增强型NMOS场效应管输出特性曲线上，易于找出 电压的数值；其开关速度主要受管子的 电容影响，其数值通常在 法拉级。
26. 从增强型NMOS场效应管漏极特性曲线中，恒流区：uGS ≥ 且uDS值比较 ，电流Ig受 控制，基本上与 值无关，rDS值很 。
27. MOS场效应的交流参数(1)跨导gm = , (2)导通电阻rDS = 。 28. 增强型NMOS场效应管的漏极特性中，在可变电阻区，UDS ≥ 且UDS值比
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