相应字段就不亮。共阴数码管是指将所有发光二极管的阴极接到一起形成公共阴极(COM)的数码管，共阴数码管在应用时应将公共极COM接到地线GND上，当某一字段发光二极管的阳极为高电平时，相应字段就点亮，当某一字段的阳极为低电平时，相应字段就不亮[9]。
第三章 多点温度采集系统的硬件电路的设计
3.1 多点温度采集系统的硬件模块划分
多点温度采集系统的硬件模块划分如图3.1所示。
图3.1多点温度采集系统的硬件模块 如下
他由51单片机、显示模块和DS18B20模块组成，其各个部分详细说明（1）51单片机：多点温度采集系统的核心控制器。
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（2）DS18B20温度采集模块：采集当前各个点的温度数据。 （3）1602液晶显示器：显示用户当前各个采集点的温度信息。
3.3.1 51单片机
AT89C51单片机是宏晶科技推出的新一代超强抗干扰、高速、低功耗的单片机，指令代码完全兼容传统8051单片机，12时钟/机器周期和6时钟/机器周期可任意选择，最新的D版本内部集成MAX810专用复位电路。引脚图如图3.2所示
图3.2 AT8951引脚
。
VCC ：电源 GND ：地
P0 口：P0口是一个8位漏极开路的双向I/O口。作为输出口，每位能驱动8个TTL逻辑电平。对P0端口写“1”时，引脚用作高阻抗输入。当访问外部程序和数据存储器时，P0口也被作为低8位地址/数据复用。在这种模式下，P0具有内部上拉电阻。在 flash编程时，P0口也用来接收指令字节；在程序校验时，输出指令字节。程序校验时，需要外部上拉电阻。
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P1 口：P1 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，p1 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P1 端口写“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入口使用。作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（IIL）。此外，P1.0和P1.2分别作定时器/计数器2的外部计数输入（P1.0/T2）和时器/计数器2的触发输入（P1.1/T2EX），具体如下表所示。在flash编程和校验时，P1口接收低8位地址字节。
P2 口：P2 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，P2 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P2 端口写“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入口使用。作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（IIL）。在访问外部程序存储器或用16位地址读取外部数据存储器（例如执行MOVX @DPTR）时，P2 口送出高八位地址。在这种应用中，P2 口使用很强的内部上拉发送1。在使用8位地址（如MOVX @RI）访问外部数据存储器时，P2口输出P2锁存器的内容。在flash编程和校验时，P2口也接收高8位地址字节和一些控制信号。 P3 口：P3 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，p2 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P3 端口写“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入口使用。作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（IIL）。P3口亦作为AT89C51特殊功能（第二功能）使用，如下表所示。在flash编程和校验时，P3口也接收一些控制信号。 引脚号第二功能如表3.1所示
表 3.1 引脚号第二功能
P3.0 P3.1 P3.2 P3.3 P3.4 RXD（串行输入） TXD（串行输出） INT0（外部中断0） INT1（外部中断1） T0（定时器0外部输入） 9
P3.5 P3.6 P3.7
T1（定时器1外部输入） WR（外部数据存储器写选通） RD（外部数据存储器写选通） RST：复位输入。晶振工作时，RST脚持续2 个机器周期高电平将使单片机复位。
PSEN：外部程序存储器选通信号（PSEN）是外部程序存储器选通信号。
EA/VPP：访问外部程序存储器控制信号。为使能从0000H 到FFFFH的外部程序存储器读取指令，EA必须接GND。为了执行内部程序指令，EA应该接VCC。在flash编程期间，EA也接收12伏VPP电压。
XTAL1：振荡器反相放大器和内部时钟发生电路的输入端。 XTAL2：振荡器反相放大器的输出端[4]。
3.3.2 DS18B20传感器
DS18B20是拉达斯（Dallas）公司出品的数字温度传感器，其使用1-wire总线接口，该器件的主要技术特点如下。
（1）工作电压范围广。3~5.5V，并且可以使用寄生电容供电方式。 （2）集成度高。所有的应用模块都集中在一个和普通三极管大小相同的芯片内，应用过程中不需要任何外围器件，使用1-wire总线接口和51单片机进行数据通信。
（3）温度测量范围大。可测量温度区间为-55~125℃，其中在-10~85℃的区间内测量精度为0.5℃。
（4）测量分辨率可变。测量分辨率可以设置为9~12位，对应的最小温度刻度为0.5℃、0.25℃、0.125℃、0.0625℃.
（5）转换速度快。在9为精度时最快，耗时93.75ms，在12位精度时则需要750ms。
（6）支持多个设备。支持在同一条1-wire总线上接挂多个DS18B20器件形成多点测试，在数据传输过程中可以跟随CRC校验。 DS18B20引脚封装结构 如图3.3所示
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图3.3 DS18B20的引脚封装图
（1）VCC：电源输入引脚，如果使用寄生供电方式，该引脚直接链接到GND。
（2）GND：电源地引脚。
（3）DQ：数据输入/输出引脚。
DS18B20内部有一个64位的ROM空间用于存放序列号，序列号由8位产品种类编号（0x28）、48位产品序列号和8位CRC校验位组成，每一个DS18B20都有一个唯一的序列号，可用于区别其他的DS18B20。
DS18B20可以将温度转换成两个字节的数据，可以配置设定为9~12为精度，表10.7是12位精度的数据存储结构，其中S为符号位，当温度高于0℃是S为0，此后11位数据直接乘以温度分辨率0.0625，则为实际温度；当温度低于0℃是S为1，此时后11位数据为温度数据的补码，需要取反加一之后再乘与温度分辨率才能得到实际的温度。
DS18B20的温度分辨率只和采样的精度位数有关，9位采样精度时对应的分辨率为0.5℃，10位为0.25℃，11位为0.125℃，12位为0.625℃。用两
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