项目一 习题参考答案
1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用?表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用gm表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？
解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压UAB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图
解：（a）VD导通，UAB=-6V。
（b）VD截止，UAB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，UAB=0 V。 （d）VD1截止， VD2导通，UAB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，ui =6sin? t (V)，试画出uO的波形。
图1.53 题7图
解：（a）
（b）
8. 电路如图1.54所示，已知ui=5sin? t(V)，二极管导通电压为0.7V。试画出ui与的波形。
解：ui>3.7V时，VD1导通，VD2截止，uo=3.7V；
3.7V >ui>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，uo= ui ； ui<-4.4V时，VD1截止，VD导通，uo= -4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
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图1.54 题8图
图1.55 题9图
解：（a）三极管已损坏，发射结开路 （b）放大状态 （c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路
10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图1.56 题10图
解：
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11. 为什么场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻要高很多？ 解：栅、源极间的输入电阻从本质上来说是PN结的反向电阻。 12. 图1.57 所示符号各表示哪种沟道JFET？其箭头方向代表什么？
图1.57 题12图
解：（a）N沟道JFET，（b）P沟道JFET
箭头的方向表示PN结正偏的方向，即由P指向N
13. 试分别画出N沟道增强型和耗尽型MOS管、P沟道增强型和耗尽型MOS管的电路符号。
解：
(a) N沟道增强型MOS管 (b) P沟道增强型MOS管
(a) N沟道耗尽型MOS管 (b) P沟道耗尽型MOS管
14. 一个场效应管的转移特性曲线如图1.58所示，试问： (1) 它是N沟道还是P沟道的FET？
(2) 它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少？
图1.58 题14图
解：（1）N沟道JFET
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（2）uP=-3V，IDSS=3mA
15. 图1.59所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压uT =？如果是耗尽型，说明它的夹断电压uP =？其中iD的参考方向为流进漏极。
图1.59 题15图
解：（a）N沟道耗尽型MOS管，uP=-3V。
（b）P沟道耗尽型MOS管，uP=2V。 （c）P沟道增强型MOS管，uT=-4V。
16. 在图1.60所示电路中，已知发光二极管导通电压为1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问：
(1) 开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ (2) R的取值范围是多少？
解：（1）开关S闭合时，发光二极管才能发光。 （2）Rmin=（5-1.5）/15=0.23KΩ
Rmax=（5-1.5）/5=0.7KΩ
R的取值范围是0.23KΩ~0.7KΩ。
17. 已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA，求图1.61所示电路中Uo1和Uo2各为多少伏。
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